CC BY
41
УДК 004.932.1
Царев А.Г., Наумова И.Ю., Таньков Г.В., Селиванов В.Ф., Кособоков А.С.
ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет», Пенза, Россия
ГОРИЗОНТАЛЬНО-ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СКРЫТЫХ ЗАКОНТУРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПЛОСКОЙ ВЕРШИНЫ НА ПРОТЯЖЁННОМ УБЫВАЮЩЕМ СКЛОНЕ РАСТРОВОЙ ПОВЕРХНОСТИ
Разработка методологии первичной обработки электронно-дифракционных поверхностей [1] привела к тому, что была сформулирована двухуровневая концепция анализа л-мерных матриц и кортежей, применение которой в различных областях представляется весьма перспективным. Прототипом технологии является принцип, положенный в основу устройства [2] . Развитие этого принципа, распространение его на анализ электронно-дифракционных распределений, предложено в [3-6] . В [7-11] методология обобщена и распространена для применения в информационно-измерительных системах. В [12-13] предпринята попытка применения технологии для векторизации электронно-дифракционных картин, а в [1417] — любых полутоновых изображений. Векторизация распределений регистрируемых параметров с применением двухуровневой концепции нашла успешное применение в системах обнаружения и прогнозирования латентных дефектов РЭС. Применение технологии в обучающих системах и в системах автоматизированного проектирования также является весьма плодотворным [18-29]. Предлагаемая технология также находит успешное применение в измерительных устройствах и системах [30-40] .
Проанализируем положение элемента Zj. (рис. 1)
Составим структурное описание элемента Zj в табличной форме (табл. 1).
Таблица 1
Структурное описание элемента Zj
c pi,j,c pi.j. c + 4 пара направлений
1 2 0 позитивная
2 2 1 позитивно-контурная
3 2 2 вершинная
4 1 2 позитивно-контурная
Как видим, данный элемент имеет две позитивно-контурные, одну позитивную и одну вершинную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
Проанализируем положение элемента ZK. (рис. 2)
Составим структурное описание элемента Zk в табличной форме (табл. 2) .
Таблица 2
Структурное описание элемента Zk
c Pi,j,c "PiO, c+4 пара направлений
1 2 0 позитивная
2 2 0 позитивная
3 2 1 позитивно-контурная
Как видим, данный элемент имеет одну позитивно-контурную, две позитивные и одну негативную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
Проанализируем положение элемента ZL. (рис. 3)
Составим структурное описание элемента ZL в табличной форме (табл. 3).
Таблица 3
Структурное описание элемента ZL
c Pi,j,c pi, j , C + 4 пара направлений
1 2 0 позитивная
2 2 0 позитивная
3 2 0 позитивная
4 1 1 негативная
Как видим, данный элемент имеет три позитивные и одну негативную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
Проанализируем положение элемента ZM. (рис. 4)
Составим структурное описание элемента Zm в табличной форме (табл. 4).
Таблица 4
Структурное описание элемента Zm
c Pi.I.c pi.j. c + 4 пара направлений
1 2 1 позитивно-контурная
2 2 0 позитивная
3 2 0 позитивная
4 1 1 негативная
Как видим, данный элемент имеет одну позитивно-контурную, две позитивные и одну негативную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
Проанализируем положение элемента ZN. (рис. 5)
Составим структурное описание элемента ZN в табличной форме (табл. 5) .
Таблица 5
Структурное описание элемента ZN
c Pi.I.c pi.i. С + 4 пара направлений
1 2 2 вершинная
2 2 1 позитивно-контурная
3 2 0 позитивная
4 2 1 позитивно-контурная
Как видим, данный элемент имеет две позитивно-контурные, одну позитивную и одну вершинную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
Проанализируем положение элемента Z0. (рис. б)
Составим структурное описание элемента Zo в табличной форме (табл. б).
Таблица б
Структурное описание элемента Zo
c Pi,i,c pi, i , C + 4 пара направлений
1 1 2 позитивно-контурная
2 1 1 негативная
3 2 0 позитивная
4 2 0 позитивная
Как видим, данный элемент имеет одну позитивно-контурную, две позитивные и одну негативную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
Проанализируем положение элемента Zp. (рис. 7)
Составим структурное описание элемента Zp в табличной форме (табл. 7) .
Таблица 7
Структурное описание элемента Zp
c pi.j.c pi.j. c + 4 пара направлений
1 0 2 позитивная
2 1 1 негативная
3 2 0 позитивная
4 2 0 позитивная
Как видим, данный элемент имеет три позитивные и одну негативную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
Проанализируем положение элемента ZR. (рис. 8)
Составим структурное описание элемента ZR в табличной форме (табл. 8).
Таблица 8
Структурное описание элемента ZR
c Pi,j,c pi, j , c + 4 пара направлений
1 0 2 позитивная
2 1 1 негативная
3 2 1 позитивно-контурная
4 2 0 позитивная
Как видим, данный элемент имеет одну позитивно-контурную, две позитивные и одну негативную пары направлений. Из всех этих классов наиболее высоким уровнем приоритета обладает позитивный => данный элемент определится как позитивный.
ЛИТЕРАТУРА
1. Григорьев А.В. Первичная обработка электронно-дифракционных поверхностей. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2006. Т. 1. С. 197-198.
2. А.с. 1837335 СССР, G06K9/00. Устройство для селекции изображений. / А.Л. Држевецкий, В.Н. Контишев, А.В. Григорьев, А.Г. Царёв. — № 4912250; заявл. 19.02.1991; опубл. 30.08.1993.
3. Григорьев А.В., Граб И.Д., Тюрина Л.А. Приоритет склона электронно-дифракционного рефлекса. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2007. Т. 1. С. 106-107.
4. Григорьев А.В., Граб И.Д., Паксяев Н.А., Трусов В.А., Баннов В.Я. Оконтуривание склона
электронно-дифракционного рефлекса. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество».
2008. Т. 1. С. 332-334.
5. Григорьев А.В., Држевецкий А.Л., Граб И.Д., Баннов В.Я. Нижний контур склона электроннодифракционного рефлекса. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2009. Т. 2. С. 127-128.
6. Григорьев А.В., Држевецкий А.Л., Граб И.Д. Уровни предпочтений в системе распознавания электронно-дифракционных картин. // Надежность и качество: Труды международного симпозиума. Том 1, С. 396-399 — Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2010.
7. Григорьев А.В., Волощенко А.А. Структурно-разностные профильные классы пикселей по двум направлениям. // Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий. 2012. № 1. С. 159-162.
8. Григорьев А.В., Рачковская М.К. Критерий обнаружения вершинных сегментов растровых поверхностей. // Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий. 2012. № 1. С. 162-
165 .
9. Григорьев А. В. Информационно-измерительная система для контроля микроструктуры и фазового состава тонкопленочных материалов // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук / Пенза, 1999.
10. Кочегаров И.И. Межсистемные взаимодействия в сложных информационных структурах создания РЭС // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук / Пенза, 2004
11. Затылкин А.В. Система управления проектными исследованиями радиотехнических устройств // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук / М.: 2012
12. Григорьев А.В., Држевецкий А.Л., Юрков Н.К. Метод распознавания электронно-дифракционных рефлексов. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 1999. С. 353-354.
13. Григорьев А.В. Распознавание вершин рефлексов электронно-дифракционных профилей. // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2005. Т. 1. С. 122-123.
14. Григорьев А.В., Кузнецов С.В., Юрков Н.К. Обнаружение точечных изображений с положительным контрастом. // Современные наукоемкие технологии. 2013. № 8-2. С. 189-190.
15. Григорьев А.В., Држевецкий А.Л. Критерий обнаружения объектных фрагментов штрихового изображения в полутоновом. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2011. Т. 2. С. 310-312.
16. Григорьев А.В., Држевецкий А.Л. Уточнение характеристических признаков и логического функционала структурно-разностной сегментации полутонового изображения. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2011. Т. 2. С. 312-315.
17. Патент 2032218 РФ, МПК G06K9/00. Устройство для селекции изображений объектов/Држевецкий
А.Л., Григорьев А.В., Царев А.Г., Контишев В.Н. -№ 4891118/24; заявл. 17.12.1990; опубл.
27.03.1995.
18. Григорьев А.В., Данилова Е.А., Држевецкий А.Л. Классификация дефектов бортовой РЭА. Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 1. С. 328-331.
19. Григорьев А.В., Држевецкий А.Л., Юрков Н.К. Способ обнаружения и идентификации латентных технологических дефектов печатных плат. // Труды международного симпозиума «Надежность и качест-
во». 2013. Т. 1. С. 115-122.
20. Кочегаров И.И., Ханин И.В., Григорьев А.В., Юрков Н.К. Алгоритм выявления латентных технологических дефектов фотошаблонов и печатных плат методом оптического допускового контроля. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2013. Т. 2. С. 54-57.
21. Юрков Н.К., Алмаметов В.Б., Затылкин А.В., Григорьев А.В., Кочегаров И.И. Методы обнаружения и локализации латентных технологических дефектов бортовой радиоэлектронной аппаратуры: Монография, Пенза: Изд-во ПГУ, 2013. - 184 с.
22. Држевецкий А.Л., Григорьев А.В. Автоматизированная система оптического допускового контроля печатных плат и фотошаблонов. // Метрология, 1995, вып. 4, C. 11-18.
23. Григорьев А.В., Баннов В.Я. Изучение автокорреляционной функции видеоимпульса. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2008. Т. 1. С. 386-387.
24. Григорьев А.В., Држевецкий А.Л., Граб И.Д., Баннов В.Я. Учебная разработка функциональной схемы согласованного фильтра видеоимпульса. // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2009. Т. 2. С. 128-130.
25. Граб И.Д., Затылкин А.В., Горячев Н.В., Алмаметов В.Б., Юрков Н.К., Баннов В.Я., Кочегаров И. И. Лабораторный комплекс в архитектуре ИКОС как основа формирования умений // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2008. Т. 1. С. 213-215.
26. Кочегаров И.И., Трусов В.А. Развитие систем изучения микроконтроллеров и ПЛИС // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2008. Т. 2. С. 166-167
27. Гришко А.К., Трусов В.А., Кочегаров И.И. Проблемы эффективного автоматизированного проектирования управляемых технических систем // Труды международного симпозиума Надежность и качест-
во. 2010. Т. 1. С. 285.
28. Кочегаров И.И., Стюхин В.В. Алгоритм прямого перебора с применением теории графов для прогнозирования отказов сложных РЭС // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2012. Т. 2. С. 130-131
29. Кочегаров И.И., Таньков Г.В. Программный пакет моделирования механических параметров печатных плат // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2011. Т. 2. С. 334-337
30. Yurkov N.K. Information features of multi-extremal functions for describing the functioning indicators of the components of information measurement systems / N.K. Yurkov, A. V. Blinov, A. T. Erokhin // Measurement Techniques. N.Y., Springer, Vol. 43, No. 8, August 2000. P.
660-664
31. Yurkov N.K. Analysis of measurement information on steady-state vibrations / N.K. Yurkov, I. M. Belogurskii, A. N. Andreev, A. V. Blinov // Measurement Techniques. N.Y., Springer, Vol.
43, No. 8, August 2000. P. 665-666
32. Yurkov N.K. Boolean matrices in problems on determining the state of discrete components in computerized measurement systems / N.K. Yurkov, A. V. Gorish, N. N. Novikov, L. A. Kladenok, A. V. Blinov // Measurement Techniques. N.Y., Springer, Vol. 43, No. 6, June 2000. P. 481-485
33. Yurkov N.K. Diagnosis of restorable components of special-purpose on-board data-acquisition systems / N.K. Yurkov, A. V. Blinov, D. S. Maksud // Measurement Techniques. N.Y., Springer, Vol. 43, No. 7, July 2000. P. 578-580
34. Yurkov N.K. Acceptance Checking Methods for UHF Electronic Components / N.K. Yurkov, A. V. Blinov, A. G. Kanakov, V. A. Trusov // Measurement Techniques. N.Y., Springer, Vol. 43, No. 10, October 2000. P. 895-901
35. Yurkov N.K. Diagnostics of Integrated Operational Amplifiers Mounted on Circuit Boards / N.K. Yurkov, B. V. Tsypin // Measurement Techniques. N.Y., Springer, Vol. 45, No. 2, February 2002. P. 210-213
36. Yurkov N.K. A finite-element model of the thermal influences on a microstrip antenna / N.K. Yurkov, E.Yu. Maksimov, A.N. Yakimov // Measurement Techniques. N.Y., Springer, Vol. 54, No. 2, May, 2011. P. 207-212
37. Таньков Г.В., Трусов В.А., Затылкин А.В. Исследование моделей стержневых конструкций радиоэлектронных средств // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2005. Т. 1. С. 156-158
38. Затылкин А.В., Кочегаров И.И., Юрков Н.К. Алгоритм проведения проектных исследований радиотехнических устройств опытно-теоретическим методом // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2011. С. 363
39. Алмаметов В.Б., Авдеев А.В., Затылкин А.В., Таньков Г.В., Юрков Н.К., Баннов В.Я. Моделирование нестационарных тепловых полей электрорадиоэлементов // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2010. Т. 2. С. 446-449
40. Таньков Г.В., Затылкин А.В. Моделирование тепловых процессов в стержневых конструкциях РЭС // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2007. Т. 1. С. 257-258
