CC BY
30
УДК 621.382
DOI: 10.25206/1813-8225-2019-166-55-60
А. И. БЛЕСМАН1 р. Б. БУрлАКов2
Юмский государственный технический университет, г. Омск
2Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФОТОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ КонТЛКТЛ AU-п-GAAS С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Ли-п-ОаЛв с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их С-У-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания и определена высота барьера Шоттки фВп контактов Ли-п-п'-ОаЛв фотоэлектрическим методом. Показано, что отжиг структур п-п'-ОаЛв-ЛиОе в воздухе при (200—220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Ли на п-слой ОаЛв приводит: к уменьшению на два-три порядка прямых 1пр и обратных токов 1обр (при У=0,5 В), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения У0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (204—191) пФ при обратных напряжениях (0,22—0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя оксида арсенида галлия на п-слое при отжиге структур п-п'-ОаЛв-ЛиОе в воздухе.
Ключевые слова: способ изготовления фотоэлемента, арсенид галлия п-типа, контакты с барьером Шоттки.
Введение. Одним из важнейших направлений электроники является радиофотоника. В ее основе — модуляция лазерного излучения СВЧ сигналом для дальнейших преобразований уже в оптическом диапазоне [1]. По мнению автора работы [1], важнейший вопрос, требующий своего решения, это вопрос создания компонентной базы радиофо-тоники. В основе ее компонентной базы — материалы А3Б5 (арсенид галлия, фосфид индия), которые обладают более высокой (чем в кремнии) подвижностью электронов, что позволяет изготовлять из этих материалов высокочастотные устройства. Кроме этого, пластины СаА могут обладать очень высокими значениями удельного сопротивления. Это позволяет использовать такой материал в качестве диэлектрика в интегральных схемах, предназначенных для работы в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, и для изоляции структур в цифровых интегральных схемах.
Несмотря на недостатки арсенида галлия, обусловленные его двухкомпонентностью (диссоциация поверхности структур и летучесть мышьяка при повышенных температурах) и восприимчивостью поверхности СаА к воздействию различных химических веществ [2], исследования свойств арсенида галлия и различных приборов на его основе (начатые в начале 60-х годов) продолжаются уже более 50 лет, включая исследования структур с барьером
Шоттки на основе арсенида галлия с различными материалами барьерообразующего контакта [3]. Одной из таких структур является структура Ли-л-GaAs c барьером Шоттки, исследованная в большом числе (более 50) работ (ссылки [4—16] на некоторые из них приведены ниже в библиографическом списке настоящей работы). Однако информация о фотоэлементах с барьерным контактом Ли-л-GaAs ограничена сведениями об их применении в структурах солнечных элементов [4, 5]. В связи с этим представленные в настоящей работе результаты экспериментального исследования электрических и фотоэлектрических свойств фотоэлементов на основе контакта Ли-л-GaAs с барьером Шоттки представляют определенный интерес.
Экспериментальные методики и результаты. В данной работе для изготовления четырех экспериментальных образцов использовались две эпи-таксиальные структуры л-л+-GaAs ориентации (100) с концентрацией доноров в л-слое (4-5,8)-1015 см-3, которые были разделены методом скрайбирования на образцы с размерами 8x12 мм2. Один из прямоугольных уголков (с длиной катета 1 мм) каждого образца был срезан для визуальной фиксации поверхности л-слоя. Перед вакуумным осаждением металла омических контактов образцы промывались в этиловом спирте и ацетоне, очищались в растворе HF + H2O (1:1) в течение 30-32 секунд с
последующей промывкой в дистиллированном воде и ацетоне. Металл омических контактов в виде тонкой пленки сплава Ли-Се (88 % Ли+12 % Се) толщиной 94 нм осаждали на поверхность л+-слоя четырех образцов СаЛ в вакуумной камере установки УВН 2М1 при давлении остаточных газов (1,5 — 2)• 10-5 мм рт. ст. и температуре образцов 130 °С путем испарения сплава из углеродного испарителя [17] (углеродный стержень длиной 100 мм и диаметром 6 мм с продольной канавкой сечением 2x2 мм2, в центре которой размещалась вставка длиной 20 мм из Ш проволоки диаметром 0,8 мм). Образование эвтектического сплава Ли-Се в этом испарителе происходит при нагреве навесок компонентов сплава, загруженных на Ш вставку в продольной канавке. Затем образцы СаЛ с осажденными контактами из сплава ЛиСе отжигали в вакуумной камере (давление — (1,5 — 2)^ 10-5 мм рт. ст.) при температуре 480 °С в течение 1-й минуты в кварцевой трубчатой печи сопротивления, что обеспечивало образование омического контакта к л+-слою каждого образца.
Перед вакуумным осаждением металла (Ли) барьерных электродов два образца из четырех образцов с омическими контактами из сплава Ли-Се были дополнительно подвергнуты термическому отжигу в воздухе в кварцевой трубчатой печи сопротивления при (200 — 220) °С в течение 30 минут.
Барьерные контакты Ли-л-л+-СаЛ были созданы путем вакуумного испарения Ли из вновь изготовленного вольфрамового испарителя, описанного в [18], (четыре Ш проволоки длиной 65 мм и диаметром 0,8 мм, соединенные параллельно на всей длине испарителя), который предварительно отжигался в глубоком вакууме при 1200—1400 °С. Локальное осаждение тонкой пленки Ли с толщиной 6,3 нм на образцы выполняли через отверстия диаметром 4 мм в металлической маске путем испарения малой навески Ли с массой 22,5 мг при давлении остаточных газов (1,5 — 2)^10-5 мм рт. ст. и температуре образцов 130 °С. Затем (используя Ш испаритель [18]) осаждали при этих условиях пленку алюминия толщиной 350 нм через прямоугольные отверстия (с размерами 6x10 мм2) в маске на поверхность металла (Ли-Се) омического контакта образцов.
Таким образом, в результате реализации вышеописанного технологического процесса на каждом образце СаЛ были созданы два фотоэлемента, каждый из которых имеет общий омический контакт к л+-слою и два контакта Ли-л-л+-СаЛ с барьером Шоттки (рис. 1). Следует отметить, что в этом процессе перед вакуумным нанесением Ли на поверхность л-слоя четырех образцов они не подвергались химическому травлению с целью удаления слоя оксида арсенида галлия. Поэтому в изготовленных образцах на границе раздела Ли — л-слой возможно образование как пленки естественного оксида, так и увеличение толщины слоя оксида в структуре барьерных контактов двух образцов, которые перед вакуумным осаждением Ли были дополнительно подвергнуты термическому отжигу в воздухе при температуре (200 — 220) °С в течение 30 минут. Именно с точки зрения влияния дополнительного термического отжига в воздухе на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов с такими барьерными контактами рассмотрены ниже свойства фотоэлементов.
В данной работе были измерены (при Т = 295 К) электрические характеристики фотоэлементов на основе контакта Ли-л-СаЛ с барьером Шоттки:
Рис. 1. Вид на экспериментальный образец со стороны контактов Au-n-tf-GaAs и его сечение по А-А
1 — л-слой GaAs, 2 — л+-слой GaAs; 3 — омический контакт Au-Ge к П-слою GaAs; 4 — слой Al на омическом контакте Au-Ge к л+-слою GaAs; 5 и 6 — контакты Au-n-n+-GaAs с барьером Шоттки
темновые статические вольт-амперные характеристики (ВАХ) (с помощью мультиметров М890С и МУ-60), С-У-характеристики (с использованием высокочастотного измерителя Е7-9, в котором измерение емкости производится на рабочих частотах (700 — 300) кГц), и определена плотность тока насыщения J0 на основе использования зависимости логарифма прямого тока (Ьл 1пр) от приложенного напряжения V для области, где V>3kT/q, а коэффициент неидеальности не превышает 1,3. Пересечение прямой Ьл 1пр(У) с вертикальной осью (в результате линейной экстраполяции к V=0) определяет Ьл 10 и, следовательно, ток насыщения 10 и плотность тока насыщения J0 = I0/S. Фотоэлектрические характеристики: спектр фото-э.д.с. в фотовольтаиче-ском режиме (режим холостого хода фотоэлемента) и спектр тока короткого замыкания в фотовольта-ическом режиме, были измерены с помощью спектрофотометра УБи 2-Р, в котором в качестве источника излучения была применена вольфрамовая лампа накаливания (6 В, 30 Вт). При измерениях спектров исследуемый фотоэлемент устанавливали в поток излучения в кюветной камере спектрофотометра, ток вольфрамовой лампы поддерживали на неизменном уровне 5,2 А, а спектр фото-э.д.с. и спектр тока короткого замыкания измеряли с помощью мультиметров М890С и МУ-60 соответственно. На основе использования спектров тока короткого замыкания фотоэлементов определена высота барьера Шоттки фВп контактов Ли-л-л+-СаЛ фотоэлектрическим методом [19]. Кроме этого, были измерены фото-э.д.с. V и ток короткого замыкания I каждого фотоэлемента при освещении контакта Ли-л-СаЛ интегральным светом вольфрамовой лампы накаливания (220 В, 75 Вт) с расстоянием 5 см от нити накала лампы до барьерного контакта. Результаты измерений указанных выше электрических и фотоэлектрических характеристик фотоэлементов представлены в табл. 1 и на рис. 2 — 7.
Из представленных в табл. 1 и на рис. 2 — 4 электрических характеристик фотоэлементов следует, что фотоэлементы № 73-1, № 73-2, № 83-1 и № 83-2, у которых структуры л-л+-СаЛз-ЛиСе были подвергнуты дополнительному отжигу в воздухе при (200 — 220) °С в течение 30 минут, имеют: ВАХ, сдвинутые (примерно на 0,12 В) в сторону увеличенных
Таблица 1
Электрические и фотоэлектрические параметры структур Аи-п-п+-СаАз-АиСе
ВАХ контакта Емкость контакта ФЭ метод Освещение
№ фотоэлемента I , мкА пр' 1бр, мкА 10, А/см2 V.; В Ф« В 75 Вт, 1 = 5 см
У=0,5 В У=0,5 В С-, С пФ Ухх, мВ 1кз, мА
0,21; 0,96
52-1 13275 4,5 5,7-10-9 2886; 1793 1,116 395 0,6
52-2 15980 5 5,5-10-9 2342; 1431 1,116 410 0,7
62-1 66924 4,93 5,7-10-9 2836; 2140 1,116 380 0,7
62-2 87230 10,22 9,210-8 2646; 2005 1,115 340 0,6
0,22; 0,96
73-1 113,7 0,005 6,6-10-12 204; 191 1,108 450 0,2
73-2 282,8 0,005 1,4-10-11 212; 204 1,108 440 0,3
83-1 118 0,008 7 ■ 10-12 182; 179 1,107 452 0,23
83-2 190 0,008 1,4-10-" 188; 185 1,108 450 0,3
Примечание: Первая цифра (5, 6, 7, 8) в номере фотоэлемента — номер образца СаЛБ. Вторая цифра в номере фотоэлемента: 2 — нет дополнительного отжига в воздухе перед осаждением пленки Ли; 3 — дополнительный отжиг образца п-п+-СаЛБ-ЛиСе в воздухе перед осаждением пленки Ли. Третья цифра в номере фотоэлемента — номер фотоэлемента (1 и 2) на образце СаЛ (рис. 1).
л
V *
* *
К <>52-2 / / \
г / \
1 г" / ^73- )
V
и
г
Рис. 2. Вольт-амперные характеристики
фотоэлементов № 52-2 и № 73-2 при прямой полярности приложенного напряжения. Структура п-П-СаАз-АиСе фотоэлемента № 73-2 была подвергнута
отжигу в воздухе при (200—220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Аи на п-слой СаАз
значении приложенных напряжении, уменьшенные на два — три порядка прямые I и обратные токи 1обр (при У=0,5 В) и уменьшенные на три порядка плотности тока насыщения I. Кроме этого, емкости этих фотоэлементов, измеренные в интервале обратных напряжении (0,22 — 0,96) В, сильно уменьшаются до значении в интервале (204—191) пФ. Эти экспериментальные факты можно объяснить образованием тонкого слоя оксида арсенида галлия (с толщиноИ около 20 А) на поверхности п-слоя при дополнительном отжиге структур п-п+-СаЛз-ЛиСе в воздухе при (200 — 220) °С в течение 30 минут
В 0,1 0,2 П-.Э 0,4 0,5 0,6 0,7 В,Е
Напряжение. Б
Рис. 3. Зависимости логарифма прямого
тока (Ьп / ) от приложенного напряжения для фотоэлементов № 52-2
и № 73-2. Структура п-п+-СаАз-АиСе фотоэлемента № 73-2 была подвергнута
отжигу в воздухе при (200—220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Аи на п-слой СаАз
[20], что приводит к формированию туннельных МДП структур [19]. Измеряемая полная емкость таких структур включает в себя последовательно соединенные емкость обедненного слоя полупроводника и емкость слоя диэлектрика и сложным образом зависит от приложенного напряжения и рабочеИ частоты переменного сигнала, на кото-рои производится измерение емкости МДП структуры. В частности, при измерении полнои емкости МДП структур на повышенных рабочих частотах (выше 100 Гц), что использовалось в данноИ работе, может иметь место, согласно [19], сильное умень-
3,50£+17
3.00Е+17
2.50Е+17
0 2.00Е+17
(1 1.50Е+17
1.0Я и/
5.ГОЕ+16
0.00Е+00
№5; -2
К /
Ч
>
/
?52-1
-1,2 -1 -О,В -0,6 -0,4 -0,2 О Напряжение, Б
Рис. 4. С-"У-характеристики фотоэлементов № 52-1 и № 52-2, расположенных на одном образце СаЛ
400 350 300
йО
250
и
Ч 200
о 150 о
О 100 50 О
| | = 0Л73лал1 -—"
Г1 »73-1 -
у \
N373-2 -№52-1
№52-2
¿и гУ
0,2 0,4 0,6 0,0 1,2 1.4
Длнна волны, мкм
Рис. 5. Спектры фого-э.д.с. фотоэлементов № 73-1, № 73-2 и № 52-1, № 52-2. Структуры л-Л-СаЛя-ЛиСе
фотоэлементов № 73-1, № 73-2 были подвергнуты отжигу в воздухе при (200—220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Ли на л-слой СаЛ
Рис. 6. Спектры фото-э.д.с. фотоэлементов
№ 62-1 и0=5,7Ч0-в А/см2) и № 62-2 Ц=9,2Ч0-8 А/см2) с различными значениями плотности тока насыщения
1,8 1.6 1,4 1,2 1 0.0 0,6 0,4 0,2 6
I
Яжт ~ Л
/
№52-1 X
\ / /
У /1
/
\ I
№7 3-1 к,
04
0,6 0,6 1 Длина волны мкм
1.2
Рис. 7. Спектры тока короткого замыкания фотоэлементов № 52-1 и № 73-1. Структура лЛ-СаЛя-ЛиСе фотоэлемента № 73-1 была
подвергнута отжигу в воздухе при (200—220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Ли на л-слой СаЛ
шение измеряемой полной емкости. Уменьшение на два-три порядка прямых I и обратных токов 1обр (при У=0,5 В) и уменьшение на три порядка плотностей тока насыщения J0 связаны с туннельным прохождением тока через тонкий слой оксида арсе-нида галлия в фотоэлементах, у которых структуры л-л+-СаЛз-ЛиСе были подвергнуты дополнительному отжигу в воздухе.
Разброс значений этих токов обусловлен неизбежным наличием как краевых токов утечки барьерных контактов, так и токов утечки через дефекты прижимных внешних зондов к барьерным контактам Ли-л-л+-СаЛз.
Из представленных на рис. 5 — 7 спектров фото-э.д.с. и тока короткого замыкания фотоэлементов № 52-1, № 52-2 и № 73-1, № 73-2, освещаемых со стороны полупрозрачного слоя Ли, следует, что они действуют в диапазоне длин волн (0,5—1,1) мкм, т.е в области спектра, в которой расположена длинноволновая граница СаЛя (^ = 0,873 мкм) и которая включает в себя участок спектра видимого излучения (05 — 0,8) мкм, в котором, согласно [21], коэффициент поглощения СаЛя превышает 104 см-1, участок ближней инфракрасной области спектра (0,8-0,873) мкм с коэффициентом поглощения (104— 103) см-1 [21] и участок ближней инфракрасной области спектра (0,873 — 0,954) мкм,
в котором коэффициент поглощения СаЛя уменьшается от 103 см-1 до 2 см-1 [21].
Фотоэлементы № 73-1, № 73-2 на основе структур л-л+-СаЛя-ЛиСе, которые были подвергнуты дополнительному отжигу в воздухе перед осаждением пленки Ли на л-слой СаЛя, обладают более высокими значениями фото-э.д.с. (рис. 5) и уменьшенными значениями тока короткого замыкания (рис. 7) по сравнению с фотоэлементами № 52-1, № 52-2 на основе структур л-л+-СаЛя-ЛиСе, которые не подвергались дополнительному отжигу в воздухе. Спектры фото-э.д.с. (рис. 5) фотоэлементов № 73-1, № 73-2 (с примерно одинаковыми значениями плотности тока насыщения) одинаковы, а спектры фото-э.д.с. (рис. 6) фотоэлементов № 62-1, № 62-2 (с различными значениями плотности тока насыщения (табл. 1)) различны, причем меньшим значениям плотности тока насыщения соответствуют более высокие значения фото-э.д.с., что согласуется с теоретическими выводами (например, в [19]), которые следуют из анализа ВАХ освещенного фотоэлемента. Кроме этого, как отмечается в [19], при увеличении фото-э.д.с. в фотоэлементах на МДП-структурах уменьшается ток короткого замыкания, что также видно из данных табл. 1 для фото-э.д.с. и тока короткого замыкания при освещении фотоэлементов интегральным светом вольфрамовой
лампы накаливания (220 В, 75 Вт). Фотоэлементы № 73-1, № 73-2, № 83-1 и № 83-2 (с мДп-структурами) имеют увеличенные значения фото-э.д.с., однако их токи короткого замыкания сильно уменьшены, что ведет к уменьшению эффективности преобразования.
Расширение спектров фото-э.д.с. и тока короткого замыкания рассматриваемых фотоэлементов в ближнюю инфракрасную область спектра до 1=1,1 мкм обусловлено тем, что при освещении фотоэлементов со стороны полупрозрачного слоя Au, коэффициент пропускания которого равен (0,5 — 0,4) в диапазоне длин волн (0,4—1) мкм с максимальным значением 0,7 на длине волны 0,6 мкм, излучение видимой и инфракрасной областей спектра распространяется с частичным поглощением как в слое Au, так и в n-слое GaAs. Поэтому фотоэлементы действуют как на основе возбуждения электронно-дырочных пар в n-слое GaAs, так и на основе внутренней фотоэмиссии электронов, которые возбуждаются в Au пленке излучением с длинами волн выше длинноволновой границы GaAs (1кр = 0,873 мкм) и переходят n-слой GaAs, когда их энергия превышает высоту барьера фВп контакта Au-n-n+-GaAs.
Заключение. Таким образом, в настоящей работе предложена структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки. Измерены темновые статические вольт-амперные характеристики (ВАХ) фотоэлементов, их C-V-характеристики, спектры фото-э.д.с. в фотовольтаическом режиме и спектры тока короткого замыкания в фотовольтаическом режиме, и определена высота барьера Шоттки фВл контактов Au-n-n+-GaAs фотоэлектрическим методом на основе использования их спектров тока короткого замыкания. Показано, что отжиг структур n-n+-GaAs-AuGe в воздухе при (200 — 220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Au на n-слой GaAs приводит к уменьшению на два-три порядка прямых I и обратных токов 1обр (при F=0,5 B), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения J0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений в интервале (204—191) пФ при обратных напряжениях (0,22 — 0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фотоэ.д.с., что связано с образованием тонкого слоя оксида арсенида галлия на поверхности n-слоя при дополнительном отжиге структур n-n+-GaAs-AuGe в воздухе.
Библиографический список
1. Шулунов А. Н. Радиофотоника — одно из важнейших направлений электроники. URL: http://www.sib-science.info/ ru/institutes/na-fotonnom-perekhode-02022018 (дата обращения: 15.01.2019).
2. Кировская И. А., Юрьева А. В., Эккерт А. О., Уман-ский И. Ю., Колесников Л. В., Матяш Ю. И., Корнеев С. А. Исследование активности поверхности полупроводников типа А3В5. Возможности их использования в сенсорной технике // Омский научный вестник. 2018. № 5 (161). С. 111-115. DOI: 10.25206/1813-8225-2018-161-111-115.
3. Божков В. Г., Лукаш В. С. Полупроводниковые СВЧ-приборы // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285. С. 129-138.
4. Murat Soylu, Fahrettin Yakuphanoglu. Photovoltaic and interface state density properties of the Au/n-GaAs Schottky barrier solar cell // Thin Solid Films. 2011. Vol. 519, Issue 6. P. 1950-1954. DOI: 10.1016/j.tsf.2010.10.030.
5. Stirn R. J., Yeh Y. C. M. A 15 % efficient antireflection-coated metal-oxide-semiconductor solar cell // Applied Physics Letters. 1975. Vol. 27, Issue 2. P. 95-98. DOI: 10.1063/1.88375.
6. Biber M., Gullu O., Forment S. [et al.]. The effect of Schottky metal thickness on barrier height inhomogeneity in identically prepared Au/n-GaAs Schottky diodes // Semiconductor Science and Technology. 2006. Vol. 21, Issue 1. P. 1-5. DOI: 10.1088/02681242/21/1/001.
7. Karatas S., Altyndal S. Analysis of I-V characteristics on Au/n-type GaAs Schottky structures in wide temperature range // Materials Science and Engineering B. 2005. Vol. 122, Issue 2. P. 133-139. DOI: 10.1016/j.mseb.2005.05.018.
8. Karatas S., Turut A. The determination of electronic and interface state density distributions of Au/n-type GaAs Schottky barrier diodes // Physica B. 2006. Vol. 381, Issue 1-2. P. 199-203. DOI: 10.1016/j.physb.2006.01.412.
9. Almeida J., Coluzza C., dell'Orto T. [et al.]. Au/GaAs(100) interface Schottky barrier modification by a silicon nitride intralayer // Journal of Applied Physics. 1997. Vol. 81, Issue 1. P. 292-296. DOI: 10.1063/1.363847.
10. Leroy W. P., Opsomerb K., Forment S. [et al.]. The barrier height inhomogeneity in identically prepared Au/n-GaAs Schottky barrier diodes // Solid-State Electronics. 2005. Vol. 49, Issue 6. P. 878-883. DOI: 10.1016/j.sse.2005.03.005.
11. Altuntas H., Altindala §., Oz?elika S. Electrical characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodes with and without SiO2 insulator layer at room temperature // Vacuum. 2009. Vol. 83, Issue 7. P. 1060-1065. DOI: 10.1016/j. vacuum.2009.01.002.
12. Hudait M. K., Krupanidhi S. B. Effects of thin oxide in metal-semiconductor and metal-insulator-semiconductor epi-GaAs Schottky diodes // Solid-State Electronics. 2000. Vol. 44, Issue 6. P. 1089-1097. DOI: 10.1016/S0038-1101(99)00320-2.
13. Childs R. B., Ruths J. M., Sullivan T. E. [et al.]. Effects of ultrathin oxides in conducting MIS structures on GaAs // Journal of Vacuum Science and Technology. 1978. Vol. 15, Issue 4. P. 1397-1401. DOI: 10.1116/1.569795.
14. Newman N., Kendelewicz T., Thomson D. [et al.]. Schottky barriers on atomically clean cleaved GaAs // Solid-State Electronics. 1985. Vol. 28, Issue 3. P. 307-312. DOI: 10.1016/0038-1101(85)90011-5.
15. Okumura T., Tu K. N. Electrical characterization of Schottky contacts of Au, Al, Gd, and Pt on n-type and p-type GaAs // Journal of Applied Physics. 1987. Vol. 61, Issue 8. P. 2955-2961. DOI: 10.1063/1.337843.
16. Waldrop J. R. Schottky-barrier height of ideal metal contacts to GaAs // Applied Physics Letters. 1984. Vol. 44. P. 1002-1004. DOI: 10.1063/1.94599.
17. Пат. 2507304 Российская Федерация, МПК С 23 С 14/24. Испаритель для вакуумного нанесения тонких пленок металлов и полупроводников / Бурлаков Р. Б., Ковивчак В. С., Кузин А. Г., Шабакин В. П. № 2012149331/02; заявл. 19.11.12; опубл. 20.02.14, Бюл. № 5.
18. Пат. 188587 Российская Федерация, МПК С 23 С 14/24. Испаритель с изменяемой геометрией для вакуумного нанесения тонких пленок / Бурлаков Р. Б., Кузин А. Г. № 2018125350; заявл. 10.07.18; опубл. 17.04.19, Бюл. № 11.
19. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. / пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984. Кн. 2. 456 с.
20. Murarka S. P. Thermal oxidation of GaAs // Applied Physics Letters. 1975. Vol. 26, no. 4. P. 180-181. DOI: 10.1063/1.88107.
21. Moss T. S., Hawkins T. D. F. Infrared absorption in gallium arsenide // Infrared Physics. 1961. Vol. 1, Issue 2. P. 111-115. DOI: 10.1016/0020-0891(61)90014-8.
БЛЕСМАН Александр Иосифович, кандидат технических наук, доцент (Россия), заведующий кафед-
рой «Физика», директор научно-образовательного ресурсного центра «Нанотехнологии» Омского государственного технического университета. SPIN-код: 6809-3460 AuthorlD (РИНЦ): 144661 ORCID: 0000-0003-2837-3469 AuthorlD (SCOPUS): 11539204200 ResearcherlD: B-3079-2014 Адрес для переписки: physics@omgtu.ru БУРЛАКОВ Рудиарий Борисович, кандидат физико-математических наук, доцент (Россия), доцент кафедры «Прикладная и медицинская физика» Омского государственного университета им. Ф. М. Достоевского.
AuthorlD (РИНЦ): 37654
Адрес для переписки: burlakovrb@e-mail.omsu.ru
Для цитирования
Блесман А. И., Бурлаков Р. Б. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Ли-л-СаЛ с барьером Шоттки // Омский научный вестник. 2019. № 4 (166). С. 55-60. Б01: 10.25206/1813-8225-2019-16655-60.
Статья поступила в редакцию 15.05.2019 г. © А. И. Блесман, Р. Б. Бурлаков
