Графеника. Российский семинар С. П. Губина (Москва) Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

ХРОНИКА

ГРАФЕНИКА.

РОССИЙСКИЙ СЕМИНАР С.П. ГУБИНА (МОСКВА)

Буслаева Елена Ю.

ВНИИАлмаз, http://www.vniialmaz.ru/, ООО АкКоЛаб, http://www.akkolab.ru 107996 Москва, Российская Федерация

Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН, http://www.igic.ras.ru

117901 Москва, Российская Федерация

eyubuslaeva@inbox.ru

Российский семинар «ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И КРИСТАЛЛ (материал, физика, химия, электроника, фотоника, биомедицинские применения)» под руководством д.х.н., проф. С.П. Губина работает с ноября 2011 года. Семинары проходят раз месяц, в основном, в конференц-зале ВНИИАлмаз на ул. Гиляровского, дом 65. Семинар проводится при поддержке ООО «АкКоЛаб» и ВНИИ «АЛМАЗ». Программы семинаров размещены на сайте: http://www.akkolab.ru. Организаторы семинара видят его как дискуссионную платформу для обсуждения новых идей и концепций, ознакомления с результатами и обмена опытом работы исследователей в бурно развивающейся графенике - междисциплинарной области современной науки. Предполагается издание ежегодного Сборника материалов семинара, создание Программы исследований в этой области с возможным выходом на финансирование. В работе семинара принимают участие сотрудники различных научных учреждений г.Москвы - ИОНХ РАН, ИНЭОС РАН, ИХФ РАН, ИРЭ РАН, НИЦ Курчатовский ин-т, МГУ Химфак, МФТИ, НИЯУ МИФИ, РУДН, ООО «Акколаб», ОАО «ВНИИ АЛМАЗ», ООО «Карбонлайт», ОАО «НИИграфит» и др., а также приглашенные сотрудники научных учреждений России, стран СНГ и зарубежья. Аудитория каждого заседания - около полусотни участников. На четырехчасовом заседании с перерывом заслушиваются и обсуждаются 3-4 доклада, обзор новостей, представленные стендовые сообщения.В журнале РЭНСИТ публикуются полугодовые отчеты о работе семинара: перечень докладов с указанием аффилированных авторов и представленные тезисы докладов.

УДК 061.3

РЭНСИТ, 2015, 7(2):210-211_

ДВАДЦАТЬ ВТОРОЙ СЕМИНАР, 26.11.2015 1. Шека Е.Ф. (д.ф.-м.н., проф., РУДН).

Нелинейные спиновые волны в наноструктурах на базе

2. Павловский ОВ. (МГУ им. Ломоносова, ИТЭФ им.А.И. Алиханова). Критический заряд в графене с массовой щелью: возможен ли EAIR/NICA на лабораторном столе? ДВАДЦАТЬ ТРЕТИЙ СЕМИНАР, 24.12.2015 1. Дементьев АП (д.ф.-м.н., Курчатовский институт). Взаимодействие графенов в 5-ти верхних слоях трографита, электронная заселенность п-зон у каждого слоя.

N(E) CKVV Оже спектры (V=osapn) были использованыдляизмеренияэлектроннойзаселенности п-зон в 5 верхних слоях свежеприготовленного образца графита путем его расщепления. Профилирование по глубине состояний п-зон у каждого из 1-5 слоев графенов осуществлялось изменением угла сбора электронов в диапазоне 15°-90°. Заселенность электронами в п-зон у каждого из 1-5 слоев измерялась относительно концентрации электронов в ap—зоны, она изменялась ~ 0 у верхнего слоя до значения ее в графите у 5-го слоя. Взаимодействия установлено различные заселенности п-зон у каждого 1-5 слоев графенов после очистки. Предполагается следующий механизм для объяснения наблюдаемых изменений в п-band. 1. Взаимодействие графенов в balk HOPG осуществляется посредством p -электронов соседних

слоев. В результате имеют место переходы д^п-band с образованием стационарного состояния р1'п/пп у каждого слоя графенов, где п - часть р^-электронов перешедших в п-band. 2. После расщепления HOPG происходит изменение заселенности пп в 1-4 слоях графенов за счет обратных пп ^ р1'"^ переходов с образованием нового стационарного пш у каждого из 5 верхних слоев.

2. Ельцов КН (д.ф.-м.н., ИОФ РАН). Синтез монокристаллов графена большого размера.

Особенностью роста двумерных материалов — слоевых кристаллов с ван-дер-ваальсовой связью между слоями (например, одного атомного слоя графита -графена) на поверхности твердого тела - является то, что для них не обязательна эпитаксиальная (читай, сильная) связь с подложкой. Достаточным условием зачастую является гладкость подложки, а определяющим является кинетика реакции, при которой имеется преимущественный рост одного двумерного зародыша. Будут рассмотрены: 1. Эпитаксиальный рост на металлическом катализаторе. Системы с сильным взаимодействием графена с подложкой металла (№, Ru, Rh, Со, Ке). 2. Неэпитаксиальный рост на металлическом катализаторе. Системы со слабым взаимодействием графена с подложкой металла (Си, А^ Аи, Р^ 1г). 3. Неэпитаксиальный рост на поверхности полупроводника ^е).

2 НОМЕР | ТОМ 7 | 2015 | РЭНСИТ

CHRONICLE

GRAFENIKA [GRAPHENICS] RUSSIAN GUBIN'S SEMINAR (MOSCOW)

Elena Yu. Buslaeva

VNIIAImaz, http://www.vniialmaz.ru/, Ltd. AkKoLab, http://www.akkolab.ru 107996 Moscow, Russian Federation

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, http://www.igic.ras.ru

117991 Moscow, Russian Federation

eyubuslaeva@inbox.ru

Russian Seminar "GRAPHENE: MOLECULE AND CRYSTAL (material, physics, chemistry, electronics, photonics, biomedical applications)" under the direction of prof. SP Gubin operates from November 2011. Seminar sessions are held once a month, mainly in the boardroom VNIIAlmaz in Gilyarovskogo str., 65 (metro station "Rizhskaya"). The seminar is supported by LLC "AkKoLab" and the VNIIAlmaz. Programms of seminars are available at http://www. akkolab.ru. The seminar organizers see it as a discussion platform to discuss new ideas and concepts, review the results and the exchange of experience of researchers in the booming grafenika - an interdisciplinary field of modern science. Anticipated publication of an annual compendium of seminar materials, creating Programs of research in this area with possible access to financing. The seminar was attended by officials from various scientific institutions of Moscow - Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry RAS, Nesmeyanov Institute of Organoelement Compounds of RAS, Semenov Institute of Chemical Physics RAS, Kotel'nikov Institute of Radio Engineering and Electronics RAS, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow State University Department of Chemistry, Moscow Institute of Physics and Technology, National Research Nuclear University "MEPhI", People's Friendship University of Russia, LLC "AkKoLab", Open Joint Stock Company (JSC) "VNII ALMAZ", LLC "Karbonlayt", JSC NIIgrafit and others, as well as invited members of scientific institutions in Russia, Commonwealth of Independent States (CIS) and foreign countries. The audience for each session - about fifty participants. In the four- hour meeting with a break heard and discussed the 3-4 reports, news review and submitted poster presentations.

The journal RENSIT is published semi-annual reports of this seminar: list of reports indicating affiliated authors and submitted abstracts. PACS: 01.10 Fv

RENSIT, 2015, 7(2):210-211_DOI: 10.17725/rensit.2015.07.210

TWENTY-SECOND SEMINAR, 26.11.2015

1. Sheka E.F. (DSci Phys&Math, Prof., RUDN) Nonlinear spin waves in nanostructures based on functionalized graphene.

2. Pavlovsky OV (Lomonosov MSU, ITEP). Critical charge in gapped graphene: is it possible FAIR/NICA on the table top ?

TWENTY-THIRD SEMINAR, 24.12.2015 1. Dement'ev AP (Dr Sci Phys&Math, Kurchatov Institute). Interaction of graphene in 5 upper layers of pyrographite, an electron population of n-bands at each layer. N(E) CKVV Auger spectra (V = osopn) were used to measure the population of the n-electron bands in 5 upper layers of graphite sample freshly prepared by its cleavage. Depth profiling of states n-bands each with 1-5 layers of graphene was carried out by varying the angle of collecting the electrons in the range of 15°-90°. The population of electrons in the n-bands each with 1-5 layers was measured with respect to the electron density in op-zone, it changed ~ 0 at the upper layer to the value it had in the graphite layer 5. Interactions set different populations of n-bands each 1-5 graphene layers after cleaning. It is assumed the following mechanism to explain the observed changes in the n-band. 1. Interaction of graphene to balk HOPG performed by p -electrons

of neighboring layers. As a result, there are transitions p^ ^ n-band to produce a steady statep1-neach layer graphenes, where n - part of thep^-electrons passed into the n-band. 2. After splitting HOPG is a change in the population nn in 1-4 graphene layers by reverse nn ^ p1-n transitions with the formation of new stationary nm each of 5 of the upper layers.

2. El'tsov KN (Dr Sci Phys&Math, GPI RAS). Synthesis of graphene single crystals of large size.

Especially the growth of two-dimensional materials -salt crystals with van der Waals forces between the layers (eg, a single atomic layer of graphite - graphene) on a solid surface - is that it is not necessary for them epitaxial (ie, strong) bond with the substrate. The sufficient condition is often the smoothness of the substrate, and the determining factor is the kinetics of the reaction in which there is a preferential growth of two-dimensional embryo. Will be considered: 1. Epitaxial growth on a metal catalyst. Systems with strong interaction of graphene with the substrate metal (Ni, Ru, Rh, Co, Re). 2. Unepitaxial growth over a metal catalyst. Systems with weak interaction of graphene with the substrate metal (Cu, Ag, Au, Pt, Ir). 3. Unepitaxial growth on the surface of the semiconductor (Ge).

РЭНСMТ | 2015 | TOM 7 | HOMEP 2