CC BY
12НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
479
DOI: 10.17725/rensit.2021.13.479
Cпиновый ток и спиновое магнитосопротивление границы гетероструктуры иридат/манганит
1Овсянников Г.А., 1Константинян К.И., 1Шмаков В.А., 2Шадрин А.В., 1Кислинский Ю.В., 3Андреев Н.В., 3Милович Ф.О., 1Орлов А.П., 1Лега П.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, http://www. cplire.ru/ Москва 125009, Российская Федерация
2Московский физико-технический институт, http://www.mipt.ru/ Долгопрудный 141701, Московская область, Российская Федерация
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", https://misis.ru/ Москва 119049, Российская Федерация
E-mail: gena@hitech.cplire.ru, karen@hitech.cplire.ru, shmakov-va@hitech.cplire.ru, shadrinant@mail.ru, yulii@hitech. cplire.ru, andreevn.misa@gmail.com, filippmilovich@mail.ru, orl@plire.ru, lega_peter@list.ru Поступила 20.10.2021, рецензирована 27.10.2021, принята 08.11.2021 Представлена действительным членом РАЕН В.В. Колесовым
Спин-орбитальное взаимодействие, присутствующее в ряде 5d-окислов переходных металлов (ОПМ), является слабым в 3d-ОПМs. В последнее время граница раздела между 3d- и 5d-ОПМ привлекает повышенный интерес из-за возможности нарушения топологической симметрии и возникновения достаточно сильных магнитоэлектрических эффектов. В данной работе мы приводим результаты изготовления и измерения структуры, а также спинового сопротивления границы 3d- и 5d-ОПМs в двуслойной гетероструктуре SrIrO3/La07Sr03MnO3.
Ключевые слова: спин-орбитальное взаимодействие, гетероструктуры, переходные металлы, топологическая симметрия, магнитоэлектрические эффекты
PACS: 75.47.Lx, 75.25.-j
Благодарности: Работа выполнена в рамках государственного задания ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН и РФФИ №19-07-00143. Для проведения исследований было использовано оборудование Уникальной научной установки #352529 "Криоинтеграл", развитие которой поддержано грантом Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, соглашение № 075-15-2021667. Структурные исследования проводились на оборудовании центра коллективного пользования "Материаловедение и металлургия" при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (№075-15-2921-696). Авторы благодарны В.В. Демидову, А.М. Петржику, К.Л. Станкевичу, Т.А. Шайхулову за помощь и полезное обсуждение экспериментальных результатов. Для цитирования: Овсянников Г.А., Константинян К.И., Шмаков В.А., Шадрин А.В., Кислинский Ю.В., Андреев Н.В., Милович Ф.О., Орлов А.П., Лега П.В. Спиновый ток и спиновое магнитосопротивление границы гетероструктуры иридат/манганит. РЭНСИТ: Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии, 2021, 13(4):479-486. DOI: 10.17725/rensit.2021.13.479._
Spin current and spin magnetoresistance of the heterostructure iridate/manganite interface
Gennady A. Ovsyannikov, Karen Y. Constantinian, Vladislav A. Shmakov, Yulii V. Kislinski, Andrey P. Orlov, Peter V. Lega
Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS, http://www. cplire.ru/ Moscow 125009, Russian Federation
E-mail:gena@hitech.cplire.ru, karen@hitech.plire.ru, shmakov-va@hitech.cplire.ru, yulii@hitech.cplire.ru, orl@ cplire.ru, lega_peter@list.ru
480 ОВСЯННИКОВ Г.А.,КОНСТАНТИНЯН К.И., ШМАКОВ В.А., ШАДРИН А.В., НАНОСТРУКТУРЫ ЛПЯ IT КИСЛИНСКИЙ Ю.В., АНДРЕЕВ Н.В., МИЛОВИЧ Ф.О., ОРЛОВ А.П., ЛЕГА П.В. НАНОС'рУК'Уры ДП 'Я I'
Anton V. Shadrin
Moscow Institute of Physics and Technology, https://mipt.ru/ Dolgoprudny 141701, Moscow Region, Russian Federation E-mail: shadrinan@mail.ru Nikolay V. Andreev, Filipp O. Milovich
National Research Technological University "MISiS", https://misis.ru/ Moscow 119049, Russian Federation
E-mail: andreevn.misa@gmail.com, filippmilovich@mail.ru
Received Oktober 20, 2021, peer-reviewed Oktober 27, 2021, accepted November 08, 2021
Abstract: The paper presents the results of fabrication and structural study of SrIrO3/ La07Sr03MnO3 heterostructures. The results of experimental studies of the spin current arising in the regime of ferromagnetic resonance are presented. The spin-orbit interaction present in 5d-oxides of transition metals, which is SrIrO3, provides an effective conversion of spin current to charge current due to the inverse spin Hall effect. The angular dependence of spin magnetoresistance makes it possible to determine the angle of the spin Hall effect. Keywords: spin-orbit interaction, heterostructures, transition metals, topological symmetry, magnetoelectric effects PACS: 75.47.Lx, 75.25.-j
Acknowledgments: This work was carried out within the framework of the state task of the Kotel'nikov Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Sciences and Russian Foundation for Basic Research No.19-07-00143. The study was carried out using the Unique Science Unit "Cryointegral" (USU #352529), which was supported by the Ministry of Science and Higher Education of Russia (Project No. 075-15-2021-667). Structural investigations were carried out using the equipment of the Center "Material Science and Metallurgy" with the financial support of Ministry of Education and Science of Russian Federation (№ 075-15-2921-696).
For citation: Gennady A. Ovsyannikov, Karen Y. Constantinian, Vladislav A. Shmakov, Anton V. Shadrin, Yulii V. Kislinski, Nikolay V Andreev, Filipp O. Milovich, Andrey P. Orlov, Peter V. Lega. Spin current and spin magnetoresistance of the heterostructure iridate/manganite interface. RENSIT: Radioelectronics. Nanosystems. Information technologies, 2021, 13(4):479-486. DOI: 10.17725/ rensit.2021.13.479.
Содержание
1. Введение (480)
2. гетероструктуры манганит/иридат (481)
3. Спиновый ток (482)
4. Спиновое магнитосопротивление (484)
5. заключение (485) литература (485)
1. ВВЕДЕНИЕ
Значительный прогресс микроэлектроники в области информатики в последнее время обусловлен использованием зарядовых свойств электронов. Использование спинов электронов открывает новые возможности микроэлектроники, особенно в области
отвода тепла от элементов субмикронных размеров. Элементы спинтроники позволяют решить проблему теплоотвода, поскольку перенес спинов (спиновый ток) не связан с тепловыделением.
Детектирование и генерация спинового тока требуют совершенно иного подхода к задаче, целью которой является конвертация спинового тока в зарядовый, который используется в современных системах. При этом используется спиновый эффект Холла, который обеспечивает конвертацию спинового тока в зарядовый и обратно в парамагнитных металлах [1]. Эффективность
НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ 1Т
конвертации определяется параметром — углом спинового эффекта Холла 0 который может быть определен как отношение спинового сопротивления Холла к зарядовой проводимости парамагнитного металла и получен из нелокальных магнитотранспортных измерений (см., например, [2]).
Наиболее распространённым методом является использование спиновой накачки в режиме ферромагнитного резонанса (ФМР) в гетероструктуре парамагнитный металл/ ферромагнетик [3-6]. Однако большое число параметров, определяющих величину спинового тока, не позволяет определить с хорошей точностью величину спинового тока. В результате наблюдается большой разброс экспериментально полученных значений 0 для одого и того же материала. Число параметров в соотношении между 0 и спиновым магнитосопротивлением значительно меньше. В результате измерений спинового сопротивления удается определить величину 0 с большей точностью.
В данной работе представлены результаты изготовления и структурного исследования гетероструктур Зг1Ю3^а0 7Бг0 3Мп03,
результаты экспериментальных
исследований спинового тока,
возникающего в режиме ферромагнитного резонанса, и магнитосопротивления. Обсуждаются влияние анизотропного магнитосопротивления и Рашба
параметра на спин-зависимые параметры гетероструктур.
2. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ МАНГАНИТ/ ИРИДАТ
Тонкие плёнки иридата стронция Бг1г03 и манганита La07Sr03MnO3 нанометровой толщины осаждались на монокристаллические подложки (110) NdGaO3. Рост эпитаксиальных плёнок осуществлялся методом магнетронного
СиКсЛ - ' &
Рис. 1. Рентгеновская дифрактограмма бреговского отражения РЧ/ЗгЮ /Ъа0 -£г0 МпО3/NdGaO.
Звездочкой отмечены отражения от платиновой пленки.
напыления при температурах подложки 770-800°С в смеси газов А и 02 с давлением 0.3 тВаг [5,6].
Кристаллическая структура полученных гетероструктур была исследована с помощью методов рентгеноструктурного анализа и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Мы будем описывать кристаллическую решетку SгIгO3 и La07Sr03MnO3 как искаженный псевдокуб с параметрами решетки а = 0.396 пт и = 0.389 пт соответственно [6].
На Рис. 1 представлена дифрактограмма полученной гетероструктуры. Можно наблюдать кратные отражения от плоскости (001) иридата стронция SгIгO3, отражения (110) подложки NdGaO3, совпадающие с отражениями от плоскости (001) La07Sr03MnO3, а также отражения от платинового электрода. Таким образом, можно сделать вывод, что рост гетероструктуры осуществляется по механизму "куб на куб" со следующими соотношениями: (001)
SrIЮJ|(001)LaSrMnOJ|(110)NdGaO3
и
[100] SгIгO3 ||[100]La07Sr03MnO31|[001] NdGaO3 [6].
На Рис. 2 представлено ПЭМ изображение поперечного среза гетероструктуры, полученного с помощью просвечивающего электронного микроскопа }ЕМ-2100 на
482 ОВСЯННИКОВ Г.А., КОНСТАНТИНЯН К.И., ШМАКОВ В.А., ШАДРИН А.В., КИСЛИНСКИЙ Ю.В., АНДРЕЕВ Н.В., МИЛОВИЧ Ф.О., ОРЛОВ А.П., ЛЕГА П.В.
НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ IT
LSMO
001 111
А.
LSMO
UÜ4 1
t ¡;°
101
t ™
101 ' n
. oto 121
101
Рис. 2. ПЭМ изображение поперечного среза гетероструктуры Pt/Srlrüß/La0 ?Sr0 3MnO3/NdGaO3 (Pt/SIO/LSMO/NGO), покрытой толстым слоем платины для стекания заряда. Справа показана дифракция электронов от областей подложки NdGaO3 и пленки La0Sr0MnOß.
200 kV. Элементный анализ проводился рентгеновской дисперсионной системой OXFORD Instruments, INCA Energy. Пластинка поперечного среза образца для просвечивающей электронной микроскопии была изготовлена с использованием фокусированного ионного пучка в растровом электронно-ионном микроскопе CrossBeam Neon 40 EsB, производства компании Carl Zeiss, имеющего автоэмиссионную электронную и галлиевую ионную пушку с разрешением 1 и 7 нм. Установка оснащена микроманипулятором и газовой инжекционной системой для локального осаждения газов-прекурсоров (Pt, W и т.п.). Для защиты от повреждений на поверхности образца формировался слой металлической маски (Pt) толщиной до 2 мкм. Для получения среза и его утоньшения (полировки) использовались ионы Ga+ с энергией 30 кэВ с постепенным уменьшением тока травления от 5 нА до 5 пА. Для удаления аморфного слоя на финальной стадии энергия ионов понижалась до 5 кэВ.
Предположительно во время
приготовления образца для ПЭМ, верхний слой SrIrO3 был поврежден — аморфизовался при взаимодействии с пучком ионов галия.
Рис. 3. Поверхность пленки Ьа0^г03МпО3, снятая на атомно-силовом микроскопе.
При этом слой La07Sr03MnO3 остался неповрежденным. На изображении высокого разрешения мы можем наблюдать чётко выраженную ровную границу между слоем La07Sr03MnO3 и подложкой NdGaO3. Следовательно, наблюдается эпитаксиальное соответствие между слоем и подложкой. На вставке к рисунку приведены Фурье изображения от областей рисунка, соответствующих подложке и слою La07Sr03MnO3, также подтверждающие эпитаксиальный рост. На Рис. 3 показано поперечное сечение поверхности
La07Sr03MnO3 пленки, полученное с помощью атомно-силового микроскопа. Неровности по вертикали 1-2 nm не превышают толщину верхней пленки SrIrO3. По горизонтали размеры неровности 50-70 пш.
3. СПИНОВЫЙ ТОК
Ширина линии ферромагнитного резонанса (ФМР) АН характеризует затухание спиновой прецессии. В гетероструктуре ферромагнетик/нормальный металл
наблюдается увеличение АН, вызванное генерацией спинового тока через границу [7]. При СВЧ воздействии в режиме ФМР в плёнке ферромагнетика через границу протекает спиновый ток ) который определяется спиновой проводимостью границы ^ и амплитудой прецессии магнитного момента т, вызванного СВЧ магнитным полем [4,8,9]
И 2
= — (т&т / &) . (1)
Величина спиновой проводимости
НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ IT
обычно определяется из увеличения спинового затухания, вызванного протеканием спинового тока. В нашем случае выражение для спиновой проводимости границы
SrIrO3/
La07Sr03MnO3 имеет вид
(AHSIO / LSMO AHlsmo ), (2)
tl 4nrgMstLSMO g =—g-
где намагниченность плёнки La07Sr03MnO3 Ms = 300 Oe, определённой из величины резонансного магнитного поля ФМР, /LSMO = 12 nm толщина плёнки La07Sr03MnO3, ц = 9.27440-21 erg/G — магнетон Бора, g = 2, yg = 17.605406 s-1G-1 — гиромагнитное отношение для свободных электронов и со = 2тс^9.5Р109 s-1 — частота СВЧ воздействия. При комнатной температуре увеличение ширины ФМР AH - АН = 20 Oe что даёт
SIO/LSMO LSMO ' А
tl
g^ = М018 m-2 для SrIrO3/La07Sr03MnO3
tl
гетероструктруы. Отметим, что gfff = 1.3-1018 m-2 было получено в [10] для гетероструктуры SrIrO3/La07Sr03MnO3, полученной методом лазерной абляции.
Для детектирования спинового тока используется обратный спиновый эффект Холла [3,8]. При этом отношение спинового и зарядового токов определяется безразмерным параметром - спиновым углом Холла #SH:
(3)
JlSHE =0^^ [П X Л J >
Рис. 4. Спектр напряжения, вызванного спиновым током, f = 2.6 GHz, T = 300 K Закрашенные круги — экспериментальные точки, красная кривая — аппроксимация линией Лоренца и антисимметричной составляющей анизотропного магнитосопротивления, синяя кривая — антисимметричная часть анизотропного магнитосопротивления, зеленая кривая — сумма симметричной части анизотропного магнитосопротивления и сигнала спинового тока.
V = [V^HH) + VAmrL'(H)] sin 2% sin %
+VQL( H )cos%,
(4)
где n - единичныи вектор направления спинового момента.
Измеряется зависимость напряжения на верхней плёнке V(H) при свипировании магнитного поля вблизи резонансного значения ФМР. На Рис. 4 показана магнитно-полевая зависимость напряжения на плёнке SrIrO3 в условиях ферромагнитного резонанса на частоте 2.6 GHz. Экспериментальная зависимость хорошо аппроксимируется ниже приведённой формулой с учетом влияния спинового тока и вклада от анизотропного магнитосопротивления (AMR) [11,12]:
где L(H) = AH2/[(H - H0)2 + AH2] -симметричная часть функции Лоренца, L'(H) = AH(H - H0)/[(H - H0)2 + AH2] -антисимметричная часть функции Лоренца, VM и VM амплитуды симметричной и асимметричной частей вклада AMR, VQ(H) - напряжение на пленке SrIrO3, вызванное протеканием спинового тока через границу, ф0 - угол между направлением внешнего магнитного поля и нормалью к направлению напряжения, вызванного током обратного спинового эффекта Холла. Для ф0 = 45°, предполагая,
что отношение vamr / vamr = -tgф ~ - 1 [11] где ф - разность фаз между СВЧ током и
СВЧ намагниченностью, из амплитуды
тгЛ
VAMR получаем, что вклад от спинового тока VQ составляет менее 10% от величины
vs q
484 ОВСЯННИКОВ Г.А., КОНСТАНТИНЯН К.И., ШМАКОВ В.А., ШАДРИН А.В., КИСЛИНСКИЙ Ю.В., АНДРЕЕВ Н.В., МИЛОВИЧ Ф.О., ОРЛОВ А.П., ЛЕГА П.В.
НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ IT
4. СПИНОВОЕ
МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
Магнитно-полевая зависимость изменения нормированного магнитосопротивления (МС) гетероструктуры показана на Рис. 5. Нормировка приведена на сопротивление при h = 0. Направления изменения магнитного поля указано стрелками. Виден гистерезис изменения магнитосопротивления.
Максимальное значения изменения МС составляет 0.032%. Поле было направлено перпендикулярно направлению протекания тока (угол ф = 90° на Рис. 5а).
Полевая зависимость МС следует кривой намагниченности манганита
[13]. Малое значения ширины петли гистерезиса вероятно вызвано эффектом близости (проникновением магнитного параметра порядка из Ьа0 7Бг0 3Мп03 пленки в Бг1г03).
Следуя теории [14], с учетом проводимости ферромагнетика Ьа0 7Бг0 3Мп03 плёнки выражение для спинового сопротивления (БМИ) выглядит следующим образом [15]
AR R
где 0,
örn^gR tanh'fc/o/2As )
(1 + П)tsia[1 + gR coth(¡SID 1A )]
(5)
SH
и XS - спиновый угол и длина спиновой
диффузии в SrïrO плёнке. n = PsioWo/
РьзМо£зю = 0.33 определяются удельными сопротивлениями иридата и манганита рзю = 3-10"4 Осш и = 1.1-10"3 Осш, а также
• ЬБМО '
толщинами этих пленок 1^8МО = 12 пш и 1: = 10 пш, = Ьр5Ю^5 g /е2. Используя данные для величины спинового сопротивления границ [6] g = 1018 ш-2 и величину Х8 = 1 пш, получаем = 0.12. При условии >> Л„ соотношение (5)
Ь
Рис. 5. (а) - топология измерений5г1гО/Ьа0 .£г0 МпО. (Ь) - магнитно-полевая зависимость изменения нормированного магнитосопротивления гетероструктуры. Нормировка приведена на сопротивление при Н = 0. Направления изменения магнитного поля указаны
получаем gR „ >> XS соотношение (5) упрощается. Подставляя вычисленные выше параметры получаем, что 0SH ~ 0.2. Предполагая, что анизотропное магнитосопротивление
(АМР) даёт аддитивный вклад в сопротивление гетероструктуры наряду со спиновым током, получаем, что величину 0SH необходимо уменьшить в корень из отношения амплитуды симметричного сигнала АМР и сигнала от спинового тока в режиме ферромагнитного резонанса
4vq / VAMR = 0.3 [6].
Заметим, что наряду со спиновым магнитосопротивлением, существует
Рашба-Эдельштейн магнитосопротивление, которое возникает из-за процессов, возникающих на границе с нарушенной симметрией инверсии [16-18]. Недавно этот эффект был исследован экспериментально в Bi/Ag/ферромагнетик многослойке [19], вызванный неравновесной спиновой аккумуляцией спинов на границе.
НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ IT
5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Изготовлены и исследованы структурные параметры гетероструктуры SrIrO3/ La07Sr03MnO3. На просвечивающем электронном микроскопе наблюдался эпитаксиальный рост двух плёнок на подложке из NdGaO3, который подтверждался рентгеноструктурными
измерениями. Двумя методами по прямому измерению напряжения, индуцированному возникающим в режиме ферромагнитного резонанса спиновым током, и измерению спинового сопротивления определена величина спинового угла Холла. Наблюдалось сильное влияние анизотропного магнитосопротивления на параметры спинового транспорта.
ЛИТЕРАТУРА
1. Zhang S. Spin Hall Effect in the Presence of Spin Diffusion. Phys. Rev. Lett., 2000, 85:393.
2. Mihajlovic G, Pearson JE, Garcia MA, Bader SD, and Hoffmann A. Negative Nonlocal Resistance in Mesoscopic Gold Hall Bars: Absence of the Giant Spin Hall Effect. Phys. Rev. Lett., 2009, 103:166601.
3. Saitoh E, Ueda M, Miyajima H, and Tatara G. Conversion of spin current into charge current at room temperature: Inverse spin-Hall effect. App1. Phys. Lett., 2006, 88:182509.
4. Mosendz O, Vlaminck V, Pearson JE, Fradin FY, Bauer GEW, Bader SD, and Hoffmann
A. Detection and quantification of inverse spin Hall effect from spin pumping in permalloy/normal metal bilayers. Phys. Rev.
B, 2010, 82:214403.
5. Shaikhulov TA, Ovsyannikov GA, Demidov VV, Andreev NV. Magnetic and Resistive Properties of Magnetite/Iridate Heterostructures. Journal of Experimental and Theoretical Physics, 2019 129:112.
6. Ovsyannikov GA, Shaikhulov TA; Stankevich
KL, Khaydukov Yu, Andreev NV Magnetism at an iridate/manganite interface: Influence of strong spin-orbit interaction. Phys. Rev. B, 2020, 102:144401.
7. Shaikhulov TA, Ovsyannikov GA. Attenuation of Spin Precession in Manganite/Normal Metal Heterostructures. Physics of the Solid State, 2018, 60:2231.
8. Tserkovnyak Ya, Brataas A, Bauer G E W Enhanced Gilbert damping in thin ferromagnetic films. Phys. Rev. Lett, 2002, 88:117601.
9. Fengyuan Yang and P. Chris Hammel. FMR-driven spin pumping in Y3Fe5O12-based structures. J. Phys. D: Appl. Phys., 2018, 51:253001.
10. Crossley S, Swartz AG, Nishio K, Hikita Y, and Hwang HY. All-oxide ferromagnetic reso-nance and spin pumping with SrIrO3. Phys. Rev B, 2019, 100:115163.
11. Azevedo A, Vilela-Leao LH, Rodriguez-Suarez RL, Lacerda Santos AF, Rezende SM. Spin pumping and anisotropic magnetoresistance voltages in magnetic bilayers: Theory and experiment. Phys.Rev. B, 2011, 83:144402.
12. Atsarkin VA, Borisenko IV, Demidov VV, Shaikhulov TA. Temperature dependence of pure spin current and spin-mixing conductance in the ferromagnetic-normal metal structure. J. Phys. D, 2018, 51:245002.
13. Ovsyannikov GA, Petrzhik AM, Borisenko IV, Klimov AA, Ignatov YA, Demidov VV, Nikitov SA. Magnetotransport characteristics of strained La0 7Sr0 3MnO3 epitaxial manganite films. Journal of Experimental and Theoretical Physics, 2009, 108:48.
14. Chen Y-T, Takahashi S, Nakayama H, Althammer M, Goennenwein STB, Saitoh E, and Bauer GEW. Theory of spin Hall magnetoresistance. Phys. Rev. B, 2013, 87:144411.
486 ОВСЯННИКОВ Г.А., КОНСТАНТИНЯН К.И., ШМАКОВ В.А., ШАДРИН А.В., НАНОСТРУКТУРЫ ЛПЯ 1Т КИСЛИНСКИЙ Ю.В., АНДРЕЕВ Н.В., МИЛОВИЧ Ф.О., ОРЛОВ А.П., ЛЕГА П.В. НАНОС'рУК'Уры ДП 'Я
15. Du Ye, Takahashi Saburo and Nitta Junsaku. Spin current related magnetoresistance in epitaxial Pt/Co bilayers in the presence of spin Hall effect and Rashba-Edelstein effect. Phys. Rev. B, 2021, 103: 094419.
16. Manchon A, Koo HC, Nitta J, Frolov SM, and Duine RA. New perspectives for Rashba spin-orbit coupling. Nat. Mater., 2015, 14:871.
17. Emori Satoru, T Nanianxiang, Belkessam Amine M, Wang Xinjun, Matyushov Alexei D Babroski, Christopher J, Gao Yuan, LinHwaide, and Sun Nian X. Interfacial spin-orbit torque without bulk spin-orbit coupling. Phys. Rev. B, 2016, 93:18040.
18. Akio Asami, Hongyu An, Akira Musha, Makoto Kuroda, and Kazuya Ando. Spin absorption at a ferromagnetic-metal/ platinum-oxide interface. Physical Review B, 2019, 99:024432.
19. Kim J, Chen Y-T, Karube S, Takahashi S, Kondou K, Tatara G, and Otani Y. Evaluation of bulk-interface contributions to Edelstein magnetoresistance at metal/oxide interfaces. Phys.Rev.B, 2017, 96:140409(R).
Овсянников Геннадий Александрович
д.ф.-м.н.
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
11/7, ул. Моховая, Москва 125009, Россия
gena@hitech.cplire.ru
Константинян Карен Иванович
к.ф.-м.н.
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
11/7, ул. Моховая, Москва 125009, Россия
karen@hitech.cplire.ru
Шмаков Владислав Алексеевич
инженер
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
11/7, ул. Моховая, Москва 125009, Россия
shmakov-va@hitech.cplire.ru
Шадрин Антон Викторович
к.ф.-м.н.
Московский физико-технический институт Долгопрудный 141701, Моск. обл., Россия shadrinant@mail.ru Кислинский Юлий Вячеславович
к.ф.-м.н.
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
11/7, ул. Моховая, Москва 125009, Россия
yuli@hitech.cplire.ru
Андреев Николай Валерьевич
к.ф.-м.н.
Нац. иссл. технологич. университет МИСиС 4, Ленинский просп., Москва 119991, Россия andreevn.misa@gmail.com Милович Филипп Олегович
к.ф.-м.н.
Нац. иссл. технологич. университет МИСиС 4, Ленинский просп., Москва 119991, Россия filippmilovich@mail.ru Орлов Андрей Петрович
к.ф.-м.н.
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
11/7, ул. Моховая, Москва 125009, Россия
orl@cplire.ru
Лега Петр Викторович м.н.с.
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
11/7, ул. Моховая, Москва 125009, Россия
lega_peter@list.ru.
