CC BY
100
ФОРМИРОВАНИЕ МИКРОРЕЛЬЕФА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Волков А.В., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю. Институт систем обработки изображений РАН Самарский государственный аэрокосмический университет
Халькогенидные стеклообразные полупроводники были впервые синтезированы в 1954 году учеными Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе АН СССР Н.А. Горюновой и Б.Т. Коломий-цем.
К группе халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), относят бинарные или многокомпонентные халькогениды, т. е. сульфиды, селе-ниды и теллуриды элементов V, IV, и III групп периодической таблицы. В 1965г. были получены стеклообразные полупроводниковые сплавы на основе химических соединений типа A11B1VC2V, не содержащих халькогенов [1].
Обычно стеклообразные полупроводники делят на следующие классы:
1. Элементарные стеклообразные полупроводники;
2. Халькогенидные стекла;
3. Оксидные стекла;
4. Оксихалькогенидные стекла;
5. Стекла на основе химических соединений типа A11B1VC2V;
6. Органохалькогенидные стекла.
Наиболее типичными бинарными ХСП являются трехсернистый мышьяк As2S3 и трехселени-стый мышьяк As2Se3.
В данной работе предложены запатентованные авторами статьи устройства для получения стехио-метричных пленок ХСП, применимых в области записи оптических элементов высокого разрешения.
Свойства ХСП
ХСП отличаются рядом уникальных свойств, лишь в незначительной степени проявляющихся или вообще отсутствующих у кристаллических полупроводников, а именно: высокая радиационная стойкость, обратимое электрическое переключение и память, фотоструктурные превращения, отсутствие влияния примесей и необходимости синтеза из особо чистых материалов, простота технологии [2].
Наиболее интересным свойством ХСП для целей построения ДОЭ является фотоселективное растворение, впервые обнаруженное на стеклообразном As2S3 [3]. После соответствующей засветки и проявления в растворе щелочи слои As2S3, нанесенные в вакууме, давали изображение, нерастворимое в кислоте.
Зависимости скоростей растворения для фото-стимулированных пленок показано на рисунке 1. Облученные участки пленок As2S3 растворяются в диме-тиламине быстрее, чем необлученные (рис. 1б), в то время как облученные участки пленок As2Se3, P2Se3, As2Se7 растворяются в соответствующих растворителях значительно медленнее необлученных, как показано на рис. 1(б-г). Первый случай можно назвать положительным, а второй - отрицательным эффектом
фотостимулированного изменения растворимости [4]. Другими словами, пленка As2S3 ведет себя в данном случае как позитивный фоторезист, а остальные пленки - как негативные фоторезисты. й, мкм
1,8 [
1,4
1,0
0,6
0,2
0 1 2 3 т, мин
Масса,%
100
80 60 40 20
О 5 10 15 х, мин Рис. 1 Скорость растворения облученных (1) и необлученных (2) участков пленок: а) - As2 S3 в 2 %-ном растворе диметиламина; б) - As2 Se3 в 33 %-ном растворе диметиламина; в) - P2Se3 в 16 %-ном растворе диметиламина ;г) - As2Se7 в 4 %-ном растворе NaOH.
С позиций оптической записи информации ХСП обладают рядом интересных свойств и характеристик, в частности, при облучении пленок ХСП лучом лазера в облученной зоне происходит сдвиг края полосы пропускания в более длинноволновую или более коротковолновую область спектра. При этом происходит также изменение показателя преломления ХСП, что создает возможность для записи фазового рельефа [5].
Для того чтобы, воздействуя оптическим излучением на материал ХСП, вызвать в нем вышеуказанные изменения, энергия кванта излучения должна быть равна или несколько больше ширины запрещенной зоны материала, т.е.
Ис > АЕ,
(1)
где: АЕ - ширина запрещенной зоны; И - постоянная Планка; с - скорость света.
Это представляет большой интерес при восстановлении голограмм. Например, если считывать голограмму лазерным лучом с длиной волны, несколько большей, чем при ее записи, так чтобы условие (1) не выполнялось, то при этом, во-первых, излучение считывающего луча не будет воздействовать на материал ХСП, во-вторых, будет происходить считывание только фазовой голограммы. Так, на пленках А5283 были записаны голограммы лучом аргонового лазера (X = 0,4880 и 0,5145 мкм), которые в дальнейшем считывались как чисто фазовые с помощью гелий-неонового лазера (X = 0,6328 мкм) [6]. Большое изменение коэффициента преломления при записи дает возможность получать большие величины дифракционной эффективности при восстановлении. Максимальное изменение коэффициента преломления наблюдалось на Аб283 [7] и составляло величину Ал = 0,056, что более чем на два порядка выше, чем у распространенного Ы№03, активированного железом, у которого Ал и 10-4.
Ценным свойством ХСП является их реверсивность, т.е. возможность "стирания" записанной информации и записи на них новой информации, что представляет технический интерес для таких устройств, как голографические системы, работающие в реальном времени, например, оперативная память большого объема. Стирание записи происходит обычно при нагревании ХСП до температуры, близкой к температуре размягчения, в течение нескольких минут. Указывается также на возможность стирания с помощью лазерного излучения большой интенсивности [8].
Получение пленок халькогенидных
стеклообразных полупроводников
Важнейшими из требований, предъявляемым к пленкам ХСП, являются воспроизводимость состава исходного материала, гомогенность пленки по составу, структуре и дисперсности.
Из существующих способов нанесения пленок - термическое испарение в вакууме, катодное распыление, электронно-лучевое испарение, мгновенное (взрывное) испарение, химическое и электроли-
тическое осаждения и др. - для стеклообразных полупроводников применяют главным образом три первых метода. На основании проведенных ранее работ [9-12], предпочтение было отдано термовакуумному напылению.
В зависимости от состава и условий конденсации пара при переводе ХСП в пленочное состояние могут образовываться кристаллические, стеклообразные и ультрадисперсные пленки [13].
Для получения качественных, стехиометрич-ных пленок ХСП были разработаны и исследованы испарители многокомпонентных материалов [1415], конструкция испарителя для напыления в «квазизамкнутом» объеме, схематично представлена на рис. 2.
Рис. 2 Испаритель многокомпонентных материалов 1 - внешний стакан, 2 - внутренний стакан, 3 - углубление во внешнем стакане, 4 - ХСП, 5 - камера смешивания паров компонентов ХСП, 6 - выходное отверстие, 7 - нагревательный элемент.
Испаритель многокомпонентных материалов состоит из внешнего стакана 1 диаметром Авнутр, образующего корпус устройства, и коаксиально вставленного в него внутреннего стакана 2 диаметром Б2внутр, выполняющего функции заслонки. Для обеспечения периодического возвратно-поступательного перемещения стакана-заслонки 2 коакси-ально стакану-корпусу 1 высота стаканов Н и величина кольцевого зазора М между стенками стаканов определяются соотношениями, полученными экспериментально
0,05 < М< 0,1Б; Б < Н< 2Б, где Б - внешний диаметр внутреннего стакана.
Вне указанных диапазонов не удается осуществить устойчивую циклическую работу испарителя в пульсирующем режиме. В дне внешнего стакана выполнено цилиндрическое углубление 3 диаметром ё и высотой к, в которое помещают навеску испаряемого материала 4. Диаметр ё и высота к углубления определяются из выражения
0 < ё < Двнутр - 1,4Б + £>2Внутр.
Торцы края внутреннего стакана 2 и дно внешнего стакана 1 в исходном состоянии плотно примыкают друг к другу, образуя при этом камеру испарения и смешивания 5. Выходное отверстие 6 кольцевой формы образовано кольцевым зазором между стенками стаканов 1 и 2. Стенки внешнего стакана 1 нагреваются косвенным методом с помощью нагревательного элемента 7.
Испаритель устанавливается в вакуумной камере вертикально и разогревается ленточным (или проволочным) нагревательным элементом. При определенной температуре, зависящей от состава испаряемого материала, в камере испарения и смешивания накапливаются пары испаряемого материала. При достаточном давлении паров вещества стакан 2 приподнимается, и происходит разгерметизация камеры испарения и смешивания. Пары ХСП через зазор 6 между стаканами 1 и 2, устремляются к подложке. При этом давление внутри камеры испарения и смешивания уменьшается, стакан 2 опускается на исходное место и отделяет камеру испарения и смешивания от выходного отверстия 6. Через некоторое время давление паров испаряемого материала в камере испарения и смешивания вновь становится достаточным для ее разгерметизации, стакан-заслонка 2 вновь приподнимается, и новая порция паров через выходное отверстие, образованное кольцевым зазором между стаканами 1 и 2 поступает к подложке. Далее процесс циклически повторяется. Из-за наличия углубления в дне внешнего стакана, с помещенным в него испаряемым материалом, практически исключается возможность попадания частиц испаряемого материала в зазор между торцами внутреннего стакана и дном внешнего стакана. Нагреватель размещается со стороны стенок внешнего стакана 1. Температуру стенок внешнего стакана устанавливают выше температуры стенок внутреннего стакана и выше температуры испарения ХСП, обеспечивая рабочий режим напыления пленок ХСП.
На установке вакуумного напыления типа УВН-2М-2 были получены пленки As2S3 при степени вакуума 6,0 •Ю-3 Па. Толщина пленки во время напыления контролировалась с помощью кварцевого измерителя толщины КИТ-1. Температура подложки выбиралась из условия Тподл <(2/3)Тg, а т.к. для As2Sз Тg = 174 °С, то Тподл < 116 °С. В качестве материала подложки было выбрано стекло, обладающее хорошей адгезией с ХСП.
Оптическая запись дифракционного микрорельефа в пленках Из различных способов записи информации в тонких пленках ХСП наиболее приемлемым представляется способ, базирующийся на изменении скорости травления от величины экспозиции облученных пленок.
Запись информации проводилась с помощью аргонового лазера ЛГ-106, который генерирует на двух лазерных переходах с X = 0,4880 мкм и X = 0,5145 мкм. Для записи дифракционной решетки использовалась линия генерации с Х=0,4880 мкм. При этом мощность генерации составила Рср=0,5 Вт.
На основании исходных данных и требований к качеству записи была собрана оптическая схема, которая представлена на рисунке 3. Главной особенностью данной схемы является то, что пучок разделяется на два с помощью полупрозрачного зеркала. Затем полученные пучки направляются на подложку с предварительно напыленной пленкой ХСП толщиной порядка 5 мкм. При совмещении двух когерентных пучков на слое ХСП создается интерференционная картина. Таким образом производилась запись информации при энергетической экспозиции 0,2 - 0,4 Дж/см2 Время экспозиции составило 3 мин.
1 - аргоновый лазер; 2,4 - зеркала; 3 - олупрозрачное зеркало; 5,7 - микрообъективы; 6,8 - диафрагмы; 9 - мишень
Проявление оптической записи осуществлялось травлением в двухпроцентном растворе диме-тиламина в течение 4 мин. После травления, промывки и сушки были получены дифракционные решетки, записанная информация с которых считыва-лась аргоновым лазером мощностью 2-3 Вт/см2. Решетки могут работать как на прохождение, так и на отражение в зависимости от материала подложки и длины волны лазера, используемого для считывания записанной информации. На рис. 4 представлена фотография поверхности ХСП с записанным микрорельефом, снятая с помощью электронного растрового микроскопа.
Рис. 4 Фотография поверхности решетки, полученная с помощью электронного растрового микроскопа Неравномерность линий по ширине объясняется плохой стабилизацией параметров электронного пучка при сканировании по поверхности с высоким разрешением. Период решетки, записанной в слое ХСП, - порядка 300 нм, что позволяет говорить о высокой разрешающей способности полученных пленок и возможности записи дифракционных решеток видимого диапазона длин волн.
Микрорельеф, зарегистрированный с помощью сканирующего зондового микроскопа, представлен
SCALE 103 пМ ¥:10О 11П Z:1BB 11М
Рис. 5 Фрагмент микрорельефа дифракционной решетки, записанной в слое Л&'283 Дифракционная эффективность в первом дифракционном порядке в максимуме спектральной кривой составила 40%.
Для повышения устойчивости дифракционной решетки, работающей на отражение, на ее поверхность на установке вакуумного напыления УВН-2М-2 напылялся слой алюминия толщиной 0,01 мкм. Напыление отражающего покрытия позволило увеличить мощность считывающего лазера в два раза.
Заключение Используя предложенную конструкцию испарителя для термовакуумного напыления в «квази-
замкнутом» объеме удалось получить пленки халь-когенидных стеклообразных полупроводников сте-хиометрического состава. Применение синтезированных пленок в качестве голографической регистрирующей среды позволило изготовить дифракционные решетки с разрешением свыше 3000 лин/мм.
Литература
1. Аморфные полупроводники. / Под ред. -М.: Брод-
ски. - М.: Мир, 1982. - 341 с.
2. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. - Л.: ЛГУ, 1983.- 263 с.
3. Коломиец Б.Т., Любин В.М., Шило В.П. Фото-стимулированные изменения растворимости ХСП. // Физика и химия стекла. Т. 4, № 3. 1978. -с. 351-357.
4. Аморфные и поликристаллические полупроводники /Под ред. В. Хейванса. - М.: Мир, 1986. -315 с.
5. Применение методов оптической обработки информации и голографии /Под ред. С.Б. Гуре-вича.- Л.: ЛГУ, 1980.- 264 с.
6. Новые регистрирующие среды для голографии. / Под ред. В.А. Барачевского. //- Л.: Наука, 1983. -276 с.
7. Передача и обработка информации голографиче-скими методами. / Под ред. С.Б. Гуревича. - М.: Сов. радио, 1978. - 292 с.
8. Оптические методы обработки информации. / Под
ред. С.Б. Гуревича. - Л.: Наука, 1974.- 147 с.
9. Волков А.В. Быстродействие негатрона с толстым
слоем ХГС. Межвуз. сборник. ЛЭТИ:.- 1975. -Вып. 185.
10. Бабич С.С., Волков А.В., Михалевский А.Н. Полупроводниковый пороговый переключатель //Межвуз. сборн.: ЛЭТИ. -1974. -Вып. 150.
11. Бабич С.С., Волков А.В., Михалевский А.Н. Расчет емкости планарного переключателя с толстыми электродами //Межвуз. сборник.: ЛЭТИ. -1975. - Вып. 165.
12. Бабич С.С., Волков А.В., Михалевский А.Н Сверхвысокочастотный коммутатор А.с. №633244 1978г.
13. Голография и обработка информации /Под ред. С.Б. Гуревича. - Л.: Наука, 1976. - 139 с.
14. Моисеев О.Ю., Колпаков А.И., Волков А.В., Бородин С.А. Испаритель многокомпонентных материалов. А.с. № 1491029 от 01.03.1989. Приоритет от 05.05.87.
15. Моисеев О.Ю., Волков А.В., Дмитриев В.Д., Вербенко И.В., Бородин С.А. Испаритель многокомпонентных материалов. А.с. № 1824457 от 12.11.1992. Приоритет от 02.07.90.
