CC BY
53
УДК 543.257.5;473.45.33
АЛГОРИТМЫ ИЗМЕРЕНИЯ И СКАНИРОВАНИЯ ПРОТИВОРАДИОЛОКАЦИОННЫХ ПОКРЫТИЙ
Н.П. Федоров, П.А. Федюнин, Д.А. Дмитриев, С.Р. Каберов
Тамбовский военный авиационный инженерный институт Представлена членом редколлегии профессором С.В. Мищенко
Ключевые слова и фразы: волновое сопротивление; диэлектрическая проницаемость; магнитная проницаемость; неразрушающий контроль; поверхностная волна.
Аннотация: Предложены новые методы и алгоритмы измерения параметров противорадиолокационных покрытий, в том числе волнового сопротивления, локализации и оценки неоднородностей с большим градиентом. Используется информативное взаимодействие поверхностных медленных волн со сложной структурой.
Предлагаемые нами методы определения электрофизических параметров и коррелированных с ними теплофизических характеристик (ТФХ) противорадиолокационных покрытий на металле центроплана летательного аппарата (ЛА) используют явление «разлития» поверхностной волны по плоскости и быстродействующего сканирования результатов взаимодействия поля медленной волны со слоем покрытия в функциях комплекса определяемых параметров: относительной диэлектрической е , магнитной проницаемости ц и толщины покрытия Ь .
Методы основаны на том, что поле поверхностной (медленной) волны Е (Н) при распространении вдоль слоя «диэлектрик - металлическая поверхность» затухает по оси У, причем величина коэффициента затухания ап в случае отсутствия существенного градиента электрофизических параметров неоднородностей исследуемого слоя не является функцией координаты у, то есть процесс его измерения инвариантен положению датчика по оси у, что является большим преимуществом (рис. 1).
Все существующие методы определения электрофизических параметров покрытия на металле со всеми их достоинствами и недостатками используют два глобальных способа взаимодействия полей в информативных целях.
1. Взаимодействие квазистационарных магнитных и электрических полей относительно низких частот (менее 1 МГц).
2. Вне зависимости от способа измерения (амплитудный, фазовый и т.д.) информативно используется результат интерференции однородных бегущих в свободном пространстве над слоем волн диапазона СВЧ.
Нами впервые рассмотрена возможность использования в информативных целях определения электрофизических параметров так называемых медленных поверхностных неоднородных волн. Их характерной особенностью является то, что направление распространения ортогонально направлению недиссипативного затухания. Это затухание и является информативным параметром для режима разных мод, возбуждаемых в слое.
диэлектрических и магнитоэлектрических покрытий на металле и оценки их относительной величины:
1 - устройство возбуждения медленных поверхностных волн; 2 - металлическая подложка;
3 - поверхностный слой исследуемого покрытия; 4 - приемные вибраторы или линейка эквидистантных приемных вибраторов (ЛИВ); 5 - электромагнитный экран (ЭМЭ)
Задача сканирования величины волнового сопротивления противорадиоло-кационных покрытий летательных аппаратов является на данный момент весьма актуальной. Величина волнового сопротивления должна обеспечивать согласованное поглощение облучающих волн в СВЧ диапазоне и одновременно максимальное поглощение и не отражение волн инфракрасного (ИК) диапазона (максимальное объемное теплопоглощение).
Разработанный комплекс методов и устройств [1 - 4] измерения параметров магнитодиэлектрических покрытий на металлической подложке использует взаимодействие поля медленной «разлитой» электромагнитной волны с двухслойной системой «магнитоанизотропный материал - металл».
Методы сканирования волнового сопротивления /&в спиновых магнитодиэлектрических покрытий на металлической подложке, в том числе и планера ЛА, используют информационные эффекты зависимостей недиссипативных и диссипативных затуханий электромагнитного поля поверхностной медленной электромагнитной волны. Ранее эти методы не применялись в слоях покрытий толщиной, не обеспечивающей критическое затухание падающей электромагнитной волны.
Предлагаемый метод сканирования волнового сопротивления спиновых магнитодиэлектрических покрытий состоит из следующих операций.
1. Последовательная реализация режима трех мод - двух Е волн и одной Н
для покрытия толщиной Ь на длинах волн моды Е-моды XЕ1, Xе 2 и Н-моды
1 при значении фазового аргумента
Ре 1,2Ь < У + ДЕ 1,2 ( ДЕ 1,2 П (1)
ряь <П + ^H (Дя а 2), (2)
где Ре, н - коэффициент распространения медленных Е (Н) волн.
Это позволяет реализовать высокостабильное генерирование поверхностных волн на близких длинах с помощью специально разработанной многомодовой волноводной линии связи с внутренней ребристой структурой, обеспечивающей исключение погрешности измерений из-за дисперсии е и [1 и высокую чувствительность коэффициента затухания к измеряемому параметру.
2. По специальным алгоритмам (см. далее) измеряются недиссипативные затухания а уЕ 12 и а ун над слоем по оси ординат У (в нормальной плоскости относительно направления распространения поверхностной волны) и диссипативные затухания а 2 вдоль поверхностного слоя, пропорциональные диссипативным и спиновым гиромагнитным потерям (при внешнем подмагничивании поперечного резонанса).
Рассчитываются величины е’, ц’, Ь по ауЕ12 и а ун , а величины е", ц" - по величинам омических уом и гиромагнитных угм потерь (т.е. по величинам а2).
тх Г . ГГ • Г . ГГ
Далее определяют е = е - уе и ц = ц - уц , их модули и аргументы и вычисляют величину волнового сопротивления
где - волновое сопротивление свободного пространства.
Реализована также возможность определения относительной фазовой скорости в слое покрытия на основании полученных характеристических уравнений для Е и Н мод путем мультиплицирования результатов решений.
Большой интерес представляет наиболее важный случай, когда толщина покрытия много меньше длины волны (Ь □ X). В этом случае с помощью простейших вычислительных алгоритмов [4] на одной или двух частотах легко реализуется возможность прямого измерения важнейших параметров поглощающих покрытий: фазовой скорости в магнитодиэлектрике и его волнового сопротивления.
Следует отметить, что нам не известны прямые методы измерения этих величин, а известные методы являются косвенными и низкоточностными из-за плохо учитываемых отражений, несогласований, переотражений и т.д. Определяющим достоинством предложенных нами методов является возможность измерений параметров в процессе нанесения и сушки, а известные методы требуют наличия твердого образца. Предложенная методика позволяет реализовать возможность разработки магнитодиэлектрика с управляемой магнитной проницаемостью, так, чтобы его волновое сопротивление равнялось волновому сопротивлению свободного пространства на кромке.
Появилась возможность непосредственного измерения волнового сопротивления магнитодиэлектрика в функции локального подмагничивающего поля. Особенностью приемной части аппаратурной реализации указанного алгоритма является наличие устройства создания поля Н0^ - постоянного поля поперечного
феррорезонанса для определения гиромагнитных потерь угм, схематично показанного на рис. 2.
С учетом модели смешения Лоренца-Лорентца для смеси есм нами произведен расчет оптимальной концентрации ферромагнитных частиц слоя, т.к. разработка неотражающих и поглощающих покрытий летательных аппаратов привела
(3)
Рис. 2 Устройство создания поля подмагничивания:
1 - приемный вибратор; 2 - магнитодиэлектрический концентратор Н0^ ;
3 - обмотка электромагнита
к необходимости применения в них новых гиротропных (магнитоанизотропных) материалов, согласованных по волновому сопротивлению с окружающим пространством. Согласование, т. е. равенство волнового сопротивления гиротроп-ного слоя 2Ъ = требуется в достаточно широкой полосе частот и углов падения.
Решение задачи синтеза искусственного экспоненциального слоя гиротропика в первую очередь требует нахождения оптимальной концентрации ферромагнитных частиц (ФМЧ) и ее распределения по высоте слоя. Проделанные теоретические и экспериментальные исследования позволили решить эту задачу, т.е. получить поле зависимости концентрации от электрофизических параметров составляющих слоя при условии широкополосного согласования и приемлемого коэффициента затухания.
Общее уравнение поля концентрации ферромагнитных частиц слоя С :
Z,
1 Ф [есв , епогл , еФМЧ , цФМЧ (H0 ),С]:
(4)
0
где ес
, бфмч - относительные диэлектрические проницаемости, соответ-
ственно, связующего, поглощающего и ФМЧ составляющих слоев; Цфмч (H) -относительная магнитная проницаемость ФМЧ в условиях эффективного подмаг-ничивания H 0 .
Интегральные характеристики всей смеси (е и ц) могут быть рассчитаны в этом случае по формуле Лоренца-Лорентца.
На рис. 3 показана схема расчетного алгоритма определения ZE и фазовой скорости Уф в пространстве, заполненном измеряемой средой.
Рассмотрим основные совмещенные алгоритмы измерения и сканирования.
А) Режим измерения величины е и b по двухчастотному алгоритму измерения величин ау1 и ау2 , при постоянстве угла тангажа р измеряется относительно показаний пар вибраторов В и В' (при Zn = nhZ = const, см. рис. 1). Расстояние между этими парными вибраторами Ду может быть постоянным, равным d, меняться дискретно, увеличиваясь от пары к паре на d или по закону ras(nd). Измерения е и b проводятся с ЭМЭ в режиме, близком к стоячей волне (СВ). Для развязки генератор СВЧ волн (ГСВЧ) в этом режиме в волноводной линии связи с излучателем предусмотрен неуправляемый 7-циркулятор с поглощающей нагрузкой.
Реализация и автоподстройка частоты стабильных длин волн А^1>2 и Хяз
ЕI
Е 2
Н 3
Е1
Измерение и вычисление величин «£1,2 и аяз.
а £1,2 = Ф 1,2 (8> М' ? ^ £1,2 ) » а ЯЗ = Фз(Б^^Дяз)
ХЕ2 ^ЯЗ
\т 1 Г УТ
Измерение и вычисление величины
а 1,2,32 =
* ^1,2,3 (у ОМ ГМ 01 )
Усреднение величин а по множеству базы <А1 или по переменной базе <Л
а
Е1
а
Е 2
а
яз
Усреднение величин # по А 2 (адаптивно) при КБВ-» 1 или
)о,25
&Z - (А. ЗС min + *•
ЭСшах
а
z і
а
Z 2
а
z з
Вычисление Ь,ъ\\х',Уф Вычисление є" & <Xj(2Z^1,2
ПО OCj 2 3 и" - азг^з»
(ai,2 аз) = ^1 ) s" s Том = al,2Z »
s'cpsH^)+8'M/2,
- У ГМ 3 a3Z ~ al,2Z
є' . 1 iv9 є" n"
1 f 1 f r v
Расчет
ИИ = VtBV)P + fc'VOf .
Ф,,=аго18- „
-2о - j exp /(о.5[<р^ - ф6])= |2Л|ехр(/ arg Zs)
1
] Kb! Вывод | и argZB
Рис. 3 Схема расчетного алгоритма определения и Уф
В устройстве предусмотрена возможность измерения в' и Ь в режимах их определения по длине поверхностной медленной волны А,зс над покрытием, как удвоенного расстояния между соседними минимумами поля поверхностной волны.
Алгоритм измерения состоит в следующем. Работает ЛПВ «е'» и «Ь» по оси Y, первый вибратор находится у ЭМЭ - в месте положения первого минимума поля поверхностной СВ. Измеряется напряженность поля соседним вибратором, и далее волной включения вибраторов до нахождения приблизительного значения соседнего минимума поля, при этом номер вибратора, соответствующий приблизительному минимуму, запоминается в микропроцессорном устройстве (МПУ). Изменением угла р производится поиск точного минимума поля, по номеру вибратора и величине Р' fcos Р), вычисляется Хзс и, соответственно е' и Ь. К сожалению этот алгоритм не является локальным в отличие от алгоритма измерения ау.
В) Режим измерения удельной проводимости по значению аг. Работает только ЛПВ «у» по оси Z в режиме бегущей волны (БВ) (отсутствует ЭМЭ). Измеряется отношение показаний соседних вибраторов В1у и В2у , затем В1у и В3у и затем В1у и В4у и т.д. идет волна переключений «соседа» вибратора В1у с переменным шагом, адаптированным к величине у, т.е. если отношение показаний равно единице у «соседа», подключается не В2у, а В3у и т.д.
Для разработанного нами круглого «тарельчатого» излучателя положение линеек вибраторов е' и Ь, скрепленных с электромагнитным экраном, и ЛПВ «у» противофазное. Излучатель неподвижен, а линейки могут вращаться вокруг оси. Величины е' и Ь измеряются в режиме близком к СВ, а у - в режиме близком к БВ. Существует возможность пространственного разнесения «разливающего» поле поверхностной волны «тарельчатого» излучателя и совокупности ЛПВ, со сканированием поверхности при неподвижном, в геометрическом центре поверхности, излучателе. Этот случай не позволяет определить величины у поверхностного слоя по величине az, по линии распространения поверхностной волны, без усложнения алгоритма сканирования, который должен обеспечивать распространение ЛПВ «у» по этой линии.
Рассмотрим вкратце алгоритмы сканирования покрытия поверхности планера летательного аппарата, при определении распределения параметров е, Ь и у по поверхности (по переменным координатамX, Y, Z и ф, рис. 4).
1. Адаптивный алгоритм с выбором шага Ах и Ау.
Гиперболическая зависимость дискретного шага сканирования в режиме измерения диэлектрической проницаемости, удельной электропроводимости и толщины покрытия (Р = const) имеет вид
Ax(Az) = к In-1 (E2 / Ei - (E / EiW) • (5)
Заметим, что при двухчастотном измерении диэлектрической проницаемости и толщины покрытия, отношение (E2 / E1) инвариантно к коэффициенту бегущей волны (КБВ), т.е. к пространственной структуре по оси Z. Режим СВ с ЭМЭ существенно повышает чувствительность измерения диэлектрической проницаемости е' и толщины Ь по сравнению с БВ, для противофазной ЛПВ, для определения удельной электропроводности.
С помощью шагового двигателя осуществляется управление перемещением комплекса «излучатель - ЛПВ» по соответствующей координате: 1 - ЛПВ - «у»;
2 - ЛПВ - «е' и Ь» (двойная). ЛПВ снабжены точечными СВЧ диодами, входящими в параллельно-последовательную диодную матрицу (логическая матрица серии 556), управляемую МПУ, совмещенным с фильтром низких частот.
Расстояние между соседними вибраторами < 0,2 Хг, а длина всех вибраторов ЛПВ (е', Ь) и ЛПВ (у) равна четверти длины волны генератора.
Рис. 4 Схема алгоритма полного заполнения поверхности сканирования
3. Алгоритмы сканирования поверхности.
а) Простой алгоритм сканирования. 1 - введение предельных координат сканирования; 2 - линейное сканирование с п - вращением ЛПВ. Ат меняется до удвоенной длины ЛПВ дискретно возвратно-поступательно в простейшем случае, или адаптивно, как Аг (рис. 4, а).
б) Алгоритм полного заполнения поверхности сканирования (менее быстродействующий, чем простой алгоритм). На рис. 4, б показан алгоритм правильных мозаик.
Дискретное сканирование по ф от 0 до 2п: вибраторы находятся вне заполняющего многоугольника, при дискретном вращении на Аф отключаются. Величины координат х и г меняются дискретно, от центра к центру соседних, заполняющих многоугольников мозаики.
Алгоритм вариации у разрабатывается для сканирования неплоских поверхностей большого радиуса кривизны, для введения поправок определение величины Ь, и вариации угла р - в режиме измерения Хзс = Хзс (є', Ь), т.е. когда р = Р(Хзс).
Используется механизм и трансформированный алгоритм перемещения стандартной каретки плоттера. Здесь МПУ выполняет функции:
- управление и прием информации от диодной матрицы ЛПВ є', Ь и ЛПВ у;
- управление адаптивным сканированием поверхности по разным алгоритмам.
Микропроцессорное устройство [2] через интерфейс и модем связано с персональным компьютером (РС), где по модифицированной программе МаШСАБ строятся в экспоненциальном масштабе, поля распределения диэлектрической проницаемости, толщины покрытия и удельной электропроводности по осям X и
2 [2]. Реализована возможность обратной связи с клавиатурой РС через модем с мануальным сканированием (с возвращением к сканированию по рассмотренным алгоритмам).
Возможен режим определения удельной электропроводности металлической поверхности без покрытия, т.к. металлическая поверхность с конечной удельной проводимостью также является замедляющей структурой, но с малым коэффициентом замедления V:,.
Нами также проводятся исследования путевого сканирования по комплексному критерию максимального быстродействия с весовым учетом расчетного значения фрактального коэффициента размерности сетевых путей сканирования.
Особый интерес, на наш взгляд представляет предложенный нами алгоритм измерения, сканирования и локализации неоднородности большим градиентом и оценки ее относительной величины.
Сущность предлагаемого СВЧ метода локализации неоднородностей диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий на металле и оценки их относительной величины поясняется следующим. С помощью устройства возбуждения 1 (см. рис. 1) медленных поверхностных волн, представляющего собой рупор (или тарельчатая апертура) вдоль расположенного на электропроводящей металлической подложке 2, диэлектрического покрытия 3 с неизвестными параметрами: толщиной слоя Ь, относительной диэлектрической проницаемостью е', относительной магнитной проницаемостью ц, модулем волнового сопротивления 2в | и
фазовой скоростью Уф возбуждают медленную поверхностную Е - волну, длиной X, при условии обеспечения режима ее одномодовости, т.е. отсутствия следующей моды волны Н, выбирая длину волны генератора Хг из условия
где е ' тах, ц' тах, Ьтах - максимально возможные значения диэлектрической и магнитной проницаемостей и толщины покрытия.
С помощью системы приемных вибраторов 4 в начальной точке поверхности (х,, 1,) на линии максимума диаграммы направленности (ДН) устройства возбуждения медленной поверхностной волны, направленной вдоль оси 2, измеряют напряженность поля Е поверхностной волны в нормальной плоскости относительно направления ее распространения (в точке у). Делают первоначальный шаг Ду = ё и измеряют напряженность поля поверхностной волны в точке у + ё.
При этом существует два варианта реализации системы приемных вибраторов: вибратор перемещаемый в нормальной плоскости относительно направления распространения поля поверхностной медленной волны или набор приемных вибраторов с постоянным дискретным расстоянием ё между ними.
Рассчитывают коэффициент нормального затухания а1 из выражения
где Е(у) и Е(у + ё) - напряженности поля поверхностной волны в нормальной плоскости относительно направления распространения в разнесенных точках измерений у и (у + ё); ё - расстояние (шаг) между точками измерений.
Мерой параметров неоднородностей покрытия является отклонение распределения напряженности поля в зоне дифракции от экспоненциального Е(у) = = Еоехр[-а(у)у], характерного для зоны покрытия без неоднородностей или, что
(6)
то же самое, непостоянство a(y). Отклонение напряженности поля от экспоненциального есть результат интерференции полей поверхностной медленной волны с рассеянно отраженной от неоднородности быстрой волны (являющейся результатом дифракции медленной поверхностной волны на неоднородности) вне слоя (y > b) для геометрической неоднородности любого типа, т.к. она может быть аппроксимирована суммой клиновидных неоднородностей при малом шаге Az или внутри слоя (y < b), где также любая электрофизическая неоднородность может быть сведена к геометрической неоднородности.
На рис. 5 показана векторная картина дифракции неоднородной поверхностной волны длиной X от топологической неоднородности с постоянными диэлектрической е и магнитной ц проницаемостями и градиентом толщины покрытия gradzb, взятым в качестве примера параметра геометрической неоднородности.
В принципе, зная связь a(b, е '), любую электрофизическую неоднородность можно привести к геометрической, где K" - вектор затухания поверхностной электромагнитной волны в нормальной плоскости (недиссипативный вектор затухания); K' - фазовый вектор, определяющий величину распространения поверхностной электромагнитной волны вдоль замедляющей структуры; K - суммарный вектор распространения поверхностной электромагнитной волны; KБВ -вектор распространения отраженной (быстрой) волны; у н - угол наклона (начальный) вектора отраженной волны до топологической неоднородности; ук -угол наклона (конечный) вектора отраженной волны на топологической неоднородности; bj - толщина слоя диэлектрического покрытия до топологической неоднородности; b2 - максимальная толщина слоя с топологической неоднородностью; р - угол наклона топологической неоднородности покрытия.
Анализ векторной диаграммы показывает, что деформация экспоненциального распределения напряженности поля поверхностной волны (рис. 6) объясняется суперпозицией недиссипативного вектора затухания поверхностной волны K" и конуса векторов быстрой волны дифракции KБВ .
Рис. 5 Качественная векторная картина дифракции медленной волны на неоднородности с большим градиентом
а
0
а
0
а
_cp
а
0
а
cp
в)
а) б)
Рис. 6 Векторные диаграммы:
а и в - недеформированная экспонента нормированной напряженности поля поверхностной волны при отсутствии неоднородности; б - деформированная экспонента нормированной напряженности поля поверхностной волны как результат векторной суммы диаграммы направленности быстрой и медленной волн
E
E
E
E
0
Y
Y
а
cp
Y
Y
Y
Далее переводят приемный вибратор в следующую точку (рис. 7), делая постоянный, либо адаптивно изменяющийся относительно величины изменения коэффициента затухания шаг Ay, и повторяют измерения. Вычисляют все значения aj, где j е [1,..., n - 1] - количество точек измерений, и рассчитывают среднее значение коэффициента затухания аср
1 n-1
аср =----rZaj . (8)
F n - \ л
j=l
Определяют максимальное отклонение коэффициента затухания Aamax
Aamax = aj max - аср (9)
и сравнивают его значение с пороговым Aa^^, величина которого назначается по необходимой точности локализации неоднородности или по метрологическим соображениям, например, пороговой точности измерения Е, a и т.д. Можно также сравнивать счетную сумму по индексу j модулей всех отклонений, сравнивая ее с назначенной пороговой величиной.
В микропроцессорном устройстве запоминаются координаты этой точки сканирования и значение Aa = Aan^r - Aamax.
Делают шаг Д?1 в направлении максимума ДН и производят аналогичный цикл измерений коэффициента затухания в точке (хг, + Д?1). Если среднее
значение коэффициента затухания аСр в точке (хг-, г,) отличается от аСр в точке (хг-, г+Д 21), то следующий шаг в направлении максимума ДН (оси 2) - Дг выбирается адаптивно из условия
^n+1 =
С,
(х,, zt)- а (xi, z; +Azn) + С2
(10)
cP
где С1 и С2 - коэффициенты пропорциональности, имеющие постоянные значения.
Повторяют цикл измерения Датах по направлению максимума ДН в пределах заданного изменения размера покрытия по оси 2 от начального 2н до конечного 2К.
Делают шаг Дх1, перемещая апертуру излучателя и приемные вибраторы, и производят измерения Датах по направлению максимума ДН по оси 2 в обратном направлении от 2к до 2н. Цикл измерения Датах повторяется. При этом возможно адаптивное изменение Дхг- , Ду подобно Д гп.
В МПУ запоминается массив дискретных значений Да по всем дискретным точкам измерений, и строится график значений Да по поверхности Х2. Определяют границы неоднородностей и площади поверхностей 51, где Да ф 0, и 52, где
Да = 0, а по соотношению ^/(^ + 52) судят об относительных размерах локализованной в области 51 неоднородности (см. рис. 7).
Вычисляют «информативный» объем
и определяют интегральный параметр ¥/Б1, характеризующий неоднородность.
Для устранения погрешности от влияния конечных размеров площади сканирования переводят излучатель и приемные вибраторы так, чтобы максимум ДН был направлен по оси X, и определяют коэффициент затухания по алгоритму, как и для рассмотренного выше случая, когда максимум ДН был направлен по оси 2. Результаты измерений и вычислений усредняют в каждой дискретной точке.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет определить границы неоднородностей диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий на металле и их относительные размеры, а так как измерения относительные и не зависят от расстояния вибраторов до поверхности, то не требуется специальных мер отстройки от зазора, что повышает точность измерений и дает возможность быстрого сканирования поверхности без перемещения возбудителя поверхностной волны.
Список литературы
1. Федюнин П.А., Карев Д.В., Каберов С.Р. Алгоритмы измерения комплекса электромагнитных параметров радиопоглощающих покрытий в диапазоне СВЧ. Состояние и проблемы измерений: Тезисы докл. 7-й Всерос. научно-техн. конф. - М.: МГТУ им. Баумана, 1999. - С. 81 - 82.
2. Автоматизированная измерительная система для определения диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических пластин / Н.П. Федоров, Д. А. Дмитриев // «Измерение. Контроль. Информатизация» Материалы Межд. научно-техн. конф. «ИКИ-2003». - АГТУ, Барнаул, 2003. - С. 71 - 73.
3. Федюнин П.А., Суслин М.А., Карев Д.В., Дмитриев Д.А. Неразрушающий метод локального определения параметров неоднородностей радиопоглощающих покрытий и материалов. Измерения, контроль, информатизация: Тезисы докл. Межд. науч. конф. - Барнаул, 2001. С. 89 - 91.
4. Суслин М.А., Федюнин П.А., Дмитриев Д.А. СВЧ способ определения диэлектрической проницаемости и толщины покрытий на металле. - Патент № 2193184 РФ, МКИ в01 № 15/06 по заявке № 2001102116 от 23.01.01. - 7 с.
Algorithms of Measurement and Scanning of Anti-Radar Coatings
Key words and phrases: wave resistance; dielectric penetrability; magnet penetrability; non-destructive control; surface wave.
Abstract: New methods and algorithms of measuring parameters of anti-radar coatings including wave resistance, localization and evaluations of heterogeneity with heavy gradient are suggested. Information influence of surface slow waves with complex structure is used.
(11)
N.P. Fedorov, P.A. Fedyunin, D.A. Dmitriev, S.R. Kaberov
Tambov Military Aircraft Engineering Institute
Algorithmen der Messung und der Skanierung der GegenfunkmeBbedeckungen
Zusammenfassung: Es sind die neuen Methoden und Algorithmen der Messung von Parametern der GegenfunkmeBbedeckungen, des Wellenwiderstandes, der Lokali-sierung und der Schatzung der Inhomogenitaten mit dem GroBgradienten vorgeschla-gen. Es wird die informative Zusammenwirkung der Oberflachenwellen mit der komp-lizierten Struktur benutzt.
Algorithme de la mesure et du balayage des revetements antiradars
Resume: Sont proposes les methodes et les algorithmes de la mesure des parametres des revetements antiradars y compris de l’impedence d’onde, de la localisation et de revaluation des inhomogeneites avec un grand gradient. Est utilisee l’interaction informationnelle des ondes lentes de surface avec une structure compliquee.
