Нелинейное дисперсионное уравнение электронной дырки в слабонеоднородной плазме Текст научной статьи по специальности «Математика»

Секция физики

УДК 533 .951

А.И. Матвеев

НЕЛИНЕЙНОЕ ДИСПЕРСИОННОЕ УРАВНЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ДЫРКИ В СЛАБОНЕОДНОРОДНОЙ ПЛАЗМЕ

Рассмотрена стационарная неоднородная задача распространения замедленной продольной волны типа электронной дырки в слабонеоднородной плазме при любых значениях фазовой скорости этой волны. В приближении малых амплитуд получено нелинейное дисперсионное уравнение, описывающие эволюцию этой волны в слабонеоднородной плазме. Исследование дисперсионного уравнения электронной дырки для задачи в постановке [1] показывает, что при распространении ее в слабонеоднородной плазме характерны два режима. Первый режим возможен в случае достаточно малых значений функции распределения электронов, например в хвосте максвелловского распределения. Второй режим распространения электронной дырки в слабонеоднородной плазме имеет место для конечных значений функции распределения электронов. Нелинейное дисперсионное уравнение, описывающее второй режим распространения электронной дырки, переходит в нелинейное дисперсионное уравнение первого режима распространения волны. Последнее, в свою очередь, с уменьшением функции распределения электронов переходит в линейное дисперсионное уравнение.

Так как нелинейная поправка к линейному дисперсионному уравнению в случае первого режима распространения электронной дырки оказывается отрицательной, то просветление плазмы в этом режиме уменьшается, и наоборот, при втором режиме просветление плазмы увеличивается, т.е. волна способна проникать в закритические области плазмы.

ЛИТЕРАТУРА

1. Красовский В.Л. Адиабатическое взаимодействие волна - частица в слабонеоднородной плазме //ЖЭТФ. Т.107. Вып.З.

УДК 621.315.592

Л.Е. Гатько, A.B. Третьякова

ИЗУЧЕНИЕ МЕХАНИЗМА РОСТА В ВОЛЬТСТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК НА АНТИМОНИДЕ

ИНДИЯ

Электроокисление полупроводников в разработанных в последние годы элекролитах на основе апротонных полярных органических растворителей позволяет формировать беспористые анодные оксидные пленки (АОП) толщиной 120-140 нм высокого качества, которые могут служить активным диэлектриком в МОП-структурах. В этих электролитах, отли-

-Ö -7

чающихся низкой растворяемостью по отношению к АОП (10 - 10

нм/с), возможно формирование высококачественных окислов не только в традиционном гальваническом, но и вольтстатическом режимах. Послед-