CC BY
20
20 ЛЕТ ИНСТИТУТУ ПРОБЛЕМ ПРОЕКТИРОВАНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Постановлением Президиума АН СССР от 1 октября 1986 года в г. Зеленограде Московской области был учрежден Научно-исследовательский институт систем автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры и сверхбольших интегральных схем (НИИСАПР АН). Директором НИИСАПР АН был назначен член-корреспондент АН СССР, доктор технических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР Борис Васильевич Баталов (1938-1989). С 1989 года институтом руководит академик РАН, доктор технических наук, профессор, лауреат Государственной премии РФ Александр Леонидович Стемпковский.
В 1998 году НИИСАПР АН был переименован в Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН ( ИППМ РАН).
Постановлением бюро Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН от 30 июня 1997 года в рамках общего направления исследований в области фундаментальных проблем построения систем автоматизации, математических методов исследования сложных управляющих систем и процессов за ИППМ РАН закреплены следующие направления научных исследований:
теоретические исследования фундаментальных проблем построения систем автоматизации проектирования интегральных схем высокой сложности;
теоретические и прикладные исследования методов концептуального проектирования, структурного синтеза, анализа и оптимизации сложных микроэлектронных систем;
исследование и разработка методологий и стилей проектирования интегральных схем высокой сложности.
На сегодняшний день в институте работают 75 научных сотрудников, из которых один академик РАН, шесть докторов наук, одиннадцать кандидатов наук. ИППМ РАН занимает достаточно комфортабельное здание общей площадью 1000 м2.
Институт располагает необходимым парком новейшей вычислительной техники, оснащенной лучшими пакетами современных прикладных программ проектирования.
За 20 лет существования института его сотрудниками было выполнено более 80 научно-исследовательских работ, которые позволили получить научные результаты мирового уровня по следующим основным областям исследований:
методология создания систем с интеграцией на пластине;
принципы построения системной среды САПР СБИС;
высокоуровневый синтез сложных микроэлектронных систем;
методы автоматизации схемотехнического проектирования;
методология проектирования фоточувстви-тельных СБИС;
методы автоматизации логического проектирования;
теоретические и прикладные методы концептуального проектирования сложных микроэлектронных систем;
методология проектирования аналоговых интегральных схем.
В институте действует диссертационный совет, которому разрешено принимать к защите диссертации на соискание ученой степени доктора наук по специальностям 05.13.05 и 05.13.12. По этим же напрвлениям осуществляется подготовка научных кадров высшей квалификации через аспирантуру при ИППМ РАН.
Инженерные кадры для института готовятся в сотрудничестве с Московским государственным институтом электронной техники (Технический университет) на его базовой кафедре при ИППМ РАН.
В период с 1990 по 1999 год институтом были организованы и с успехом проведены шесть международных семинаров по проблемам САПР МЭС с участием известных российских и зарубежных
■ Один из компьютерных залов ИППМ РАН
ученых. Опыт проведения мероприятий такого уровня позволил ИППМ РАН стать одним из создателей и членом правления (в лице директора института) крупнейшей европейской конференции по комплексной проблеме автоматизации проектирования и опыту разработки микроэлектронных систем - DATE (Design, Automation and Test in Europe).
В 200б году институтом организована и проведена I Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем-2005» (МЭС-2005), которая обобщила научный опыт автоматизиро-
ванного проектирования МЭС и вызвала большой интерес научной общественности к этой проблеме. Учитывая это, конференцию решено проводить ежегодно. Очередная конференция состоится в октябре 2006 года.
В системе Российской академии наук только ИППМ занимается научной проблематикой проектирования сложных микроэлектронных систем. Дальнейшее развитие физики и технологии микроэлектроники будет ставить перед институтом еще более сложные и актуальные задачи, требующие своевременного решения. Курс на решение фундаментальных задач проектирования будет сохранен. Решение же вопросов перехода от фундаментальных исследований к прикладным во многом будет зависеть от степени развития отечественной микроэлектронной промышленности.
Научная специфика исследований, проводимых в институте, отражает ключевые проблемы сегодняшнего состояния автоматизации проектирования в мире и соответствует главным направлениям исследований ведущих зарубежных научных центров и фирм в данной области. ИППМ РАН по праву занимает достойное место в мировом научном сообществе.
Адрес:124681, г. Москва-Зеленоград, ул. Советская, д. 3, ИППМ РАН.
Тел.: 7 (495) 531 8890, 531 8023, 230 0056 Факс: 7 (495) 532 5708 Эл. адрес: secretar@ippm.ru Сайт: www.ippm.ru
№ 4, 200Б "X.
3
