CC BY
32
УДК 621.793.18 DOI 10.23683/2311-3103-2019-6-25-34
С.П. Малюков, С.С. Зиновьев, А.В. Саенко, Ю.В. Клунникова, Д.В. Тимощенко
ФОРМИРОВАНИЕ ПОКРЫТИЯ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СПЛАВА CO-CR ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ЖЕСТКИХ МАГНИТНЫХ ДИСКОВ
Статья посвящена проблеме повышения объёма памяти жестких магнитных дисков (ЖМД). Ведущее место в ряду внешних запоминающих устройств ЭВМ занимают накопители на жестких магнитных дисках, т. к. объем хранения информации в них непрерывно растет. Проанализированы методы записи информации для ЖМД. Носителем информации в накопителях на жестких магнитных дисках является тонкая магнитная пленка. Рассматриваются основные принципы выбора композиции ферромагнитной пленки, исходя из технических требований к жесткому магнитному диску, его геометрических и функциональных особенностей. Приведены сравнительные характеристики различных методов получения тонких пленок. В настоящее время интенсивно развивается метод магнетронного распыления, обеспечивающий контролируемое распыление тонких слоев с требуемыми параметрами. Уменьшение толщины тонкой пленки приводит к ухудшению удельного электрического сопротивления, т.е. к невоспроизводимости требуемых характеристик и параметров. Рассмотрены достоинства метода магнетронного распыления. При технологическом проектировании процессов магнетронного распыления определяющим фактором является выбор материалов покрытий, обеспечивающих рабочие характеристики жестких магнитных дисков. Проведены исследования возможности использования ферромагнитных пленок Co-Cr для жестких магнитных дисков. Установлены зависимости влияния материала подложки на магнитные свойства ферромагнитных пленок, влияние скорости напыления пленок Co методом магнетронного напыления на коэрцитивную силу ферромагнитных пленок, влияние температуры подложки на свойства пленок Co-Cr. Представлены основные параметры процесса нанесения покрытий методом магнетронного напыления для разных ферромагнитных материалов. Показано, что образцы на основе тонких магнитных пленок Co-Cr отвечают современным требованиям, в части повышения плотности записи жестких магнитных дисков, так как в них могут быть достигнуты большие величины коэрцитивной силы и значения относительной остаточной намагниченности.
Запоминающее устройство; жесткие магнитные диски; метод перпендикулярной записи информации; ферромагнитные пленки; магнетронная напылительная система; исследование пленок Co-Cr.
S.P. Malyukov, S.S. Zinoviev, A.V. Sayenko, Yu.V. Klunnikova, D.V. Timoshenko
COATING FORMATION BASED ON CO-CR ALLOY BY MAGNETRON SPUTTERING FOR HARD MAGNETIC DISKS
We consider the problem of increasing the volume of hard magnetic disks (HDD) memory. The key place in the series of external computer storage devices is occupied by hard disk, because the volume of information storage in them is constantly growing. We analyze the methods of information recording for HDD. Thin magnetic film is the storage medium in hard disks. Thin-film technology is mainly used for thin films formation. We consider the main principles of choosing the ferromagnetic film composition based on the technical requirements for a hard magnetic disk, its geometric and functional features. The comparative characteristics of various methods for thin films producing are given. Nowadays the method of magnetron sputtering is intensively developed, providing controlled sputtering of thin layers with the required parameters. When the target of the magnetron sputtering device is used repeatedly, an erosion zone is formed in it, which directly affects the sputtering rate of the material (film thickness). The thin film thickness decrease leads to a deterioration in the electrical resistivity, i.e. to the irreproducibility of the required characteristics and parameters. We consider the advantages of the magnetron sputtering method. The choice of coating materials that ensure the performance of hard magnetic disks is the main factor for the technological design of magnetron sputtering processes. We analyze the possibility of using Co-Cr pheromagnetic films for hard mag-
netic disks. The dependences of the influence of the substrate material on the magnetic properties of ferromagnetic films, the effect of the deposition rate of Co films by magnetron sputtering on the coercive force offerromagnetic films, and the effect of the temperature of the substrate on the properties of Co-Cr films are defined. We present the main parameters of the coating process by magnetron sputtering for various ferromagnetic materials. The samples based on Co-Cr thin magnetic films meet modern requirements in terms of increasing the recording density of hard magnetic disks. The large coercive forces and values of relative remanent magnetization can be achieved in them.
Storage device; hard magnetic disks; perpendicular method of recording information; ferromagnetic films; magnetron sputtering system; Co-Cr film research.
Введение. Этапом в развитии вычислительной техники повсеместно является широкое распространение сложных вычислительных систем, а так же персональных компьютеров и многочисленных портативных ноутбуков и планшетов, что ставит актуальным проблему разработки запоминающих устройств (ЗУ) с высокой плотностью записи информации. Среди запоминающих устройств жесткие магнитные диски (ЖМД) являются основным накопителем данных в большинстве компьютеров и вычислительных систем. В них информация записывается на жёсткие (алюминиевые или стеклянные) пластины, покрытые слоем ферромагнитного материала. В настоящее время ЖМД получили широкое распространение как недорогие и высокоёмкие устройства хранения информации, как в потребительском сегменте, так и в корпоративном [1, 2].
Увеличение объёма памяти ЖДМ в первую очередь связано с выбором композиции ферромагнитного материала, являющегося носителем информации, а также с выбором метода магнитной записи. Существуют различные методы записи информации [3]:
♦ черепичная магнитная запись (SMR);
♦ термомагнитная запись (HAMR);
♦ микроволновая магнитная запись (MAMR);
♦ перпендикулярная запись (PMR).
Наиболее оптимальный - метод перпендикулярной записи (PMR) [3]. Метод перпендикулярной записи - технология, при которой биты информации сохраняются в вертикальных доменах (рис. 1). Это позволяет использовать более сильные магнитные поля и снизить площадь материала, необходимую для записи 1 бита. Плотность записи при PMR резко возросла по сравнению с традиционными методами магнитной записи составляет более 1 Тбит/дюйм2.
Рис. 1. Схематическое изображение метода перпендикулярной записи информации: 1 - считывающий элемент; 2 - обмотка; 3 - записывающий элемент; 4 - частицы;
5 - записывающий слой; 6 - магнитной поле; 7 - мягкий подслой
Емкость современных ЖМД с использованием технологии перпендикулярной записи достигает 10-14 терабайт.
Структуры магнитных дисков на базе тонких ферромагнитных пленок обладают изменяющимися в широком диапазоне магнитными свойствами, что создает предпосылки получения на их основе покрытий, используемых в качестве носителя информации при создании ЖМД с повышенной плотностью записи информации (до 14 те-
рабайт.). Широкий диапазон изменения магнитных параметров обусловлен как возможностью варьирования состава двойных и тройных сплавов ферромагнитных пленок, так и особенностями микроструктуры пленок. Успех применения тонких ферромагнитных плёнок в новейших областях техники обусловлен, в частности, тем, что их свойства, могут весьма существенно отличаться от свойств массивных веществ такого же состава. Некоторые физические характеристики, такие как коэрцитивная сила и скорость перемагничивания, могут претерпевать изменения часто на один-два и даже несколько порядков. Эти особенности тонких плёнок вызывают широкий и необычный научный и практический интерес [4-7].
При разработке ЖМД с повышенной плотностью записи все большее внимание уделяется высокоэнергетическим покрытиям на основе чистых металлов группы железа, в частности кобальта, и более сложных систем (Со-&, Со-№, Со-№-Р и др.) [8].
Существует большое многообразие методов получения тонких пленок, сравнительные характеристики которых представлены в табл. 1 [4].
Таблица 1
Сравнительная таблица методов получения тонких ферромагнитных ленок
Таблица 1. Методы нанесения тонкопленочных покрытий
Наименование метода Условия реализации метода Основные виды покрытий Преимущества метода Недостатки метода
Вакуумная конденсация Рабочая среда: вакуум 10-2...10-3 Па. Испарение металлов резистив-ным нагреванием Металлические покрытия: А1, Ag, Си, Zn, Cd, Сг, N1, Со, Si Высокая скорость осаждения. Возможность получения толстых покрытий Недостаточно плотная структура покрытий. Невысокие механические свойства
Лазерное испарение (абляция) Рабочая среда: вакуум 10-5...10- 3 Па. Испарение материалов различного состава лазерным импульсом длительностью от мкс до фс. Покрытия для микроэлектроники: Sb2S3, As2Sз, SгTiOз, БаТЮз, ОаАз Алмазоподобные покрытия (DLC) с высокими характеристиками Получение покрытий сложных соединений Высокая чистота покрытий (минимум примесей) Сложность реализации
Магнетронное распыление Рабочая среда: чистые газы Аг, N2, О2, СИ4; Р = 0,05- 1 Па, Т = 60...6000°С Ионное распыление металлов в магнетронном разряд Полный спектр металлических покрытий: А1, А& Аи,Си, Zn, Sn, Cd Т1, Zr, ИГ, Сг, Та, N1, Со, Si, МСгА1У (M=Ni, Со) и др. Керамические покрытия: ZгN, CгN, ТЮ, TiCN, ZгОN, TiA1N, A1CгN, TiBN СГА1Т1УЫ, ТЮ2, ZгO2, А12О3, SiO2. Нанокомпозиты: 3Э: TiA1N/SiзN4, TiN/БN, A1CгN/SiзN4, ZrN/Cu, ZгO2/Al2Oз. 2Э: TiN/NbN, TiN/CгN, TiN/A1N, CгN/A1N, TiN/CN. Покрытия DLC Плотная микро- (нано-) кристаллическая структура металлических и керамических покрытий при полном отсутствии капельной фазы Возможность нанесения покрытий на термочувствительные материалы при низких температурах Наиболее широкий спектр покрытий различного назначения; высокая скорость осаждения; высокие свойства металлических и керамических покрытий Относительная сложность технической реализации метода при получении реактивных (керамических) покрытий. Относительно высокая стоимость оборудования
Методом вакуумной конденсации при испарении компонентов из разных источников получены пленки сплавов Co-Cr. В пленках сплавов Co-Cr могут быть достигнуты величины коэрцитивной силы до 900 Э [9]. Преимущественно магнитные пленки на основе кобальта изготавливаются с добавлением хрома или некоторых других немагнитных материалов. Пленки, полученные таким методом, имеют высокое значение индукций насыщения, что позволяет сохранить приемлемую величину сигнала при уменьшении толщины до 0,05-0,1 мкм, но информационную плотность имеет не очень высокую.
Перспективным методом получения нанокомпозитных и наноструктурных тонкопленочных материалов является метод с использованием магнетронной распылительной системы (МРС) [10-12].
Объект нашего исследования является разработка покрытия методом магне-тронного распыления на основе сплава Co-Cr при изготовлении жестких магнитных дисков, так как они позволяют максимально увеличить плотность записи информации.
Характерной особенностью метода магнетронного распыления является использование специальной магнитной системы, которая создает над распыляемой мишенью замкнутое по контуру туннелеобразное магнитное поле. Благодаря этому полю создаются условия для получения локализованной плазмы высокой плотности и, соответственно, высокой плотности ионных токов, распыляемых мишенью. В результате достигается высокая производительность распыления материалов. Конструктивные принципы построения магнетронных устройств позволяют достаточно просто реализовать задачу нанесения однородных покрытий на широкоформатные поверхности [13-16].
Метод магнетронного распыления позволяет получать тонкие (от единиц нанометров до десяти микрон) пленки высокого качества с рекордными физическими характеристиками (толщина, пористость, адгезия и пр.), а также позволяет проводить послойный синтез новых структур, создавая пленку буквально на уровне атомных плоскостей [17, 18].
Адгезия ферромагнитных слоев с подложкой у пленок, полученных магне-тронным способом, существенно выше, чем у таких же пленок, полученных методом вакуумной конденсации см. табл. 1, при сравнимых скоростях напыления. Это связано с более высокой энергией конденсирующихся частиц при магне-тронном распылении и дополнительной активацией поверхности действием плазмы [10, 19].
По сравнению с другими методами, согласно табл. 1, осаждения тонких пленок, метод магнетронного распыления имеет ряд преимуществ:
♦ низкие температуры подложки (вплоть до комнатной температуры);
♦ высокая адгезия пленки к подложке, высокие скорости осаждения (до 12 мкм/мин);
♦ однородность по толщине и высокая плотность покрытий;
♦ возможность распыления сплавов и материалов сложного состава с различным давлением насыщенных паров;
♦ возможность нанесения покрытий на большие площади (до 3х6 м2).
В нашей работе использовалась настольная магнетронная вакуумная установка VSE-PVD-DESK-PRO для изготовления тонкопленочной многослойной магнитной конструкции на основе пленок Co-Cr, что в результате дает возможность получить опытный образец ЖМД с повышенной плотностью записи информации. К 2020 году должны появиться структурные носители информации плотность записи, которых достигнет 50 Тбайт в 3,5 дюймовых жестких дисках или 12 Тбайт в 2,5 дюймовых накопителях для ноутбуков.
Рис. 2. Настольная вакуумная установка VSE-PVD-DESK-PRO: 1 - вакуумная камера; 2 - датчик давления; вакуумный пост; 4 - источник питания
Основные характеристики установки VSE-PVD-DESK-PRO: скорость осаждения зависит от типа напыляемого материала может достигать 7,5 А/сек; однородность наносимых покрытий - ±10 %; широкий диапазон плавного регулирования выходной средней мощности - от 0,1 до 3 кВт; точность позиционирования подложки до 0,5 мм; одновременная загрузка 4-х подложек d = 90 мм или 6-ти подложек d = 70 мм; варьируемая толщина покрытий - от десятков нанометров до нескольких микрон; регулировка высоты расположения мишени относительно магнетрона.
Полностью безмасляная откачка установки обеспечивает высокую чистоту осаждаемых покрытий, прозрачное окно на передней части камеры позволяет визуально контролировать процесс осаждения покрытий, диаметр нераспыляемой центральной части магнетрона минимизирован, простота использования сочетается с высоким качеством получаемых покрытий, высокая повторяемость результатов позволяет получать серии образцов с заданными свойствами.
В наших работах ранее были рассмотрены варианты конструкций жесткого магнитного диска на основе тонких многослойных пленок [20]. Для исследований выбраны варианты структуры магнитного диска, состоящего из подложки Al-Mg1541/133 - подслоя Сг - слоя магнитного материала СоСг - слоя слабомагнитного материала Сг - защитного слоя - Т1М, (рис. 3, табл. 2).
1
Рис. 3. Вариант структуры жесткого магнитного диска: 1 - защитный слой; 2 - слой магнитного материала; 3 - слой слабомагнитного материала; 4 - слой магнитного материала; 5 - подслой; 6 - подложка.
Таблица 2
Структура и составы экспериментальных образцов ЖМД
№ Образец Подложка Подслой Слой магнитного материала Слой слабомагнитного материала Слой магнитного материала Защитный слой
1 Состав сплав Cr Со77Сг23 Сг Со77Сг23 ™
образца A1- толщина толщина Толщина толщина толщина
на основе Mg1541 500 нм 15-40 нм 40 нм 15-40 нм 100 нм
сплава диаметр
Со77Сг23 133 мм
2 Состав образца на основе сплава Со80Сг20 сплав A1- Mg1541 диаметр 133 мм Cr толщина 500 нм Со80Сг20 толщина 15-40 нм Сг Толщина 40 нм Со80Сг20 толщина 15-40 нм ™ толщина 100 нм
Для напыления ферромагнитных пленок на основе состава Со-Сг использовались следующие режимы магнетронной установки У8Е-РУВ-БЕ8К-РКО:
♦ рабочая мощность установки - 100-400 Вт;
♦ рабочий газ - аргон;
♦ давление в камере - 1-3*10-3 мбар;
♦ время распыления - 5-10 мин;
♦ полученные толщины пленок - 100-400 нм.
В работе исследовалось влияние температуры подложки на свойства пленок состава Со-Сг, влияние скорости напыления пленки Со-Сг на коэрцитивную силу Нс, влияние материала подложки на магнитные свойства полученных пленок.
В таблице 3 представлены результаты влияния температуры подложки на коэрцитивную силу (Нс) пленок сплава Со77 Сг23. Необходимо отметить, что температура подложки является одним из важнейших технологических параметров, влияющих на магнитные свойства тонких пленок. Температура подложки является критическим параметром на всех стадиях формирования пленки, начиная от образования зародышей. Кроме того, измерение температуры поверхности подложки в процессе напыления является сложной экспериментальной задачей. В нашем случае при использовании магнетронной установки У8Е-РУО-БЕ8К-РКО наблюдался значительный разогрев подложки до температуры 150°С не только за счет бомбардировки поверхности подложки атомами, распыляемыми материала, ионами аргона и вторичными электронами, но и за счет излучения от разогретой мишени.
Разогрев мишени до температуры 300-400 °С вызван особенностями физического процесса распыления ферромагнитного материала на магнетроне данной конструкции. Для нас представляла интерес максимальная температура дополнительного разогрева подложки, которая не приводила бы к ухудшению магнитных свойств (в частности к уменьшению Нс).
Таблица 3
Влияние температуры подложки на свойства пленок состава ^77 ^23.
№ Температура Толщина Скорость Коэрцитивная Остаточная
серии подложки слоя нанесения сила магнитная
°C d, Ä v, Ä/мин Hc, Э индукция BR, Гс
1 50 600 120 130 2186
2 125 590 119 140 2187
3 200 820 180 100 2180
Как видно из табл. 3, увеличение температуры подложки свыше 125 °С приводит к заметному уменьшению Не. В дальнейшем напыление проводилось без дополнительного разогрева подложек.
В табл. 4 представлены результаты исследования влияния материала подложки на магнитные свойства полученных пленок. В качестве материала для подложки выбраны: сплав Al-Mg 1541; боросиликатное стекло и ситалл. Пленки формируются при мощности работы магнетрона 200W и давлении в камере 3*10-3 миллибара. Как видно из таблицы 4 материал подложки не оказывает существенного влияния на коэрцитивную силу полученных ферромагнитных пленок.
Таблица 4
Влияние материала подложки на магнитные свойства полученных пленок
№ Материал Материал Толщина Коэрцитивная Остаточная
серии подложки магнитного слоя сила магнитная
носителя 4 А Не, Э индукция Вя, Гс
1 Al-Mg 1541 Co 300 50 17430
2 250 40 17567
3 C077Cr23 600 130 2178
4 550 140 2186
5 Стекло 650 140 2189
6 300 140 2170
7 Ситалл Co Cr 200 60 17884
8 100 50 17880
9 280 55 17788
10 200 70 17882
11 300 50 17886
В табл. 5 представлена зависимость влияния скорости напыления пленок Со-Сг на коэрцитивную силу. Как видно, при малых скоростях напыления Нс выше, что объясняется формированием при малых скоростях напыления мелкодисперсной структуры с преобладанием гексонально плотноупакованной решетки Со-Сг.
Таблица 5
Влияние скорости напыления пленки ^-Сг на коэрцитивную силу Нс
№ серии Скорость напыления v, А/мин Коэрцитивная сила Hc, Э
1 25 210
2 27 200
3 30 190
4 67 180
5 266 150
6 500 70
В результате проведенных экспериментов опытный образец ЖМД на основе ферромагнитной пленки Со-Сг, полученный методом магнетронного распыления имели следующие характеристики:
♦ подложка (основа магнитного диска) - сплав А1 - Мg 1541;
♦ диаметр подложки - 0 = 133 мм;
♦ толщина подслоя Со - 500 А;
♦ толщина магнитного слоя Со-Сг - 1000-1500,0р А;
♦ толщина защитного слоя из нитрида титана - 1000 À;
♦ коэрцитивная сила Нс от 200 до 450 Эрстед;
♦ намагниченность насыщения - Is от 500 до 1700 Гс. с увеличением Нс коэффициент прямоугольности пленок уменьшался. Ёмкость опытного образца достигает до 12 Тбайт в 2,5 дюймовых накопителях информации.
Заключение. Показана эффективность и новизна использования ферромагнитных пленок Со-Cr для изготовления ЖМД с высокоплотной записью информации. Это дает возможность повысить плотность записи информации в пределах 10 %. В настоящей работе приведено основание возможности определения фоновых режимов магнетронного распыления для получения тонких ферромагнитных пленок. Анализ полученных результатов исследований показывает, что метод маг-нетронного распыления применим для получения тонких ферромагнитных пленок на основе Со-Сг. В результате работы выработаны практические рекомендации по составу и режимам методом магнетронного напыления. Полученные результаты позволяют создавать жесткие магнитные диски с высокоплотной записью информации благодаря применению ферромагнитных пленок Со-Cr.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Лобанов Б.С., Пикуль А.И., Хлопов Б.В. Методы повышения эффективности защиты информации, хранящейся в накопителях на жестких магнитных дисках // T-Comm - Телекоммуникации и Транспорт. - 2009. - № 4. - С. 8-13.
2. Гитлиц М.В. Магнитная запись сигналов. - М.: Радио и связь, 1990. - 225 с.
3. Карпенков С.Х. Магнитные носители информации. - М.: Радио и связь, 1993. - 504 с.
4. Панфилов Ю.В. Нанесение тонких пленок в вакууме // Технологии в электронной промышленности. - 2007. - № 3. - 72 с.
5. Берлин Е.В., Сейдман Л.А. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии.
- М.: Техносфера, 2010. - 528 с.
6. Адасько В.И., Каган Б.М. Пац В.Б. Основы проектирования запоминающих устройств большой емкости. - М.: Энергоиздат, 1984.
7. Палиенко А.Н., Епремян В.Б., Толмачев В.А., Кашуба П.И. Изготовление жестких магнитных дисков магнетронным распылением // Электронная промышленность. - 1987.
- 2Т(33).
8. СтародубцевЮ.Н. Магнитомягкие материалы. - М.: Техносфера, 2011. - 659 с.
9. Малюков С.П. Силенок А.Б. Физико-технологические аспекты повышения надежности изготовления магнитных пленок // Тр. международного симпозиума «Надежность и качество». - 2013. - Т. 2. - С. 191-193.
10. Уткин К.Э. Управляемый синтез тонких пленок, полученных методом магнетронного распыления // Управление. Контроль. - 2018. - № 2 (24). - C. 41-46.
11. Достанко А.П. Расчет элементного состава тонкопленочных слоев при магнетронном распылении мозаичных мишеней // Электронная обработка материалов. - 2012. - № 1 (48). - С. 63-72.
12. Сагателян Г.Р. Анализ распределения толщины тонкопленочного покрытия при магне-тронном напылении на установках с планетарным перемещением подложки // Наука и образование. - 2014. - С. 458-481.
13. Юрьев Ю.Н., Михневич К.С., Кривобоков В.П. Свойства пленок нитрида титана, полученных методом магнетронного распыления // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. -2014. - Т. 16, № 4 (3). - С. 672-676.
14. Джумалиев А.С., Никулин Ю.В. Влияние давления аргона на текстуру и микроструктуру пленок кобальта, осаждаемых магнетронным распылением // Изв. Сарат. Ун-та. Нов. Сер. Сер. Физика. - 2017. - Т. 17. - Вып. 4. - С. 255-262.
15. Васильев В.А. Условие получения однородных наноразмерных резистивных пленок NI-Ti методом магнетронного распыления из двух источников // Известия Томского политехнического института. - 2014. - С. 173-179.
16. Тимаков С.В. Экспериментальные исследования характеристик магнетронного распыления. - 2007. - № 32. - С. 132-136.
17. Берлин Е.В., Сейдман.Л.А. Получение тонких пленок реактивным магнетронным распылением. - М.: Техносфера, 2014. - 256 с.
18. Шейн Е.П. Вакуумные технологии. - М.: Интеллект, 2009. - 504 с.
19. Кузьмичев А.И. Магнетронные распылительные системы. Введение в физику и технику магнетронного напыления. - К.: Аверс, 2008. - 244 с.
20. Malyukov S.P., Kovalev A. V., Zinoviev S.S., Starykh A.A. Multilayer Magnetic Films for Hard Disks // International Journal of Applied Engineering Research. - Vol. 12. - P. 11874-11877.
REFERENCES
1. Lobanov B.S., Pikul' A.I., Khlopov B.V. Metody povysheniya effektivnosti zashchity informatsii, khranyashcheysya v nakopitelyakh na zhestkikh magnitnykh diskakh [Methods for increasing the efficiency of protection of information stored in hard disk drives], T-Comm - Tele-kommunikatsii i Transport [T-Comm - Telecommunications and Transport], 2009, No. 4, pp. 8-13.
2. Gitlits M.V. Magnitnaya zapis' signalov [Magnetic recording of signals]. Moscow: Radio i svyaz', 1990, 225 p.
3. Karpenkov S.Kh. Magnitnye nositeli informatsii [Magnetic information carriers]. Moscow: Radio i svyaz', 1993, 504 p.
4. Panfilov Yu.V. Nanesenie tonkikh plenok v vakuume [Deposition of thin films in vacuum], Tekhnologii v elektronnoy promyshlennosti [Technologies in the electronic industry], 2007, No. 3, 72 p.
5. Berlin E.V., Seydman L.A. Ionno-plazmennye protsessy v tonkoplenochnoy tekhnologii [Ionplasma processes in thin-film technology]. Moscow: Tekhnosfera, 2010, 528 p.
6. Adas'ko V.I., Kagan B.M. Pats V.B. Osnovy proektirovaniya zapominayushchikh ustroystv bol'shoy emkosti [Fundamentals of designing storage devices of large capacity]. Moscow: Energoizdat, 1984.
7. Palienko A.N., Epremyan V.B., Tolmachev V.A., Kashuba P.I. Izgotovlenie zhestkikh magnitnykh diskov magnetronnym raspyleniem [Production of hard magnetic disks by magnetron sputtering], Elektronnayapromyshlennost' [Electronic industry], 1987, 2T(33).
8. Starodubtsev Yu.N. Magnitomyagkie materialy [Soft magnetic materials]. Moscow: Tekhnosfera, 2011, 659 p.
9. Malyukov S.P. Silenok A.B. Fiziko-tekhnologicheskie aspekty povysheniya nadezhnosti izgotovleniya magnitnykh plenok [Physicotechnological aspects of increasing the reliability of manufacturing magnetic films], Tr. mezhdunarodnogo simpoziuma «Nadezhnost' i kachestvo» [Proceedings of the international symposium Reliability and quality], 2013, Vol. 2, pp. 191-193.
10. Utkin K.E. Upravlyaemyy sintez tonkikh plenok, poluchennykh metodom magnetronnogo raspyleniya [Controlled synthesis of thin films obtained by magnetron sputtering], Upravlenie. Kontrol' [Management. Control], 2018, No. 2 (24), pp. 41-46.
11. Dostanko A.P. Raschet elementnogo sostava tonkoplenochnykh sloev pri magnetronnom raspylenii mozaichnykh misheney [Calculation of the elemental composition of thin-film layers during magnetron sputtering of mosaic targets], Elektronnaya obrabotka materialov [Electronic processing of materials], 2012, No. 1 (48), pp. 63-72.
12. Sagatelyan G.R. Analiz raspredeleniya tolshchiny tonkoplenochnogo pokrytiya pri magnetronnom napylenii na ustanovkakh s planetarnym peremeshcheniem podlozhki [Analysis of the distribution of the thickness of a thin-film coating during magnetron sputtering in plants with planetary movement of the substrate], Nauka i obrazovanie [Science and education], 2014, pp. 458-481.
13. Yur'ev Yu.N., Mikhnevich K.S., Krivobokov V.P. Svoystva plenok nitrida titana, poluchennykh metodom magnetronnogo raspyleniya [Properties of titanium nitride films obtained by magnetron sputtering], Izvestiya Samarskogo nauchnogo tsentra Rossiyskoy akademii nauk [Bulletin of the Samara Scientific Center of the Russian Academy of Sciences], 2014, Vol. 16, No. 4 (3), pp. 672-676.
14. Dzhumaliev A.S., Nikulin Yu. V. Vliyanie davleniya argona na teksturu i mikrostrukturu plenok kobal'ta, osazhdaemykh magnetronnym raspyleniem [Influence of argon pressure on the texture and microstructure of cobalt films deposited by magnetron sputtering], Izv. Sarat. Un-ta. Nov. Ser. Ser. Fizika [Izv. Sarat. University. New Ser. Ser. Physics], 2017, Vol. 17, Issue 4, pp. 255-262.
15. Vasil'ev V.A. Uslovie polucheniya odnorodnykh nanorazmernykh rezistivnykh plenok NI-Ti metodom magnetronnogo raspyleniya iz dvukh istochnikov [The condition for the production of homogeneous nanoscale resistive NI-Ti films by magnetron sputtering from two sources], Izvestiya Tomskogo politekhnicheskogo institute [News of the Tomsk Polytechnic Institute], 2014, pp. 173-179.
16. Timakov S.V. Eksperimental'nye issledovaniya kharakteristik magnetronnogo raspyleniya [Experimental studies of the characteristics of magnetron sputtering], 2007, No. 32, pp. 132-136.
17. Berlin E.V., Seydman.L.A. Poluchenie tonkikh plenok reaktivnym magnetronnym raspyleniem [Preparation of thin films by reactive magnetron sputtering]. Moscow: Tekhnosfera, 2014, 256 p.
18. SheynE.P. Vakuumnye tekhnologii [Vacuum technology]. Moscow: Intellekt, 2009, 504 p.
19. Kuz'michev A.I. Magnetronnye raspylitel'nye sistemy. Vvedenie v fiziku i tekhniku magnetronnogo napyleniya [Magnetron Spray Systems. Introduction to the physics and technology of magnetron sputtering]. K.: Avers, 2008, 244 p.
20. Malyukov S.P., Kovalev A. V., Zinoviev S.S., Starykh A.A. Multilayer Magnetic Films for Hard Disks, International Journal of Applied Engineering Research, Vol. 12, pp. 11874-11877.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н., профессор Я. Е. Ромм
Малюков Сергей Павлович - Южный федеральный университет; e-mail: spmalyukov@sfedu.ru; 347922, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, тел.: 88634371767; кафедра конструирования электронных средств; д.т.н.; профессор.
Саенко Александр Викторович - e-mail: avsaenko@sfedu.ru; кафедра конструирования электронных средств; к.т.н.; доцент.
Клунникова Юлия Владимировна - e-mail: yvklunnikova@sfedu.ru; кафедра конструирования электронных средств; к.т.н.; доцент.
Зиновьев Сергей Сергеевич - e-mail: z.s.s.1986@mail.ru; 347928, г. Таганрог, пер. Некрасовский, 44; тел.: 88634371625; кафедра электроники, радиотехники и системы связи; аспирант.
Тимощенко Дмитрий Викторович - e-mail: dimon_vitt@mail.ru; кафедра электроники, радиотехники и системы связи; аспирант.
Malyukov Sergey Pavlovich - Southern Federal University; e-mail: spmalyukov@sfedu.ru; 2, Shevchenko street, Taganrog, 347922, Russia; phone: 88634371767; the department of electronic engineering; dr. of eng. sc.; professor.
Saenko Alexander Viktorovich - e-mail: avsaenko@sfedu.ru; the department of electronic engineering; cand. of eng. sc.; associate professor.
Klunnikova Julia Vladimirovna -e-mail: yvklunnikova@sfedu.ru; the department of electronic engineering; cand. of eng. sc.; associate professor.
Zinoviev Sergey Sergeevich - e-mail: z.s.s.1986@mail.ru; 44, Nekrasovskiy, Taganrog, 347928, Russia; phone: 88634371625; the department of electronics, radio engineering and communication systems; graduate student.
Timoshchenko Dmitriy Viktorovich - e-mail: dimon_vitt@mail.ru; the department of electronics, radio engineering and communication systems; graduate student.
