CC BY
12"CHRONOS": мультидисциплинарные науки Том 6 #8(70), 2022
33
Abstract: Insulated-gate bipolar transistor is a cunningly composed hybrid of field-effect and bipolar transistors. At the same time, it has adopted the main advantages of the two main types of transistors and has found wide application in high-power and high-voltage devices.
Ключевые слова: транзистор, гибрид, биполярные, полевые, мощность, электроника.
Key words: transistor, hybrid, bipolar, field, power, electronics.
Транзистор, или полупроводниковый триод - это регулирующее устройство, которое управляет потоком энергии от источника к нагрузке. Существует два главных типа таких регулирующих устройств: биполярные и полевые. Первый тип состоит из трех контактирующих полупроводниковых областей, виды проводимостей которых чередуются. Эмиттер - наиболее легированная область транзистора, то есть в ней наибольшее количество свободных зарядов. База - тонкая и слабо легированная область. Коллектор - это область, которая имеет наибольший объем и имеет хороший тепловой контакт с корпусом.
Рассмотрим принцип работы на биполярном транзисторе n-p-n типа (рис.1). Когда напряжение база-эмиттер достаточно чтобы открыть первый p-n переход, электроны из эмиттера переходят в базу. Данный процесс называется инжекцией зарядов. Затем происходит диффузия электронов от первого перехода ко второму. Далее, под действием напряжения коллектор-база и напряжения создаваемым вторым p-n переходом электроны, движутся в коллектор.
Рис. 1. Строение и обозначение биполярного транзистора n-p-n типа
Таким образом, относительно малым током со стороны базы можно управлять довольно значительным током со стороны коллектора.
Второй вид - полевые (униполярные) транзисторы. Они бывают с управляющим p-n переходом и с МОП структурой. Оба вида униполярного устройства бывают с каналами p и п типов. Затвор, исток и сток - части униполярного транзистора. Они образую некую аналогию с базой, эмиттером и коллектором соответственно. Однако принцип действия полевых транзисторов довольно отличается в зависимости от внутреннего устройства.
Рассмотрим строение униполярного транзистора МОП структуры с индуцируемым каналом п типа (рис.2). P-область слабо легирована, а n-области легированы значительно. Сверху, между двумя областями п проводимостей, нанесен тонкий слой диэлектрика (окись кремния). На слой диэлектрика нанесен тонкий слой металла. Отсюда и название - аббревиатура МОП означает металл-окись-полупроводник, также такие транзисторы могут встречаться под названием МДП - металл-диэлектрик-проводник. В отличие от биполярных транзисторов, полевые транзисторы МОП структуры имеют 4-ый
вывод - подложку, она служит для обеднения или обогащения (это зависит от разности потенциалов между затвором и истоком) канала заряженными частицами.
Когда подается положительная разность потенциалов между затвором и истоком, которая больше некоторого порогового значения, произойдет выход электронов из подложки к металлической пластине, тем самым увеличивается концентрация носителей меж двух областей п проводимости, и создается канал, по которому пойдет ток.
Рис 2. Полевой транзистор МОП структуры со индуцируемым каналом п-типа
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT), как следует из названия, является смешением биполярного и униполярного транзисторов [1] (униполярный транзистор МОП структуры). Первый отвечает за силовой канал, а второй - за канал управления.
Рис. 3. Обозначение IGBT транзистора. C-коллектор, E-эмиттер, G-затвор
Роль силовых полупроводниковых элементов до недавнего времени играли биполярные транзисторы, которые имеют ряд недостатков, ограничивающих эффективность применения: для включения требуется значимый ток со стороны базы; так как ток коллектора не исчезает сразу при
"СНЯОЫОБ": мультидисциплинарные науки Том 6 #8(70), 2022
35
прекращении подачи управляющего тока, появляется сопротивление в цепи коллектора, что приводит к нагреву транзистора; характеристики довольно восприимчивы к температуре. Позднее стали появляться униполярные транзисторы структуры металл-окись-полупроводник, которые привнесли новшества. Такого рода транзисторами управлять довольно легко, и они имеют интегрированный диод утечки для сдерживания стохастических скачков тока. В период с 1970-го по 1980-го года в СССР были созданы одни из первых мощных униполярных транзисторов [4]. В 77 году продемонстрировали новый транзистор, где униполярный управляет мощным биполярным транзистором. Выходные характеристики перешли от биполярного транзистора, а входные — от униполярного. При этом биполярный транзистор в составе этого транзистора не насыщается, что значительно сокращает задержку при отключении [5] и это является преимуществом таких элементов при использовании их как силовых ключей. Первое поколение IGBT не пользовалось популярностью в силу явных минусов — долгого переключения и ненадёжности. Последующие поколения ЮВТ почти лишились этих минусов.
Принцип работы (рис. 4) можно описать двумя ступенями: когда появляется положительная разность потенциалов, между затвором и истоком включается униполярный транзистор. Сразу начинают двигаться заряды из области электронной проводимости в область дырочной проводимости, что заставляет открыться биполярный транзистор, из-за чего образуется ток между эмиттером и коллектором.
Как упомянуто выше, IGBT приобрел лучшие стороны обоих транзисторов: малая остаточное разность потенциалов, характеристики переключения и проводимость - преимущества первого; большое входное сопротивление и малая управляющее мощность - преимущества второго. Могут использоваться при силе тока от 10 А до 1,2 кА, и при разности потенциалов от 100 до 10000 В.
К (С)
Э(Е)
Рис. 4. Упрощенная эквивалентная схема БТИЗ Список литературы:
1.Рогачев К. Д. Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) // Справочник по электронным компонентам «Рынок Микроэлектроники» [Электронный ресурс]: https://web.archive.org/web/20160928012059/http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/igbt/transistor.htm (дата обращения 26.07.2022).
2.Дьяконов В. П., Максимчик А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах // Изд-во СОЛОН-Р, 2002. - 512 с.
3.Дьяконов В. П., Бачурин В. В., Ремнев А. М. Статические вольт-амперные характеристики ненасыщающихся составных транзисторов на биполярных и полевых транзисторах // Известия вузов. Приборостроение, 1980. - №4. - С. 6.
© Т. А. Капен, 2022
ТРАНСФОРМАЦИЯ ЛЕКСИЧЕСКИХ ЕДИНИЦ В ИНТЕРНЕТ-ПРОСТРАНСТВЕ (НА МАТЕРИАЛЕ СОЦИАЛЬНОЙ СЕТИ «ВКОНТАКТЕ»)
Балаева Залина Иссаевна,
магистрант
ФГБОУ ВО «Ингушский государственный университет», г.Магас
Balayeva Zalina Isaevna Ingush State University, Magas Научный руководитель: Добриева Зейнаб Израиловна, Доцент, к.ф.н.
TRANSFORMATION OF LEXICAL UNITS IN THE INTERNET SPACE (BY THE MATERIAL OF THE SOCIAL NETWORK "VKONTAKTE")
Аннотация: В данной статье представлен анализ лексики, актуальной для интернет-пространства, в частности, социальных сетей. Исследуется происхождение выбранных слов и интерпретируется семантическое наполнение лексем. Также обозначена роль неологем, сленга с точки зрения их функционирования в тексте, их роль и значение.
Abstract: This article analyzes the current vocabulary for the Internet space, in particular, social networks. The origin of the selected words is investigated and the semantic content of the lexemes selected for analysis is interpreted. The role of neologems, slang from the point of view of their functioning in the text, their role and meaning is also indicated.
Ключевые слова: лексическое значение, семантика, неологема, Интернет, словообразование, сленг, коммуникация.
Keywords: lexical meaning, semantics, neologeme, Internet, word formation, slang, communication.
В XXI веке коммуникативные возможности социума становятся шире с развитием интернет-технологий. Интернет-пространство имеет возможности проникновения в жизнь каждого человека, что характеризуется появлением различных социальных сетей, имеющих разнородных пользователей. «Социальные сети представляют собой открытое креативное пространство, генерирующее новые языковые формы и речевые новации для коммуникации, опосредованной Интернетом» [1, с.3]. Так, появление новых слов, речевых оборотов определяется характером выражения определенной мысли посредством комментария, публикации, сообщения к конкретному событию, явлению в Интернете.
«Актуальная лексика, возникающая в социальных сетях, отражает новые возможности, которые постоянно появляются у пользователей Интернета благодаря развитию информационных технологий» [2, с. 142]. Возникновение новых лексических единиц объясняется развитием информационного общества, активно идущего вперед, развиваясь и определяя новые явления, профессии, предметы, которые требуют наименования. Данное явление в языке интернет-пространства подчеркивает спонтанность мысли, отражающейся в сети сразу, не проходя «фильтрации» речи, что позволительно ввиду специфики интернет-коммуникации, ее норм общения.
В нашей статье мы анализируем лексику, актуальную в пространстве социальной сети «ВКонтакте», которая отражена в различного рода текстах к описаниям публикаций, а также комментариях. Мы отобразили в нашем исследовании лишь некоторые лексемы из множества, показавшиеся нам наиболее частотными по употреблению.
В ходе нашего исследования нами были обнаружены лексемы, имеющие англоязычное происхождение, которые характеризуют неологизмы, появившиеся путем заимствования:
Ура, стикерпак с Марией готов!
Стикер (от англ. sticker - 'этикетка, ярлык', 'клейкое вещество') - небольшой лист бумаги с клеящейся стороной для различных поверхностей. Однако в Интернете, в частности, в социальных сетях данная лексема обозначает ту же наклейку, только виртуальную внутри текста, сообщения. Данная лексема мотивирует на создание неономинации стикерпак (с англ. sticker + park). Так, мы наблюдаем словообразовательные процессы с неологизмами, которые являются производящими для новых слов. Слова подобного рода фиксируются в активный словарь носителя, так как современное общество, называемое информационным, находится в тесном контакте с Интернетом.
Примечательно отметить многочисленные сокращения слов, адаптированные на разговорный стиль:
Чет не заходит мне такое! Лексема чет в значении 'что-то'. А чо? Старая инфа (информация). Админ (администратор) группы совсем не следит за ней. О, ну эт прям за минуту до выхода.
В приведенных в пример предложениях мы наблюдаем неполное воспроизведение лексем, то есть их усечение. Чаще всего такую трансформацию мы наблюдаем в местоимениях, существительных.
Стоить отметить, что в наименованиях некоторых сообществ выбранной нами социальной сети мы нашли графическую игру, выделяющую сразу несколько значений в одной лексеме:
