Анализ процессов на границе кремний-двуокись кремния при ультратонком окислении кремния световыми потоками Текст научной статьи по специальности «Физика»

УДК 621.382.2.029.64

Е.Ф. Супрунова

О ВЛИЯНИИ ПАРАМЕТРОВ ВНЕШНЕГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЪЕМА ПОЛУПРОВОДНИКА

Полупроводниковые приборы с объемной рекомбинационной нелинейностью используются не только в качестве оптически управляемых элементов, но и в качестве селективных фотоэлементов для преобразования и детектирования модулированных световых колебаний в линиях локальной оптической связи.

Решая уравнение кинетики рекомбинации с учетом воздействия переменного поля и модулированного светового потока получены составляющие концентрации и определены величины проводимости в зависимости от параметров внешнего воздействия. Рассмотрен процесс формирования плотности полного спектра тока при преобразовании модулирующей поднесущей света с учетом зависимости концентрации носителей в полупроводнике от скорости движения, затем и от энергии, что реализуется в различных режимах работы приборов на горячих носителях. Введенные приближения оцениваются сравнением полученных решений со случаем воздействия на объем полупроводника только переменного электрического поля [1,2].

Учет зависимости концентрации от энергии позволяет уточнить параметры объема и оценить влияние на законы токопрохождения греющего поля и воздействующего светового потока. Полученные соотношения позволяют вычислить комплексную проводимость прибора, определить ее зависимость от параметров светового потока и воздействующего переменного электрического поля, а из сравнения величин проводимости при учете зависимости концентрации носителей от энергии и без таковой можно найти величины составляющих комплексной подвижности для горячих носителей.

1.Малышев В. А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела. Ростовский Госун-т, Ростов н/Д, 1979, - 264 с.

2.Малышев В.А. Бортовые активные устройства сверхвысоких частот. Л: Судостроение, 1990, - 264 с.