CC BY
28
УПРАВЛЕНИЕ, ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА И ИНФОРМАТИКА
УДК 681.7.069.32
ПРЕЦИЗИОННЫЕ ПРИЕМНИКИ ОПТИЧЕСКИХ ИЗЛУЧЕНИИ
НЕПРЕРЫВНОГО ТИПА
© 2012 г. В.А. Сергеев*, С.Г. Крутчинский**, Н.Н. Прокопенко**, О.В. Урлапов*
*Ульяновский филиал *Ulyanovsk branch Institute of Radio
Института радиотехники и электроники Engineering and Electronics named Kotel'nikov
им. В.А. Котельникова РАН of Russian Academy of Sciences
**Южно-Российский государственный *South-Russian State University
университет экономики и сервиса, г. Шахты of the Economy and Service, Shahty
Рассматриваются схемотехнические способы повышения точности и быстродействия фотон-фононных приемников оптических излучений (ФПУ) непрерывного действия. Показано, что использование принципов собственной компенсации позволяет уменьшить влияние паразитных параметров как чувствительного элемента, например фотодиода, так и частоты единичного усиления вспомогательных операционных усилителей. Приводятся результаты моделирования двух базовых принципиальных схем ФПУ данного класса и дается оценка их предельных параметров по быстродействию, динамическому диапазону, статическим погрешностям.
Ключевые слова: фотоприемник оптических излучений; аналоговый интерфейс; собственная компенсация; фотодиодный преобразователь; операционный усилитель; статическая погрешность; «система на кристалле».
Circuit design ways to improve the accuracy and speed of the continuous photon-phonon optical radiation receivers (PPR). Article is shown that using the principles of own compensation to reduce the effect ofparasitic parameters of sensor elements, for example photodiode and such as frequency of unity gain of additional operational amplifiers. The simulation results of two basic circuits of PPR this class and assessment of the limiting parameters of speed, dynamic range, static error are given.
Keywords: optical radiation detector; analog interface; own compensation; photodiode converter; operational amplifier; static error; «system on a chip».
Введение влияние паразитной емкости (С0) и внутреннего со-
„ ,, противления (R„) ФЧЭ и ряда других его негативных
Эффективность оптических приемников непо-
параметров.
средственно определяется точностью преобразования фотонов в электрические сигналы (как правило, в напряжение) и быстродействием соответствующих
Предельные параметры классических ФПУ
датчиков. В таких системах, работающих в диапазо- Существенное уменьшение влияния емкости ФЧЭ нах ультрафиолетового, видимого и инфракрасного С0 на точность преобразования светового потока в излучения, в качестве чувствительных элементов напряжение Uвъlх = ип реализуется включением фотопервичных преобразователей) используются встраи- диода в «виртуальный узел» усилителя А1 (рис. 1 а). ваемые в полупроводниковый кристалл электронно- Из эквивалентной схемы (рис. 1 б) можно опреде-дъфочные переходы (ФЧЭ). Однако единство техно- лить передаточную функцию ФПУ логических процессов не позволяет получить высокие 2
качественные показатели ФЧЭ. В этой связи к устрой- р(p)_ ип (p) __р__(1)
ствам сопряжения (аналоговым интерфейсам) предъ- IФ р2 + р^рю + юр '
являются повышенные требования по обеспечению
необходимой интегральной чувствительности и дина- где йр и юр - затухание и частота полюса ФПУ. мическому диапазону анализируемых оптических Если в режиме преобразования светового потока в
процессов. По этим соображениям датчики непрерыв- выходное напряжение пренебречь влиянием диффе-
ного типа являются доминирующим направлением ренциального сопротивления ФЧЭ (Я^>Я) и влияни-
развития приемников оптического излучения (ФПУ) ем статического коэффициента передачи (ц) операци-
[1 - 3]. Здесь оказывается возможным уменьшить онного усилителя (ОУ), то
dp J nR ( Со + CK )
та
[Со + Ск p
П
R (Ск+Со)
, (2)
h (t ) = -
1
ю
■Г-
dp/4
——ю pt
9 p
-e 2 sin® p
Vi- d p/4
t. (3)
При этом оптимальные параметры такого устройства характеризуются следующими величинами:
где П = 2л/1 - площадь усиления операционного усилителя.
Из соотношения (1) следует, что в установившемся режиме выходное напряжение схемы ФПУ определяется функцией преобразования Fu
ип = ~Я1ф =
и не зависит от паразитных параметров ФЧЭ. При этом параметрическая чувствительность = 1.
Таким образом, фотоприемники непрерывного действия рис. 1 а могут обеспечить практически любую крутизну характеристики «вход - выход».
Приведенные выше соотношения показывают, что влияние паразитных параметров схемы рис. 1 а сказывается на длительности и характере переходного процесса
лр opt
N
= V2, t3 =—, ю
N , A h (t) п
p
h
■ = 5 % ,
где ^ - время задержки; N - 3^5.
В этом случае максимальные чувствительности переходного процесса к изменению С0 и Ск в основном определяются соотношением емкости ФЧЭ С0 и корректирующей емкости Ск :
о
SC(')max = -3л/2- С
Со Со + Ск
(4)
S*']max = -272-^^ .
Ск 1 + Q R
Для уменьшения влияния входных токов ОУ необходимо выполнить условие R0 = RRCX/(R+RCX), где RCT - статическое сопротивление ФЧЭ.
Для оценки динамического диапазона устройства необходимо найти его собственный шум. Шумовая модель схемы показана на рис. 1 в.
Ск
Ск
Г
L , J
Со о Н rV
Un, мВ
Ск
Вых 99оо
-О
Un 97оо
95оо
С0 = 0,5 пФ Со = 1,0 пФ
•V:
о 8о 1бо 24о 32о t, нс
Рис. 1. ФПУ: а - классический; б - его эквивалентная схема; в - шумовая модель; г - переходный процесс
d
ф
R
о
б
а
в
г
Эквивалентная спектральная плотность мощности шума на выходе схемы ФПУ рис. 1 в имеет вид
Свых (ю) = [Л(ю) + G2R (ю)] +
ю тк + 11- -1
+ (ф? (ю) + ^ (ю))]1/2,
где Ог(ю), Ое(ю) - приведенные ко входу спектральные плотности мощности тока и напряжения шума ОУ;
(ю) = 2^/kTR - эквивалентная плотность мощности шума резистора Л цепи обратной связи; тк = ЛСк -постоянная времени цепи обратной связи. Тогда выходное напряжение шума
U„
®2
J 0вых (Ю)dЮ
4
G
вых.ср
А f
(5)
AU п =AU Вых =•
И
1 Др + I} + 1фл ,
+ U 2
где ш2 ^ ш1 - диапазон рабочих частот; Овыхср - среднее значение спектральной плотности шума в рабочем диапазоне частот а/.
В режиме преобразования светового потока в выходное напряжение ФЧЭ является источником дополнительных шумов, поэтому, как это следует из (5),
Не менее важным параметром ФПУ, определяющим его точность преобразования, является «дрейф нуля» ОУ. В этом случае при Л = Л0, как это следует из (2), Аип = Есм+А1вхЛ, где АЕсм - приведенная ко входу ЭДС смещения нуля ОУ; А1вх - разность входных токов ОУ. Однако «дрейф нуля» может быть скомпенсирован либо выбором рационального соотношения между Л0 и Л, либо специальными цепями балансировки выходного напряжения [1]. Под действием температуры рассматриваемая величина получает приращение Аивыхп =асмАТ, где аСм - температурный коэффициент ЭДС смещения нуля ОУ.
В этой связи для реализации высокого динамического диапазона в ФПУ рис. 1 а необходимо использовать широкополосные [4 - 6] и прецизионные [3, 7 -10] операционные усилители при 1ф тах = 0,6 мкА (Л = = 168 кОм, Ск = 0,26 пФ, Л0 = 350 кОм), при этом переходные характеристики для типовых фотодиодов будут иметь вид, приведенный на рис. 1 г.
Результаты расчета и моделирования ФПУ в среде PSpice представлены в табл. 1, а основные параметры компонент - в табл. 2.
Полученные параметры и характеристики показывают, что относительная нестабильность выходного напряжения ФПУ с учетом температурного коэффициента резисторов , дрейфа ЭДС смещения нуля шумов:
где 1др , 10 , 1фл - дробовая, шумовая и фликкер-шу-мовая составляющие шума ФЧЭ при условии, что 1ф = 0.
Основные параметры ФПУ при импульсе фототока ^
AU* = а ra T + ^сма T + AUn Un R Un Un
Таблица 1
Фототок Основные параметры ФПУ
SUn sr Un ma» мВ иш, мкВ AUn, мкВ ( AU JUп)*, % Sh(t) AUn/Un , % на 10 оС t3, нс ДД, дБ
1ф = 4,9 мкА - 2,4 1 100 55 140** 0,1 - 4,25 0,05 90 65
1ф = 0,6 мкА - 3,4 1 100 200 1180** 0,2 - 4,25 0,05 210 54
Примечание. * Указанная погрешность Дип/ип определяется влиянием шума ФЧЭ в режиме преобразования светового потока в фототок. ** Выбором Л0 = 44 кОм при 1ф = 4,9 мкА и Л0 = 350 кОм при 1ф = 0,6 мкА обеспечивается Аип = 0; ДД - динамический диапазон.
Таблица 2
Основные параметры компонент ФПУ
ап, 1/град С„, пФ % rgb МОм аск , 1/град f1, МГц мкВ град Ge, нВ /д/ГЦ о,+ * о;, пА/^/Гц Gr, нВ /^Гц А1вх нА ar , 1/град
4х10-3 1 50 1 4х10-3 40 0,2 3 0,5 52 7 2,7х10-3
Примечание. ап - температурный коэффициент площади усиления; аск - температурный коэффициент емкости Ск; ®с - технологическая погрешность изготовления емкости С0; аЛ - температурный коэффициент сопротивления резисторов схемы. Приведенные параметры компонент соответствуют стандартным техпроцессам.
В диапазоне температур, например ±10 оС, это практически соответствует погрешности, обусловленной влиянием шумов ФЧЭ (ДО*п / ип).
Таким образом, рассмотренные ФПУ непрерывного действия позволяют получить высокие качественные показатели, близкие по своим параметрам лучшим ПЗС-структурам. Однако их быстродействие, определяемое временем ¿3, в значительной степени ограничивается частотой единичного усиления ОУ и относительно большой емкостью С0 р - ^-перехода фотодиода. В этой связи основной задачей настоящей работы является поиск схемотехнических решений ФПУ с более низким влиянием этих параметров.
Собственная компенсация влияния доминирующих паразитных параметров ФПУ
Как видно из приведенных выше соотношений, и в частности (2) и (3), увеличение площади усиления и статического коэффициента усиления ОУ существенно повышает точность преобразования. Однако в микроэлектронных системах реализация такого активного элемента связана с недопустимым увеличением потребляемой мощности и дрейфа нуля [3, 7 - 10]. Поэтому решение комплекса возникающих проблем целесообразно ориентировать на принцип собственной компенсации паразитных параметров полупроводниковых компонентов, сформированный в работах [4 - 6]. Как показано на функциональном уровне в [3 -6], цепи собственной компенсации влияния частотных свойств операционных усилителей реализуются путем соединения их дифференциальных входов со специально определяемым узлом схемы. Важной особенностью таких устройств является их параметрически низкая компонентная чувствительность [4 - 7], достаточность и единственность [3, 8 - 11].
Простейшим вариантом решения задачи построения ФПУ рассматриваемого класса является соединение дифференциального входа ОУ (А1) через дополнительный ОУ (А2) с цепью обратной связи ОУ А1 (рис. 2 а). При этом необходимо использовать схемотехнику интегрируемых в микроэлектронные системы ОУ [12 - 15].
Тогда для схемы рис. 2 а
F = R
1-ß 2
Ю p
П (l-ß2 )
\Rß 2 (Со + Ск [l-ßK/ß2 ])
(6)
dp -
JR~ß2 [Со + Ск (l-ßjß2 )]
ß 2 -ß к
П (l-ß2 )
+ RC^Üi(1-ß2)
K21
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
1 \
\ 1
\ ^ ип = 100 кВ Un = = 1 кВ
-.,. ип = 21 кВ " - ,
------
20
40
60
80 f1, кГц
б
Рис. 2. Схема ФПУ с собственной компенсацией (а) и ее эффективность в частотном диапазоне (б)
Сравнение аналогичных параметров в формулах (2) и (6) показывает, что введение дополнительного контура обратной связи с коэффициентом передачи Рк = К4/К3+К4 обеспечивает уменьшение влияния ёмкости С0 ФЧЭ на основные параметры ФПУ.
Для того чтобы обеспечить максимальное быстродействие схемы рис. 2 а и удовлетворить требованиям (4), необходимо выполнить условия
Р2 =Рк, Ск = -1Л/2^С()/П1 . к
Тогда ю _ = ,
Р Л FC
sC(')max = -3л/2.
С0
^ 0
В этом случае эффективность применения ОУ А2 и компенсирующего контура обратной связи может быть определена отношением частоты полюса предлагаемой схемы ФПУ к частоте полюса простейшего ФПУ (рис. 1 а)
где Р2 = К2/(К + К2); Рк = К4ДК3 + К4); Fи - передаточная функция идеального ФПУ, П1 - площадь усиления ОУ А1.
K21
2-1/(Ц FH С0)
1 +
П1FH С0
а
0
1
х
х
Введенный коэффициент эффективности К2Х схемы рис. 2 а зависит не только от ёмкости С0 ФЧЭ, но и определяется необходимым уровнем выходного сигнала (величина Fи), а также значением площади усиления ОУ.
На рис. 2 б приведена зависимость, показывающая эффективность применения синтезированной схемы ФПУ при различных значениях ип. Коэффициент эффективности К2Х оказывается наиболее значительным для относительно небольшой частоты единичного усиления /ь что открывает хорошие возможности применения экономичных ОУ.
Второй вариант предлагаемой схемы ФПУ с собственной компенсацией (рис. 3 а) связан с введением в схему дополнительного активного элемента А1, обеспечивающего подключение выхода фотодиода к инвертирующему входу ОУ А1.
Ск
¿ = Пж
' 4ß 2 Т к
ж П
Тк = СкR; ß2 -
V R
V R + V R + V R2'
ßi =
V Rj
V R + V RV + V R2
ж = -
Ra
R3 + Ra
Такие ОУ можно реализовать на базе принципов, сформулированных в [6, 7].
Таким образом, параметры передаточной функции ФПУ (рис. 3 а) не зависят от ёмкости С0 ФЧЭ, что в конечном итоге и подтверждает эффективность собственной компенсации. Однако если в схеме необходимо обеспечить максимальное быстродействие, то в этом случае необходимо учитывать составляющие второго порядка малости. Поэтому
F ( p ) = F_PaV+V_
1 ) 1 и 3j 2i 1 л
pb3 + p b2 + pbV + V
(7)
где
a =-
V
Ьз =
nVn2ß2ж '
Т, =(0. + Ск PI*»*); b2 = inVnT5+V;
Um мВ
юзоо ююо
9900
9700 9500
+--4—I-
Í......
■i.......f
.......i-
1
i-
С0 = 0,5 пФ С0 = !,5 пФ
0
t, нс
б
F (p) = FH
PaV + ю p
p2 + pdp ю p +©p
где
_ nß^ •
ß2
, FH = R ;
тк
b = П^^ + П1р1 + n2p2 1 П1П2Р2Ш
Введя нормированный оператор
получим
s = p
Юн
F (S) = FH
юн = 3
nVn2ß2®
н V T
BS + V
S3 + A2 S 2 + ALS + V
(8)
Рис. 3. Принципиальная схема прецизионного ФПУ с собственной компенсацией (Вариант № 2) (а) и его переходная характеристика при ип = 100 мВ и 1ф = 0,6 мкА (б)
Если не учитывать слагаемое, обратно пропорциональное произведению площадей усиления ОУ, то передаточная функция ФПУ (рис. 3 а):
где В = ахюн, ^2 = Ь2юн, =
Следовательно, при оптимальном выборе параметров В, А2, А1 длительность переходного процесса ФПУ рис. 3 а определяется частотой настройки юн. Поэтому эффективность применения ФПУ рис. 3 а определяется следующими соотношениями:
K 3V =
^ • 2 С + Ск
3С0
по сравнению с простеишим
ФПУ (рис. 1 а), и К32 = ^ПРиС0 - по сравнению со
схемой ФПУ рис. 2 а.
Результаты сравнительного анализа схем ФПУ приведены на рис. 4.
Т
0
а
ю
a
Т
к
Кг 1,9 1,8 1,7 1,6 1,5
г - П = 100 кЕ
U 1
\ ч Un = 21 кВ .J-N-
■ — — -■ ■■ " " Un = 1 кВ
0
20
40
60
80 /1, кГц
Рис. 4. Эффективность схемы ФПУ рис. 3 а по сравнению со схемой рис. 1
Таким образом, рассматриваемая схема ФПУ наиболее эффективна для построения быстродействую-
щих фотоприемников с относительно высоким уровнем выходного напряжения ип. Кроме этого, показатель эффективности К31 возрастает при использовании более высокочастотных ОУ.
Решение задачи параметрической оптимизации длительности переходного процесса схемы ФПУ рис. 3 а приводит к следующим коэффициентам: В = = 0,875^1; Ах = 6,35; А = 5,1.
Из соотношений (7) и (8) следует, что
1 -V
х
-JB С0ЯП;
R
A,
1 Ск
- + B
х
в С + Ск V(C0 + Ск)ЯП
R_A1 ПСк R 2х
—--1--
R1 B
R2
Таблица 3
Основные параметры схемы ФПУ рис. 3 а
Параметры элементов Основные параметры схемы
R, кОм R1, кОм R3, кОм R0, кОм Ск, пФ Un, мВ ДД, дБ t3, нс AUn/Un, %
168 4,5 1 23,8 0,195 100 70 83 1
82 4,0 1 23,2 0,285 50 63 60 1
41,5 2,75 3 16,5 0,49 25 57 55 1
20,7 2,5 5 14,8 0,86 12,5 50 42 1
10 2.1 8,5 12,0 1,4 6 42 38 1
Примечание. R1 = 500 кОм, R4 = 15 кОм, 1ф = 4,9 мкА. Величина Дип/ип обусловлена неравномерностью переходной характеристики, ДД - динамический диапазон.
Таблица 4
Основные параметры схемы ФПУ рис. 1 а
Параметры элементов Основные параметры схемы
R, кОм R0, кОм Ск, ПФ Un, мВ ДД, дБ t3, нс AUn/Un, %
168 350 0,36 100 52 220 1
82 172 0,45 50 50 140 1
41,5 85 0,625 25 48 100 1
20,7 44 0,97 12,5 46 90 1
10 22 1,3 6 42 45 1
Примечание. Величина Дип/ип обусловлена неравномерностью переходной характеристики; 1ф = 4,9 мкА.
Поэтому при R2<<Ri, R2<<R собственный шум ФПУ
Литература
GbIX = -л/4£Ш2 + G2 + G2 ж
R22 + Ro2 +(R3IIR4 )2
Uвых.ш = GBbixV^ , Д /
3t3
Таким образом, для уменьшения собственного шума схемы необходимо максимально увеличить коэффициент передачи резистивного делителя ж, а выбор резисторов и Л2 и ёмкости корректирующего конденсатора Ск направить на обеспечение минимальной длительности переходных процессов.
График рис. 3 б показывает, что длительность переходных процессов в значительной степени зависит от технологической погрешности изготовления ФЧЭ (ДС0/С0 = +50 %). Поэтому время задержки прецизионного фотоприемника должно определяться в наихудшем случае исходя из допустимой погрешности измерения светового потока (Дип/ип).
Результаты детального исследования схемы ФПУ рис. 3 а сведены в табл. 3. Для сравнения в табл. 4 приведены аналогичные результаты для базовой схемы рис. 1 а.
Таким образом, ФПУ с собственной компенсацией характеризуются более высоким быстродействием и широким динамическим диапазоном, что в конечном итоге и повышает качественные показатели ФПУ в целом.
Выводы
Полученные результаты показывают, что использование цепей собственной компенсации в непрерывных приемниках оптических сигналов существенно (в несколько раз) повышает их быстродействие, уменьшает влияние паразитных параметров чувствительных элементов на точность преобразования и упрощает требования к частотным свойствам операционных усилителей. В ряде случаев это позволяет ориентироваться на структуры малошумящих ОУ и, следовательно, повысить динамический диапазон ФПУ без ущерба для их точности и быстродействия. Эти качественные структурные и параметрические свойства ФПУ способствуют решению задачи их интеграции в «систему на кристалле».
Статья подготовлена при выполнении НИР в рамках Госконтракта № 14.В37.21.0781 ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009 - 2013 годы».
1. Крутчинский С.Г. Особенность структурного синтеза принципиальных схем микроэлектронных устройств частотной селекции // Изв. РАН. Микроэлектроника. 1996. № 4.
2. Крутчинский С.Г., Иванов Ю.И., Григорьев В.С. Прецизионные ARC-звенья второго порядка // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1999. Т. 42, № 8.
3. Крутчинский С.Г. Синтез структур аналоговых интерфейсных устройств // Междунар. науч.-техн. журн. «Электроника и связь». 2000. Т. 2, № 8. С. 320 - 324.
4. Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Ковбасюк Н.В., Крутчинский С.Г., Савченко Е.М. Методы компенсации основных составляющих выходной емкости транзисторов в аналоговых микросхемах // Всерос. науч.-техн. конф. «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлек-тронных систем (МЭС>: сб. тр. 2006. № 1. С. 223 - 228.
5. Крутчинский С.Г., Прокопенко Н.Н., Старченко Е.И. Компенсация паразитных емкостей активных элементов в электронных устройствах // Всерос. науч.-техн. конф. «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлек-тронных систем (МЭС)»: сб. тр. 2006. № 1. С. 194 - 199.
6. Prokopenko N.N., Budyakov A.S., Kovbasjuk N.V., Krut-chinsky S.G., Savchenko J.M. ^mpensation methods of basic transistors output capacitance components in analog integrated circuits // 4th European Conference on Circuits and Systems for Communications, ECCSC '08 sponsors: Romanian Ministry of Education. Bucharest, 2008. С. 77 - 82.
7. Прокопенко Н.Н., Конев Д.Н., Серебряков А.И. Способ повышения стабильности нуля дифференциального усилителя с местной отрицательной обратной связью в условиях температурных и радиационных воздействий // Науч.-техн. ведомости Санкт-Петербургского гос. поли-техн. ун-та. 2009. № 91. С. 53 - 59.
8. Прокопенко Н.Н., Конев Д.Н., Серебряков А.И. Синтез структур аналоговых микросхем с повышенной стабильностью нулевого уровня в условиях радиации // Изв. Южного федерального ун-та. Техн. науки. 2009. Т. 94. № 5. С. 81 - 86.
9. Прокопенко Н.Н., Серебряков А.И., Манжула В.Г Компенсация напряжения смещения нуля операционных усилителей с несимметричным включением активной нагрузки // Науч.-техн. ведомости Санкт-Петербургского гос. политехн. ун-та. 2010. № 101. С. 196 - 200.
10. Прокопенко Н.Н., Серебряков А.И., Будяков П.С. Способ повышения стабильности нуля аналоговых микросхем с высокоимпедансным узлом в условиях температурных и радиационных воздействий // Всерос. науч.-техн. конф. «Проблемы разработки перспективных микро- и нано-электронных систем (МЭС)»: сб. тр. 2010. № 1. С. 295 -300.
11. Прокопенко Н.Н., Будяков П.С., Серебряков А.И. Архитектура свч дифференциальных операционных усилителей с парафазным выходом // Всерос. науч.-техн. конф. «Проблемы разработки перспективных микро- и нано-электронных систем (МЭС)»: сб. тр. 2010. № 1. С. 571 -576.
12. ProkopenkoN.N., BudyakovA.S., SavchenkoE.M., KorneevS.V. maximum ratings of voltage feedback and current feedback operational amplifiers in linear and nonlinear modes // 4th European Conference on Circuits and Systems for Communications, ECCSC '08 sponsors: Romanian Ministry of Education. Bucharest, 2008. Р. 205 - 210.
13. Savchenko E.M., Budyakov A.S., Prokopenko N.N. generalized current feedback operational amplifier // 4th European Conference on Circuits and Systems for Communications, ECCSC '08 sponsors: Romanian Ministry of Education. Bucharest, 2008. Р. 142 - 145.
14. Будяков А.С., Прокопенко Н.Н., Schmalz K., Scheytt C., Ostrovskyy P. Схемотехника свч операционных усилителей для аналоговых интерфейсов с глубокой обратной связью // Всерос. науч.-техн. конф. «Проблемы разработ-
Поступила в редакцию
ки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)»: сб. тр. 2010. № 1. С. 301 - 306.
15. Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Ковбасюк Н.В. Схемотехнические методы повышения надежности операционных усилителей с предельным быстродействием в режиме большого сигнала // Всерос. науч.-техн. конф. «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)»: сб. тр. 2010. № 1. С. 235 -239.
30 августа 2012 г.
Сергеев Вячеслав Андреевич - директор, д-р техн. наук, профессор, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Тел. +7(8422)44 29 96. E-mail: sva@uestu.ru
Крутчинский Сергей Георгиевич - д-р техн. наук, профессор, кафедра «Информационные системы и радиотехника», Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса. Тел. (8636)237222. E-mail: sgkrutch@mail.ru
Прокопенко Николай Николаевич - д-р техн. наук, профессор, заведующий кафедрой «Информационные системы и радиотехника», первый проректор - проректор по научной работе и международному сотрудничеству, Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса. Тел. (8636)237222. E-mail: prokopen-ko@sssu.ru
Урлапов Олег Владимирович - канд. техн. наук, научный сотрудник лаборатории опто- и наноэлектроники, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Тел. (8422) 44-29-96; (8422) 44-02-13. E-mail: o.urlapov@gmail.com
Sergeev Vyacheslav Andreevich - director, Doctor of Technical Sciences, professor, Ulyanovsk branch Institute of Radio Engineering and Electronics named Kotel'nikov of Russian Academy of Sciences. Ph. +7(8422)44 29 96. E-mail: sva@uestu.ru
Krutchinsky Sergei Georgievich - Doctor of Technical Sciences, professor, department «Information systems and radioengineering», South-Russian State University of the Economy and Service. Ph. (8636)237222. E-mail: sgkrutch@mail.ru
Prokopenko Nikolay Nikolaevich - Doctor of Technical Sciences, professor, head of department «Information systems and radioengineering», South-Russian State University of the Economy and Service. Ph. (8636)237222. E-mail: proko-penko@sssu.ru
Urlapov Oleg Vladimirovich - Candidate of Technical Sciences, Researcher, Laboratory of opto-and nanoelectronics, Ulyanovsk branch Institute of Radio Engineering and Electronics named Kotel'nikov of Russian Academy of Sciences. Ph. (8422) 44-29-96; (8422) 44-02-13. E-mail: o.urlapov@gmail.com
