Нанотехнологии список научных статей
-
Спектр глубоких уровней в кремнии, легированном эрбием и примесями-соактиваторами
Глубокие уровни (ГУ) в CZ-Si пи p-типа, обусловленные имплантацией эрбия и примесей-соактиваторов люминесценции ионов Er3*(F.O u Li) исследованы методом РСГУ. Наблюдался характерный для имплантации эрбия спектр глубоких уровней (ГУ). Имплантации Ег с соактивиторами не создает дополнительных...
1996 / Е. А. Боброва, Г. Р. Галкин, В. А. Дравин -
Нелинейно-оптические свойства и структура пленок Ленгмюра-Блоджетт 4-сульфамид-4’-октадецилоксиазобензола
С помощью генерации второй гармоники исследованы нелинейно-оптические свойства и структура пленок Ленгмюра Блоджетт 4 сульфамид 4’ октадецилоксиазобензола. Показано, что в пленках отсутствуют крупные домены (> 1 мкм), обычно препятствующие практическому использованию подобных объектов....
1996 / И. А. Масляницын, В. Д. Шигорин, С. Г. Юдин -
Адсорбционно-диффузионные слои в измерениях диэлектрической проницаемости воды и водных растворов
Адсорбция примесей на обкладках измерительного конденсатора и диффузия примесей в воде создают слоистую структуру в межэлектродном пространстве, что проявляется в изменении емкости конденсатора и ошибке порядка 1% в определении диэлектрической проницаемости для образцов дистиллированной воды....
1997 / А. А. Белов, В. К. Конюхов -
Влияние постимплантационного отжига в потоке атомарного кислорода на люминесценцию монокристаллов се лени да цинка, имплантированных эрбием
Методами люминесценции исследовано расположение ионов эрбия в кристаллической решетке монокристаллических слоев ZnSe, полученных методом радикало-лучевой гетерирующей эпитаксии. Установлено, что в зависимости от технологических условий формируются центры люминесценции в виде междоузелъного эрбия в...
1997 / А. Н. Георгобиани, М. Б. Котляревский, У. А. Аминов, В. В. Кидалов, И. В. Рогозин -
ДИНАМИКА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ СПЛАВОВ Cd1-xHgxTe И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ АНАЛИЗА СВЕРХРЕШЕТОК CdTe-HgTe
Анализ решеточного колебательного спектра отражения сплавов Cd\-xHgxTe использовался для получения концентрационных зависимостей сил осцилляторов НдТе и Cd-Te колебаний. Проводилось сравнение с силами осцилляторов сверхрешеток HgTe-CdTe, полученными из анализа их спектров отражения. Это позволило...
1997 / С. П. Козырев, Л. К. Водопьянов -
Нелинейно-оптические свойства и структура пленок Ленгмюра-Блоджетт спиропиранового красителя
С помощью ГВГ исследованы доменная структура и квадратичные оптические восприимчивости пленок Ленгмюра-Блоджетт спиропиранового красителя. Проведены квантово-химические расчеты компонент тензора молекулярной гиперполяризуемости. Определена ориентация молекул красителя относительно подложки.
1998 / В. А. Барачевский, И. А. Масляницын, В. В. Савранский, Г. К. Чудинова, В. Д. Шигорин, Н. Т. Шонова -
Наноструктура теллуритно-фосфатных стекол
Впервые с помощью очень холодных нейтронов (ОХН) исследована наноструктура двухфазной системы (Te02)i_* — (ДгОб)^Определены характерные размеры и объемная доля наноструктуры. Сделано предположение о том, что обнаруженная наноструктура определяется кластерной природой стеклообразного состояния.
1998 / А. И. Исаков, С. П. Кузнецов, И. В. Мешков, А. Д. Перекрестенко -
Малогабаритные лазеры на парах меди и золота для спектроскопии КРС
Обсуждаются вопросы применения в спектроскопии комбинационного рассеяния света КРС нового поколения лазеров на парах металлов (ЛПМ). Приводятся практические результаты сравнительного исследования в фосфиде галлия, кремнии и графите с применением аргонового лазера. Отмечается, что благодаря...
1998 / А. С. Насибов, Н. Н. Мельник, И. В. Пономарев -
Сравнительные исследования модифицированного полисилоксана методами ИК и УФ спектроскопии
Приведены результаты ИК спектрального анализа и ИК МНПВО модифицированной УФ излучением композиции полисилоксана для искусственного хрусталика глаза. Показано, что в результате УФ обработки на поверхности материала образуются лиофилъные группы, что способствует повышению биосовместимости...
1998 / Н. И. Базанова, Г. П. Жданова -
ИНФРАКРАСНЫЕ СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ЗС-SiC, ВЫРАЩЕННЫХ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ
Методом отражательной ИК спектроскопии изучены гетероэпитаксиальные полупроводниковые структуры на основе кубического карбида кремния, осажденного через промежуточный ’’буферный” слой на кремниевой подложке. Анализ спектров отражения и теоретический расчет спектров на основе одноосцилляторной...
1998 / С. Н. Миков, И. П. Пузов, В. С. Горелик, Ш. Р. Атажанов -
Лазерная генерация в модифицированной золь-гельной матрице, активированной родамином 6Ж
Исследована лазерная генерация в золъ-гелъном стекле, активированном родамином 6Ж. Образцы, изготовленные по модифицированной золь-гельной технологии, показали высокую стабильность. При накачке 20-нс импульсами второй гармоники Nd:YAG лазера получены импульсы лазера на красителе с энергией до 6...
1998 / В. Г. Баленко, А. Н. Киркин, А. В. Ковтун, Б. Я. Коган, В. М. Мизин -
Новые установки в ИЯИ РАН для спектрометрии нейтронов по времени их замедления в свинце
В 50-х годах в лаборатории И. М. Франка ФИАН был создан первый 6 мире нейтронный спектрометр по времени замедления (СВЗ) в свинце на основе реакции Т(с1,п)ЛНе. В ИЯИ РАН работает первый СВЗ (установка ПИТОН) и создается Большой СВЗ, в которых нейтроны генерируются в реакции скалывания под действием ...
1998 / А. А. Алексеев, Ю. В. Белоусов, А. А. Бергман, А. Н. Волков, О. Н. Гончаренко, С. Н. Грачев, М. В. Казарновский, В. Л. Матушко, Г. К. Матушко, В. И. Мостовой, А. В. Новиков, С. А. Новоселов, С. С. Паржицкий, Ю. П. Попов, Ю. Я. Стависский, Ю. М. Шейнов -
ИССЛЕДОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ СВЕРХУЗКИХ ДИБАРИОНОВ В pd-ВЗАИМОДЕЙСТВИИ
Проводилось изучение реакций p + d —> р + р(nу) и p + d —> р + d(y) при энергии 350 МэВ с целью поиска сверхузких дибарионов. Эксперименты выполнены с помощью спектрометра TAMS на Московской мезонной фабрике, который регистрировал две заряженные частицы под различными углами вылета. В спектрах...
1998 / В. Л. Кашеваров, Е. С. Конобеевский, М. В. Мордовской, С. И. Поташев, В. М. Скоркин, Л. В. Фильков -
Апериодические многослойные зеркала для спектроскопии в мягком рентгеновском диапазоне
Разработан метод расчета многослойных структур, оптимизированных для получения заданного спектра отражения в мягком рентгеновском диапазоне (2 А < X < 300 А). Установлено, что среди множества реализации нерегулярной (апериодической) многослойной структуры существуют такие, которые превосходят...
1998 / Н. Н. Колачевский, А. С. Пирожков, Е. Н. Рагозин -
Газовый электронный умножитель и его работа совместно с микростриповой газовой камерой
Изложены проблемы, связанные с длительной работой микростриповой газовой камеры. Описан газовый электронный умножитель (ГЭУ) и технология, используемая для его изготовления в России. Приведены данные по исследованию работы микростриповой камеры с полупроводящими покрытиями совместно с ГЭУ на...
1999 / М. А. Негодаев, Б. Н. Ломоносов, А. В. Багуля, С. В. Русаков, Е. М. Негодаева, А. М. Лемешко, Т. Е. Хамаева, А. Н. Ларичев -
Индуцированный ВУФ излучением способ химической металлизации поликристаллических, аморфных и органических диэлектриков
Исследован процесс металлизации поликристаллических, аморфных и органических диэлектриков химическим способом, индуцированным ВУФ излучением, обеспечивающим высокую адгезию металла к исследуемым поверхностям. В отличие от обычного способа химической металлизации диэлектриков исключается ряд...
1999 / К. С. Гочелашвили, М. Е. Земсков, А. М. Прохоров, А. И. Сизов -
Светоиндуцированные изменения в спектрах фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света для ультрадисперсных алмазов
Сообщается о возрастании со временемi интенсивности фотолюминесценции улътрадисперсного алмаза под действием непрерывного лазерного излучения. Одновременно с ростом интенсивности фотолюминесценции в спектре появляется линия комбинационного рассеяния света, соответствующая фундаментальному колебанию ...
1999 / С. Н. Миков, И. П. Пузов, В. С. Горелик -
ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ НЕЙТРОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ 2.5 - 3.3 МэВ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ГЛУБИННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИЗОТОПОВ ВОДОРОДА В МАТЕРИАЛАХ
Описан метод определения концентрации изотопов водорода и их распределения по глубине в приповерхностных слоях материалов, основанный на облучении исследуемых образцов потоком монохроматических быстрых нейтронов из dd-реакции и регистрации изотопов водорода, как ядер отдачи. Глубина анализируемого...
1999 / Б. Г. Скородумов, А. В. Андреев, Ю. М. Бурмистров, С. В. Зуев, С. А. Макаров, В. А. Симонов -
КАТО ДО ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ZnSe, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ПАРОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ ИЗ ЭЛЕМЕНТООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
Методом парофазной эпитаксии из элементоорганических соединений (CiH^Zn и (CH^Se получены гомоэпитаксиальные пленки ZnSe. Исследовано влияние слоя окислов на поверхности ростовой подложки на катодолюминесценцию выращенных пленок. Предложен эффективный способ удаления окислов путем обработки...
1999 / В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. Б. Крыса, П. И. Кузнецов, П. И. Шапкин, Г. Г. Якушева -
ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЦЕНТРОВ, СВЯЗАННЫХ С ИОНАМИ Yb3+, В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaAs/GaAlAs
Проведены исследования фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе GaAs/GaAlAs, легированных Yb либо в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии, либо методом ионной имплантации. Специфическая люминесценция, связанная с ионами Yb3+, наблюдалась только после дополнительной имплантации...
1999 / В. М. Коннов, И. П. Казаков, Н. Н. Лойко, В. А. Дравин, О. М. Бородина, М. Ю. Часовских, А. А. Гиппиус