CC BY
241
Технические науки
УДК 537.312.62:620.018.45
МЕТОДЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВОЙСТВА ВТСП-КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ
О.Л. Хасанов
Томский политехнический университет E-mail: khasanov@tpu.ru
Описаны результаты разработки технологии изготовления высокотемпературной сверхпроводящей керамики на основе ультра дисперсных порошков, включая методы сухого компактирования под воздействием мощного ультразвука. Обоснованы оптимальные условия процессов синтеза ВТСП-порошка и спекания керамики. Представлены данные об эксплуатационных свойствах изготовленных из ВТСП-керамики образцов экранов электромагнитных полей, объёмных СВЧ-резонаторов, керамических сквидов.
Введение
Среди современных керамических материалов особое место занимает высокотемпературная сверхпроводящая (ВТСП) керамика. Явление сверхпроводимости при температуре выше 30 К было экспериментально обнаружено в 1986 году Дж. Беднорцем и К. Мюллером в семействе купра-та лантана Ba-La-Cu-O, и вскоре были достигнуты критические температуры сверхпроводящего перехода Тс выше температуры кипения жидкого азота (77 К). С преодолением этого порога возникли захватывающие перспективы практического применения ВТСП в электронике, технике связи и прецизионных измерений, в энергетике, электротехнике, транспорте и других областях.
Поэтому исследования развивались не только в фундаментальном направлении, но и в прикладном аспекте [1]. Ключевой проблемой являлась разработка технологий, позволяющих изготовить из таких хрупких керамических материалов, как сложные купраты, требуемые изделия: провода и кабели, катушки индуктивности, объёмные резонаторы и т.п. Во многих случаях "слаботочного" применения (электроника, датчики) эффективным явилось использование плёночных технологий для изготовления структур на основе ВТСП-плёнок. Однако, для "сильноточных" применений (энергетика, транспорт, ускорительная техника и т.д.) по-прежнему актуальна разработка технологий изготовления объёмных керамических ВТСП-материа-лов с высокой токонесущей способностью и стабильными свойствами.
В настоящей статье изложены основные результаты исследований по разработке методов изготовления и изучения свойств ВТСП-керамики семейства YBa2CuзO7_x. Целью работы являлась разработка методов синтеза ультрадисперсного порошка (УДП) ВТСП-фазы, его компактирования и спекания монофазной сверхпроводящей керамики с высокими критическими характеристиками.
Твердофазный и самораспространяющийся
высокотемпературный синтез ВТСП
Синтез сверхпроводящей орторомбической фазы YBa2CuзO7_x (х<0,4 - фаза "1-2-3") - многостадийный процесс последовательных химических и структурных превращений синтезируемых компонентов. Среди многих известных методов синтеза ВТСП-порошков нами разрабатывался метод твердофазного керамического синтеза.
Как известно, твердофазный синтез является диффузионным процессом. Анализ его протекания и термодинамических условий синтеза показал, что при понижении температуры синтеза фазы 1-2-3 ниже общеизвестной 950 °С уменьшается вероятность образования не сверхпроводящей фазы 2-1-1, предотвращается спекание образующихся зёрен фазы 1-2-3, нежелательное на стадии синтеза. Такие условия достигаются при использовании всех реагентов или одного из них в виде УДП. В [2-5] показано, что в исходной шихте в ультрадисперсном состоянии достаточно использовать лишь медь. В шихте состава 1-2-3 с применением УДП
Си температура синтеза понижается до 920 оС, а длительность образования ВТСП-фазы уменьшается на 12 ч что связано с увеличением числа зародышей за счёт геометрического фактора - большего числа и площади контактов между УДП Си и более крупными частицами У203 и ВаС03. Интенсификация кинетики фазообразования обусловлена повышением коэффициента диффузии вещества субмикронных частиц меди (имеющих максимальное стехиометрическое содержание в шихте) на границе реагентов за счёт их поверхностной активности, дефектности и термодинамической метаста-бильности структуры, а также эффективным отщеплением зёрен промежуточных фаз синтеза от более крупных частиц реагентов вследствие меж-кристаллитных напряжений. В результате синтезируется монофазный УДП ВТСП УВа2Си307-х со средним размером частиц 0,4...0,7 мкм, критической температурой сверхпроводящего перехода Тс = 95 К и шириной этого перехода ДТс = 1 К.
Синтез ВТСП-фаз возможно осуществить не только путем твердофазных реакций, но и методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) [2, 6], когда реакция синтеза осуществляется в результате послойного саморазогрева смеси реагентов вследствие экзотермического теплового эффекта.
Образование соединения УВа2Си307-х с таким экзотермическим эффектом возможно по реакции:
1/2У203 + 2Ва02 + 3Си + пО2 ^УВа2Си307.х + О,
где Ва02, 02 - окислители; Си - металлическая не окисленная медь-восстановитель.
Применение УДП Си интенсифицирует реакцию синтеза и увеличивает её тепловой эффект О (определяющий самоподдерживание реакции в шихте) вследствие высокой запасённой энергии ультрадисперсных частиц.
С целью определения закономерностей СВС системы 1-2-3 с использованием УДП Си нами
проведены исследования процесса в токе кислорода и на воздухе, возможности регулирования температуры горения введением дополнительного окислителя, степенью уплотнения исходной шихты, подбором геометрии образцов. В этих исследованиях была поставлена задача определить условия, при которых температура горения лежит в пределах 900.970 °С, т.е. соответствует температуре синтеза и спекания ВТСП-фазы 1-2-3.
Из гомогенизированной шихты исходных компонентов сухим статическим одноосным прессованием формовались прессовки различных диаметров Бр (7, 10, 14 и 18 мм) высотой 3 мм при давлении прессования Р от 50 до 350 МПа.
Волна горения в прессовках инициировалась двумя способами: быстрым нагревом всей прессовки в специально изготовленной трубчатой печи до 800 °С и с помощью электрической спирали, нагревавшей поверхность прессовки до 750 °С. В обоих случаях непосредственно после СВС эффект Мейснера в образцах не наблюдался и для образования ВТСП-фазы был необходим дополнительный отжиг при 950 °С в течение 2.8 ч. Очевидно, что для прессовок исследуемой геометрии горение происходит в существенно не адиабатическом режиме, который не соответствует термодинамическим условиям образования ВТСП-фазы.
Рентгенофазовый анализ, проведенный для образцов после СВС перед отжигом, показал наличие фаз У4Ва309, ВаСи02, тетрагональной фазы 1-2-3, не прореагировавших Си0, Си, У203, а также незначительное количество орторомбической фазы 1-2-3. Содержание ВТСП-фазы Ссп увеличивалось до 40 % после отжига при 950 °С в течение 2 ч и до 50.60 % после отжига при 950 °С в течение 6 ч.
Значения величины эффекта Мейснера х, коррелирующей с содержанием ВТСП-фазы в образцах, в зависимости от давления прессования шихты перед инициированием СВС и геометрии образцов показаны на рис. 1.
^ 2 М
Ор= 14 мму \ П = 18 м м
р
\
■■ 1- -1-*-1-
т^^ 14 \
I V
¿^=18* мм 1
100
200 Р, МПа
300
400 0
100
200 Р, МПа
б
300 400
Рис. 1. Величина эффекта Мейснера в ВТСП-прессовках, синтезированных методом СВС и отожжённых при 950 С в течение 2 ч (а), а затем 6 ч (б) - в зависимости от давления прессования Р
3
3
2
1
1
0
0
0
Сухое прессование УДП ВТСП под действием
ультразвука
На всех технологических этапах изготовления ВТСП-керамики необходимо учитывать метаста-бильность ромбической ВТСП-фазы 1-2-3 и её высокую чувствительность к содержанию кислорода, присутствию паров воды. В этой связи актуальна разработка методов компактирования жёсткого ВТСП-порошка, особенно высокодисперсного (синтезированного из УДП меди), без применения связующих и пластификаторов. Поэтому нами был применён метод сухого прессования ВТСП-по-рошка под ультразвуковым воздействием (УЗВ), подводимым перпендикулярно усилию прессования [7, 8].
Целью этих исследований являлось изучение влияния температуры спекания на плотность ВТСП-керамики, изготовленной с применением УДП Си и по стандартной технологии, спрессованной при различных режимах УЗВ.
Образцы прессовались в виде таблеток диаметром 11,2 мм как под УЗ-воздействием, так и в статическом режиме. Интенсивность УЗВ задавалась выходным напряжением УЗ-генератора иУЗВ 50, 75 и 100 В, что соответствовало амплитудам колебаний стенки пресс-формы АУЗВ=5, 10 и 15 мкм на частоте 21,5 кГц [8]. Спекание проводилось при пониженных температурах: 890 оС (для образцов с УДП меди) и 950 °С (для образцов из стандартных реактивов) в течение 48 ч. Результаты экспериментов представлены на рис. 2.
Для всех режимов прессования наиболее плотная керамика спекалась из шихты с УДП Си (значения 1, 2, 3 на рис. 2, б), хотя плотность прессовок немонотонно зависела как от типа шихты, так и от значений Р, иУЗВ. Для образцов с УДП УЗ-прессо-вание в исследованном диапазоне иУЗВ практически не влияло на плотность керамики (значения 1, 2, рис. 2, б). Очевидно, для высокодисперсного ВТСП-порошка, синтезированного из УДП, субмикронные размеры частиц существенно меньше амплитуды колебаний матрицы АУЗВ = 5, 10 и 15 мкм и звук проходит через прессовку жёсткого ВТСП-порошка, не вызывая колебательного смещения частиц.
4.8
р4.7
4.6
Лишь при Р=907 МПа, иУЗВ=75 В (кривая 2, рис. 2, а) наблюдалось уменьшение плотности прессовки - вследствие агломерирования порошка под вибрационным УЗ-воздействием данной амплитуды. После спекания плотность этих образцов достигала плотности других образцов из УДП, прессовавшихся при 907 МПа (кривая 2, рис. 2, б), что свидетельствует об активационном УЗ-воздей-ствии на прессуемые частицы порошка.
Плотность керамики из стандартных реактивов ухудшалась после УЗ-прессования с иУЗВ=50 В и улучшалась при иУЗВ=75 В, 100 В по сравнению со статическим прессованием (кривая 5, рис. 2, б). Для крупнодисперсной ВТСП-шихты в исследованных режимах УЗВ проявлялись квазирезонансные эффекты совпадения амплитуды колебаний с размерами частиц или агломератов, отражающиеся в повышении плотности прессовок и спечённой керамики при АУЗВ = 10 и 15 мкм (иУЗВ=75 и 100 В -кривые 5 на рис. 2).
Вследствие пониженных температур спекания (890 оС для образцов из УДП и 950 °С для образцов из стандартных реактивов) плотность ВТСП-кера-мики в данных экспериментах не превышала 5,45 г/см3 - 86 % от теоретической плотности. После проведённой оптимизации режимов сухого прессования и спекания УДП ВТСП плотность керамики достигала 6 г/см3 (см. табл. 1).
На электрофизические характеристики керамических ВТСП изделий существенно влияет величина зёрен анизотропной сверхпроводящей фазы и их текстурированность. При обычной термообработке на этой стадии спекания ВТСП отсутствует явно выраженная анизотропия роста зерен. Однако направленная деформация, создаваемая при одноосном сухом прессовании анизотропных зёрен пе-ровскитоподобной фазы 1-2-3, создаёт некоторое выделенное направление, и система перестает быть изотропной. Перпендикулярно направлению усилия прессования в процессе спекания происходит ориентированный рост зёрен, т.е. образуется текстура. Если в процессе одноосного сухого компак-тирования ВТСП-прессовку выдержать длительное время (10...20 ч) под давлением (т.е. создать в ней равномерное напряжение и направление деформа-
5.5 5.3
л
5.1
о
а
4.9 4.7
1 2 т ^
03 -" /
и4^\ 5
25
50
иузв, В
75
100
25
50
Цузв, В
75
100
Рис. 2. Плотность прессовок рр (а) и спечённой ВТСП-керамики рс (б) в зависимости от интенсивности УЗВ и давления прессования УДП ВТСП: 1) 746 МПа; 2) 907 МПа; 3) 1069 МПа; и шихты из стандартных реактивов: 4) 746 МПа; 5) 907 МПа
0
ции), то в процессе рекристаллизация это направление будет выделенным для роста зёрен. Анизотропные зёрна перовскитоподобной фазы 1-2-3, в которых сверхпроводящие плоскости CuO2 перпендикулярны направлению усилия прессования, будут преимущественно расти в направлениях вдоль этих плоскостей (вдоль усилия деформации) и достигать значительных размеров (более 10 мкм). Вследствие перераспределения диффузионных потоков вещества вдоль этих направлений, во всех других направлениях рост зёрен ингибируется. Таким образом развивается процесс текстурирования ВТСП-керамики. На рис. 3 показана микроструктура текстурированной керамики 1-2-3, спеченной в указанных условиях (данные сканирующей электронной микроскопии на микроанализаторе SEM-15 Philips получены с помощью В.Н. Лисец-кого).
Проведенные нами исследования показали, что образование текстуры при спекании керамики 1-2-3 из синтезированного УДП ВТСП оптимальным образом протекает при давлении одноосного сухого прессования выше 300 МПа, длительности выдержки прессовки при такой нагрузке более 10 ч и температуре спекания 950...975 °С.
Электрофизические свойства ВТСП-керамики
и разработанных изделий
Тестирование сверхпроводящих и других физических свойств образцов ВТСП-керамики и разработанных изделий (ВТСП-сквидов, экранов электромагнитных полей, объёмных резонаторов) проводилось нами на калиброванных установках индуктивным методом (Тс; ATC), 4-контактным методом (Тс; ATC; критический ток jc), а также на специализированном оборудовании в Лаборатории нейтронной физики ОИЯИ (г. Дубна); в Лаборатории СВЧ радиотехники МИРЭА (г. Москва); в НИИ ЯФ при ТПУ, НИИ полупроводниковых приборов, Сибирском физико-техническом институте при ТГУ, КБ "Проект" (г. Томск). В табл. 1, на рис. 4
представлены результаты измерении параметров образцов ВТСП-керамики, изготовленных по описанной выше технологии.
Макетные образцы объёмных СВЧ-резонаторов и ВТСП-экраны электромагнитных полей из керамики 1-2-3 в виде полых цилиндров диаметром 50 мм, высотой 40 мм с толщиной стенки 4 мм вместе с торцевыми дискам диаметром 50 мм толщиной 4 мм были изготовлены по технологии с применением УДП Си. ВТСП-керамика имела плотность 5,5 г/см3, критическую температуру Тс = 88 К. Добротность таких резонаторов, измеренная при температуре жидкого гелия Т = 4,2 К, составила О = 2700 на частоте / = 10 ГГц (Я = 3 см), поверхностное сопротивление дисков в тех же условиях -0,04 Ом (измерения проведены в Лаборатории 46 НИИ ЯФ при ТПУ Г.М. Самойленко).
Таблица 1. Электрофизические свойства образцов ВТСП-ке-рамики
Параметр Рс ' г/см3 d,* мкм Тс, К ATC, К j ** А/см2 Qi Q2
Керамика 1-2-3 на основе УДП Cu 5,9...6,0 10.20 95 3,5 920 150 250 150 241
Керамика 1-2-3 из стандартных реактивов 5,2...5,5 40.50 90 1,5 90
- средний размер зёрен по данным оптической и сканирующей электронной микроскопии;
**]с - плотность критического тока, определённая 4-зондовым методом (77 К, 0 Тл);
й - добротность шлифованных керамических образцов на частоте / = 3 ГГц (2А/= 20 МГц) при комнатной температуре (в числителе) и при 77 К (в знаменателе), измеренная в Лаборатории СВЧ радиотехники МИРЭА О.М. Олейником;
О2 - добротность тех же образцов, измеренная в тех же условиях через год, свидетельствующая о деградационной устойчивости керамики.
Рис. 3. СЭМ-изображение текстурированной ВТСП-керамики 1-2-3, спечённой из УДП после предварительного нагружения при прессовании и штрих-диаграмма рентгено-фазового анализа (СоКа-излучение)
Рис. 4. Кривые сверхпроводящего перехода для ВТСП-кера-мики, изготовленной с применением УДП Cu: 1, 2) сухое статическое прессование, спекание при 920 и 950 оС соответственно (измерения Tc_ проведены в ЛНФ ОИЯИ В.Н. Полушкиным); 3) УЗ-прессование, спекание при 950 С (измерения T проведены в ЛСВЧР МИРЭА А.А. Бушем)
Испытания таких же цилиндрических образцов в качестве экранов электромагнитных полей были проведены в НИИ ПП (Ю.В. Лиленко) и в СФТИ при ТГУ (А.П. Рябцевым).
Рис. 5. Экранирующие свойства ВТСП-цилиндра
30 1 K
/
77 K
Рис. 6. Гистерезис ВПХ в сверхпроводящем состоянии (Т=77К) ВТСП-цилиндра
Применялась методика измерения напряжения ис на приёмной (внешней) катушке индуктивности, расположенной снаружи ВТСП-цилиндра, при прохождении тестового тока I через генерирующую (внутреннюю) катушку, помещённую внутрь полого ВТСП-цилиндра. Зависимости Пс = /(I) снимались в сверхпроводящем состоянии экрана (7=77 К) и в нормальном состоянии (при 293 К) -рис. 5. Коэффициент экранирования при 7=77 К
на частоте 10 кГц составил значение £>100. Гистерезис вольт-полевой характеристики (ВПХ) ВТСП-экрана при 77 К в отличие от константы при 300 К (рис. 6) также свидетельствует о диамагнитных свойствах исследуемого изделия (ток через образец 1м = 1,3 мА; / = 10 кГц).
Чувствительность сверхпроводящего квантового интерференционного датчика (сквида) характеризуется параметром в:
в = 2 ■1 -фт
Здесь Ь ~ 10-9.10-10 Гн - индуктивность контура квантования в керамических сквидах, обычно представляющего собой отверстие диаметром 0,5.1,0 мм; 1С - критический ток через джозефсо-новский переход (ДП); Ф0=2,07-10-15 В - квант магнитного потока. Для ВТСП-сквидов реально достижимы значения в = 1.2. Поэтому величина I должна составлять 1.10 мА. Для ВТСП керамик получены значения плотности критического тока Х=1/$=10...103 А/см2 = 0,1.10 мкА/мкм2 при рабочей температуре 78 К (^ - площадь сечения ВТСП-керамики). Отсюда следует, что площадь сечения ДП в сквиде должна находится в пределах
0.1.100.мкм2, т.е. характерные размеры ДП должны составлять 0,3.10 мкм. Это условие и задает среднее значение зернистости ВТСП керамики. С целью формирования ДП в ВТСП-керамике из зёрен указанных размеров при изготовления керамических ВТСП-сквидов циммермановского типа нами применялись методы твердофазного синтеза и сухого прессования, описанные выше. ДП формировался в ВТСП-таблетке между двумя отверстиями в процессе формования и спекания плотной текстурированной ВТСП-керамики плотностью 5,7.6,0 г/см3 с размерами зёрен в плоскости текстуры 10.20 мкм. Затем механическим скрайбиро-ванием с контролем под оптическим микроскопом и последующей термообработкой в токе кислорода достигалась требуемая толщина ДП ~10 мкм. Чувствительность сквидов к внешнему магнитному полю достигала значений 1.2 мкВ/Фо [9].
Таким образом, по результатам работы получены выводы:
1. В естественных условиях СВС как насыпной шихты состава 1-2-3, так и прессовок не приводит к образованию ВТСП-фазы, для синтеза которой требуются дополнительные отжиги при 950 °С.
2. Инициирование СВС на воздухе электроимпульсом с поверхности прессовок исследованной геометрии наблюдается только для шихты с УДП Си; применение крупнодисперсной меди в этом случае не обеспечивает необходимого теплового эффекта реакции.
3. Для образования ВТСП-фазы методом СВС требуются реактивы марки не хуже "чда" (прежде всего, окислителя Ва02).
5
4
3
к 2
0
80
85
90
95
100
105
T, K
It, A
0
H,. А/м
4. В исследованном диапазоне геометрических размеров оптимальным для СВС ВТСП является фактор формы Нр/Вр=3/\4, давление прессования >150 МПа. При этих условиях плотность керамики достигала 4,6 г/см3, содержание ВТСП-фазы - 54 %, Т= 86 К, АТ= 5 К.
5. Сухое прессование под действием ультразвука эффективно для крупнодисперсной ВТСП-шихты при амплитуде колебаний матрицы АУЗВ = 10 и 15 мкм, когда проявляются квазирезонансные эффекты совпадения амплитуды колебаний с размерами частиц или агломератов.
6. Образование текстуры при спекании керамики 1-2-3 из синтезированного УДП ВТСП оптимальным образом протекает при давлении одноосного сухого прессования выше 300 МПа, длительности выдержки прессовки при такой
нагрузке более 10 ч и температуре спекания 950...975 °С.
7. Технология твердофазного синтеза УДП ВТСП и сухого компактирования эффективна для спекания плотной текстурированной ВТСП-кера-мики с высокими критическими параметрами и изготовления из неё ВТСП-изделий: экранов электромагнитных полей, резонаторов, скви-дов.
Автор выражает признательность за проведение и обсуждение экспериментов всем коллегам, отмеченным в статье, сотрудникам НИЦ "Спектр" ТПУ, Г.Ф. Иванову, а А.П. Ильину - также за предоставление УДП меди.
Работа в части анализа условий УЗ-прессования поддержана РФФИ, грант 01-03-32360.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Третьяков Ю.Д., Гудилин Е.А. Химические принципы получения металлооксидных сверхпроводников // Успехи химии. — 2000. — Т. 69. — № 1. — С. 3—40.
2. Диденко А.Н., Похолков Ю.П., Хасанов О.Л. и др. Применение ультрадисперсных порошков при синтезе сверхпроводящей керамики У-Ба-Си-О // Физикохимия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов. — М.: Наука, 1989. — С. 133—134.
3. Похолков Ю.П., Хасанов О.Л. Синтез и изучение свойств высокоплотных текстурированных ВТСП-керамик на основе ультрадисперсных порошков // В сб.: Высокотемпературная сверхпроводимость. — Томск: Научный совет по РНТП РСФСР "ВТСП". — 1990. — С. 28—34.
4. Пат. 1829811 РФ. МКИ Н01Ь 39/14. Способ изготовления монофазного высокодисперсного порошка высокотемпературного сверхпроводника УБа2Си3О7-х / О.Л. Хасанов, Г.Ф. Иванов, Ю.П. Похолков, Г.Г. Савельев. От 23.03.94.
5. Похолков Ю.П., Хасанов О.Л., Соколов В.М. и др. Особенности ультрадисперсной технологии изготовления высокотемпературной сверхпроводящей керамики // Электротехника. — 1996. — № 11. — С. 21—25.
6. Мержанов А.Г., Пересада А.Г., Нерсисян М.Д. и др. // Письма в ЖЭТФ. — 1988. — Т. 8. — Вып. 11. — С. 604—605.
7. Хасанов О.Л., Соколов В.М., Похолков Ю.П. и др. Ультразвуковое компактирование высокодисперсного порошка УБа2Си3О7-х// Материаловедение высокотемпературных сверхпроводников: Тез. докл. II Международн. конф. — Харьков: Институт монокристаллов НАНУ, 1995. — С. 149.
8. Хасанов О.Л., Соколов В.М., Двилис Э.С. и др. Ультразвуковая технология изготовления конструкционной и функциональной нанокерамики // Перспективные материалы. — 2002. — № 1. — С. 76—83.
9. Похолков Ю.П., Хасанов О.Л., Ройтман М.С. и др. Разработка технологии изготовления керамических ВТСП-сквидов и базового магнитометра на их основе // Конверсия в приборостроении: Тез. докл. научно-техн. семинара. — Томск: ТПУ, 1994. — С. 32.
УДК 621.039.33:541.183.12
РАЗДЕЛЕНИЕ ИЗОТОПОВ И ИОНОВ С БЛИЗКИМИ СВОЙСТВАМИ В ОБМЕННЫХ ПРОЦЕССАХ С ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ ОБРАЩЕНИЕМ ПОТОКОВ ФАЗ
А.П. Вергун, И.А. Тихомиров, Л.И. Дорофеева
Томский политехнический университет E-mail: chair23@phtd.tpu.edu.ru
Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований по обменному разделению изотопов и ионов. Обращение потоков фаз в обменной системе проводится при электромиграционном замещении изотопных и ионных форм в процессе электродиализа.
Проведение комплексных теоретических и экс- ти изотопного обмена направлены на изучение но-периментальных исследований процессов изотоп- вых эффективных способов разделения, разработ-ного разделения имеет важное научное и практи- ку новых технологий разделения изотопов и ионов ческое значение, обусловленное потребностями с близкими свойствами. атомной промышленности. Исследования в облас-
