CC BY
42
Секция конструирования радиоэлектронных средств
УДК 621.3.049.77.001.66
Е.А. Рындин УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ АДАПТИРОВАННОЙ К САПР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ТРЕХМЕРНЫХ КМОП - СБИС
Благодаря успехам микроэлектронной технологии в области получения моно-кристаллических пленок кремния на окисле все большее распространение в настоящее время получают трехмерные КМОП-СБИС.
На основе методологии проектирования адаптированных к САПР элементов СБИС [1] разработаны трехмерные КМОП-элементы на основе структур, в которых п-канадьные транзисторы размещены в подложке р-типа, а р-канадьные - в областях рекристаллизованного кремния, изолированных от подложки раздели. -но-топологических примитивов (СТП), имеющих унифицированные размеры и .
Данные элементы характеризуются малыми паразитными емкостями и позволяют значительно повысить плотность размещения элементов на кристалле СБИС по сравнению с планарными структурами.
Одним из путей дальнейшего уменьшения площади, занимаемой элементами , -менение конструкций СТП, условные границы которых делят контактные окна и контактные площадки на две равные части. При этом занимаемая на кристалле площадь СТП сокращается на 40 %, а площадь, занимаемая зонами питания и нулевого потенциала,-на 20 %. Кроме того, данные конструкции СТП позволяют снизить погрешности при физико-топологическом моделировании адаптированных к САПР элементов.
Применение СТП с условными границами, пересекающими контактные окна и контактные площадки, позволяет сократить площадь фрагментов трехмерных КМОП-СБИС на 22-35 % по сравнению с аналогичными фрагментами на основе СТП с традиционными условными границами.
ЛИТЕРАТУРА
1. Б.Г. Коноплев Проектирование С БИС и их применение в ЭВА: Конспект лекций Таганрог: ТРТИ 1991. 45 с.
УДК 621.3.049.77.001.66
БX. Коноплев, В.Г. Ивченко АЛГОРИТМ СИНТЕЗА ТОПОЛОГИИ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОаАз-ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ
Одними из наиболее перспективных для элементной базы ваЛБ БИС и СБИС , -ря малым занимаемой площади и потребляемой мощности, а также высокому быстродействию. Известны модели различной сложности, описывающие работу этих элементов. Однако методы синтеза топологии ОаЛБ-элементов в настоящее время .
Известия ТРТУ
Специальный выпуск
Разработан алгоритм синтеза топологии элементов на ваАБ-полевых транзисторах с затвором Шоттки, построенных по схеме с непосредственными связями и адаптированных к САПР СБИС.
В процессе выполнения алгоритма осуществляется последовательное изменение ширины каналов ключевого W1 и нагрузочного W0 транзисторов, а также длины канала Ь0 нагрузочного транзистора для достижения заданных значений помехоустойчивости ип+^1, W0, Ь0), Ип-^1, W0, Ь0) и времени задержки 1^1, W0, Ь0). В качестве исходного использован набор характеристик "усредненного" элемента. После каждого изменения какого-либо из варьируемых параметров производится пересчет контролируемых характеристик элемента. В соответствии с полученными данными и известным заранее характером поведения зависимостей ип+^1, W0, Ь0), ип-^1, W0, Ь0), 1^1, W0, Ь0) принимается решение о . -мум или монотонно изменяются в области реально возможных значений опреде-.
возможного решения (при минимально возможных Wk, Wn).
Алгоритм реализован в программе синтеза топологии ваАБ-элементов, интегрированной с программой проектирования заказных СБИС.
