Анализ инжекционных полупроводниковых лазеров методом определения бифуркационных состояний исследуемой колебательной системы Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

УДК 621.373.8

М.В. Орда-Жигулина, С.С. Михеев АНАЛИЗ ИНЖЕКЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ МЕТОДОМ ОПРЕДЕЛЕНИЯ БИФУРКАЦИОННЫХ СОСТОЯНИЙ ИССЛЕДУЕМОЙ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ

Обсуждаются результаты анализа а устойчивости ИПЛ на основе поведения

характеристических параметров а, А, Ц [1]. На рис.1,2 показано поведение исследуемой колебательной системы при изменении электродинамических параметров ИПЛ - рабочего тока ИПЛ I и времени жизни избыточных носителей ч -|-210 8 зарядов т. Параметр I характеризует ИПЛ как грубую систему. При значении I = 1к первая ляпуновская величина Ц претерпевает разрыв. Изменение знаков характеристических параметров а , А переводит систему в область затухания периодических колебаний (рис.1). Устойчивое состояние ИПЛ не зависит от изменения параметра I до значения I = ^ . При изменении т система также грубая (рис.2), однако бифуркации отсутствуют, колебания устойчивы, Ц1, а, А плавно изменяются, стремясь к постоянному значению, что говорит о приобретении ИПЛ запаса устойчивости колебаний.

Литература:

1. Баутин Н.Н., Леонтович Е.А. Поведение динамических систем вблизи границ области устойчивости.- М.: Наука, 1984,-176с.

Рис.

а А

Рис.2