CC BY
8
подобны уравнениям транзисторного усилителя [1], в которых у-параметры замены {/„-параметрами диодов и транзисторов в режиме преобразования частоты У1]п •= Уи„ч = Рь/Ьц — входная и выходная проводимость, а у2Ы = О.б/ю'ц, и £/12п = 0,5^'ис, у|2П7 =0,5Л5"иг/Л2)— проводимость прямой и обратной передачи — крутизна прямого и обратного преобразования частоты. В диодных ПрЧ (р = А: = 1) уп-па-раметры: уш = уш = 5; у]2п = у2{п = 0,55'ыг = в0.
В транзисторных ПрЧ /с.Вх = (/г«с1, р= 1) при рекомендуемых режимах и не очень высоких частотах параметры: Уип — = ¿К = й|1пт = 0,5 ... уУ2т = 0,5Ь'1/г/Л41 да §12П1 = 0,4 ...
0,8£1г -> 0; у21|) = 0,5з'иг да §21пт = 0,4 ... 0,8йг1 = 5п; </22пт = А*-= &22пп = 0,5 ... 0,8£га, где £г2 и £Ипт, ¿22т - активные составляющие входной, выходной проводимости транзистора и транзистора в режиме преобразования частоты, а £12 и g2^nт, §12пт — то же для проводимости прямой и обратной передачи: 5П — крутизна преобразования. •
Но формулам теории четырехполюсников можно непосредственно получить известные расчетные соотношения для коэффициента передачи, входной и выходной проводимости ПрЧ (21, пользуясь (/п-па-раметрами (5), (7).
1. Мамонкин И. Г. Усилительные устройства. М.: Связь, 1977. 359 с. 2. Радиоприемные устройства / Под ред. В. И. Сифорова. М.: Сов. радио, 1974. 560 с.
Поступила в редколлегию 14.09.82
УДК 621.3.0128.
В С ВУНТЕСМЕРИ, Г. П КРАСИЛИЧ, кандидаты техн. наук ГЕЛИКОНОВЫЕ ВОЛНЫ В ТРЕХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ
В работе 12] рассматривалось прохождение электромагнитной волны через нормально намагниченный слой полупроводника, в котором возбуждались геликоновые волны, поляризованные по кругу в противоположных направлениях (±).
При одностороннем возбуждении геликоновых волн в трехслойной структуре (рис. 1), представляющей собой два бесконечных плоскопараллельных слоя полупроводника 2, 4, разделенных слоем диэлектрика 3, плоской электромагнитной волной, распространяющейся вдоль оси г±В0 (В0 — индукция внешнего постоянного магнитного поля), коэффициент передачи Т определяется из решения системы уравнений, определяющих, поля геликоновых волн в такой структуре. Поля падающих и отраженных волн на границах раздела сред имеют вид
1Ьп1е-1*л + йУ*'2' = Ьа*Г1к*'+ Ь&к*2', 2 = 21 = ° I- = Г'*'2' - Ь°Л е"л;
г — г,
г «= г.
Ь"е~1к,г* - Йе'*л = Ьз 41 е_,*А - Й £ е"гл;
/?, К з
а" 4
Г«<Г'*А + Ь°е'*л = Ь"е~*к'г' + Ь4е""г\
2 = 241 - ¿У*'2' - - ^ 41 е'*л,
где ^ = = й5 = 6 — постоянная распроетранения в свободном пространстве; к2 = ^ — к ± — постоянная распространения геликоно-
РИС. I
7 8 9 Рис. %
вых волн в полупроводнике. Из работы [1] для елабозатухающей геликоновой волны (+)
к+
—+ иГ-г (УТ+* - иГ[, (2)
для сильно затухающей геликоновой волны
- [27ТяЬГ]!/2[(УГ+^- ' Л ' <3>
Здесь со — круговая частота; р — удельное сопротивление полупроводника;.и = vB0 (и — подвижность носителей); ц0 = 4п*10-7 (А/м).
При одностороннем возбужении электромагнитной волной единичной амплитуды: Ь" = 1, Ь°5 = 0. При этом Ь° представляет собой комплексный коэффициент отражения, комплексный коэффициент передачи.
На рис. 2 представлена зависимость амплитуды и фазы коэффициента передачи Т+, рассчитанных из системы уравнений (1) для случая d.¡ = d,t = 0,0018 м, d3 = Ю-4, р2 4 == 5,5 Ом-м. Как видно из рис. 2, электромагнитная связь между полупроводниковыми пластинками, разделенными слоем диэлектрика гораздо меньшей толщины чем сами пластинки оказывается незначительной.
1. Бокринская А. А., Красилич Г. П. Характеристика взаимодействия ортогональных катушек индуктивности, связанных ограниченной плазмой твердого тела. Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника, 1975, N° 9, с. 102—105. 2. Красилич Г. П. Ге-ликоновые волны в слое.— Вестн.. Киев, политехи, ин-та. Радиотехника, 1975, № 12, £. 27—29.
Поступила в редколлегию 02.09.82
УДК 621.3 049 73 75
Л. П. ДЮЖАЕВ. канд. техн. наук
ВЫЧИСЛЕНИЕ ЦЕЛЕВОЙ ФУНКЦИИ ПРИ РЕШЕНИИ ЗАДАЧИ РАЗМЕЩЕНИЯ
В качестве целевой функции в программах размещения модулей широко используется критерий минимальной суммарной длины соединений [1]. При ее вычислении чаще всего используются два подхода; один из них предполагает для каждого комплекса вычисление длины кратчайшей связывающей сети, построенной на его вершинах, а второй при расчете длины соединений внутри каждого комплекса представить их полной сетью (ПС).
Безусловно, второй подход представляет упрощенную модель соединений, так как реально существующие монтажные соединенил представляют собой деревья [1]. Однако он используется очень широко, что связано с тем, что вычисление КСС достаточно трудоемко. В частности, для построения КСС методом Прима [11 для комплекса с
размером k требуется ~ ^ (k3 -f k) операиий. Для расчета длины ПС
на графе с k вершинам» требуется — операций. Следовательно,
выигрыш при использовании критерия (21 составит G= (Л1+1)/ / (k — 1). В то же время его применение приводит в ряде случаев к искаженной оценке качества размещения, вызванной тем, что для расчета длины соединений использовалась полная сеть для каждого комплекса 121.
Представляется интересным подход к вычислению суммарной длины соединений F, состоящий в использовании следующего уравнения с введением вспомогательного коэффициента wit компенсирующего неадекватность представления соединений полной сетью
п
F(Pq<- • (1)
í=i
где liq —длина полной сети, построенной на вершинах ¿-го комплекса на Q-м разме щении.
Часто используется вначение т1,, определяемое как отношение
