CC BY
50
УДК 624.012
В. В. КОВАЛЬЧУК, Й. Й. ЛУЧКО (Льв1вська фшя ДПТу) БАГАТОФУНКЦ1ОНАЛЬН1 ТЕНЗОРЕЗИСТОРИ (ДАВАЧ1)
Вибраш i проанал1зован1 тензорезистори (давач1) постшного опору для еластичних елеменпв р1зних конструкцш (як найрацiональнiший елемент апаратури для дослщження тензорезистивних характеристик). Представленi конструкция i принцип роботи чутливих елеменпв апаратури для дослiджень.
Ключовi слова: тензорезистор, температура, деформация, вологiсть
Выбраны и проанализированы тензорезисторы постоянного сопротивления для эластичных элементов различных конструкций (как самый рациональный элемент аппаратуры для исследования тензорезистивных характеристик). Представлены конструкция и принцип работы чувствительных элементов аппаратуры для исследований.
Ключевые слова: тензорезистор, температура, деформация, влажность
The console beam of equal resistance of bending from different constructions of elastic elements (as the most rational element of the apparatus for investigation of strain-resistive characteristics) has been chosen and analyzed. The construction and the principle the work of apparatus for the investigation of strain-resistive sensing elements have been given in the present work.
Keywords: resistive-strain sensor, temperature, deformation, damp
Вступ
Яюсть вимiрювальних систем (ВС) здебшь-шого визначасться характеристиками викорис-таних у них тензорезисторiв. До цих характеристик ставлять дуже жорстю вимоги. Так, на-приклад, давачi повинш мати необхщш стаб> льш метролопчш характеристики, високу на-дшнють роботи в умовах виробництва, бути технолопчними i виготовлятися на недорогш елементнш базi широкого застосування. Бажа-но, щоб вони були багатофункщональними, i водночас виборчими до величини, що вимiрю-еться i не виборчими до вшх iнших величини, що надходять на вхщ ВС. Давачi повиннi мати мат габарити i невелику масу, а 1хня конструк-цiя - чинити мшмальний вплив на дослщжува-ний об'ект i на похибку вимiру фiзичноi вели-чини.
Пiд багатофункщональним тензорезистором (БТ) розумieться сукупнiсть одного або декшь-кох конструктивно об'еднаних чутливих елеме-нтiв, розмiщених в зош дii декiлькох фiзичних величин, що сприймають iнформацiю про роз-мiр цих величин, i формують вiдповiднi сигна-ли [1].
На сьогодш в краiнi не задоволений попит на давачi. Поряд з мшроелектронними давача-ми дискретнi застосовують ширше. Наприклад, температуру газових потоюв вимiрюють серш-ними термоперетворювачами ТСМ, ТСП i iн. 1х недолш - значнi габарити, iнерцiйнiсть [2, 3]. Перевагою давачiв, що розробляються сьогоднi на основi мiкрокристалiв - ниткоподiбних кри-
сталiв (НК), е розширення робочого iнтервалу вимiрiв, шдвищення точностi i швидкодii [4].
Можливють одержання з допомогою БТ ш-формацii про декiлька вхiдних величин, дiя яких зосереджена у вщносно невеликому прос-торi, визначае iхне широке використання при вирiшеннi багатьох науково-дослщних i вироб-ничих завдань. Сдина технологiя виробництва давача i вимiрювально-перетворювальноi час-тини БТ дозволяе створити штелектуальш тех-нiчнi засоби з розширеними функцiональними можливостями.
БТ застосовують в машинобудуванш - при дiагностицi рiзноманiтних машин i механiзмiв; в сшьському господарствi - при розробщ засо-бiв кiлькiсноi оцiнки впливу рiзноманiтних фа-кторiв на розвиток, стан i продуктивнiсть пос> вiв; в медицинi - при дiагностицi функщональ-ного стану i рiзноманiтних захворювань люди-ни; в системах автоматичного контролю - при вимiрюваннi фiзичних величин i видачi сигна-лiв аваршно1' ситуацii, iнших областях науки i технiки. На сьогоднi е роботи про багатофунк-цiональнi давачi, що опублшоваш в 1989 [1] та 1990 рр. [5], розрiзненi публшацп. Розглянемо основнi типи давачiв БТ, подшивши 1'х на чоти-ри групи:
- температури i деформаци;
- температури i швидкостi потоку, витра-ти;
- температури i вологостц
- температури i магнiтного поля.
© Ковальчук В. В., Лучко Й. Й., 2011
Пюля цього зупинимось на давачах тиску i витрати, наведемо опис давачiв для вимiру 3-х фiзичних параметрiв, а також - характеристики деяких функщональних матерiалiв.
Давачi температури i деформацп
Для вимiру температури i деформацiй вико-ристовують тензотермодавачi (рис. 1) дротяш давачi, що складаються з тензочутливого i тер-мочутливого елеменпв, якi розташованi на од-нiй основi. Термочутливий елемент, виконаний з термочутливого матерiалу, охоплюе тензочу-тливий елемент з трьох сторш одним або декi-лькома витками. Таке розташування термо-чутливого елемента дозволяе вимiряти середню температуру поля навколо тензочутливого еле-мента, що буде найбшьш близькою до серед-ньо! температури тензочутливого елемента тен-зодавача [6].
тангенс кута дiелектричних втрат tg5 <0,02;
п езомодуль
d-33 — <
,1012 Кл/Н;
чутливiсть
Рис. 1. Схема тензотермодавача:
1 - термочутливий елемент; 2 - тензочутливий елемент
1нший засiб монтажу тензо- i термодавачiв полягае у виготовленнi чутливого елемента (ЧЕ) з матерiалу деталi, на якш закрiплюють давач з шд'еднувальними вимiрювальними дротинами. В деталi роблять заглиблення, вста-новлюють i закршлюють ЧЕ з давачем, а вим> рювальнi дротини пропускають через вивщний канал. З метою пiдвищення точносп вимiрiв, у поверхневому шарi деталi при термоударних дiях потоку робочого середовища, ЧЕ виготов-ляють у вигщщ пластини, заглибленню в деталi надають схщчасто! форми. Причому розмiри верхнього схiдця заглиблення вiдповiдають ро-змiрам пластини, а встановлюють пластину в заглиблення на одному рiвнi з поверхнею дета-лi давачем всередину [7].
Розроблено прилад для контролю тиску i температури [8]. Прилад РРТ реалiзований на основi однокристально! мiкро-ЕОМ i призначе-ний для вимiрювання i контролю допустимих значень температури, тиску, як нормального так i максимального.
На основi плiвок ЦТС (цирконат титанату свинцю) [9] отримаш давачi температури i ди-намiчних деформацiй поверхш з такими характеристиками: початкова емшсть С0 — 500 нФ;
107 В/м; робочий дiапазон частот вщ 10-1 до 108 Гц; робочий дiапазон температур -50...+250 °С i деформацiй вiд 10-8 до 10-3 вiдносних одиниць; площа $ = 3 мм2; товщина И = 0,5 мм.
У сучаснш вимiрювальнiй технiцi важливе мiсце належить п'езорезонансним давачам [10]. Серед багатофункщональних давачiв часто ви-дiляють таю, в яких пiдсумковий сигнал ЧЕ розд^еться на складовi, що несуть шформа-цiю про вiдповiднi вхщш величини БТ.
Параметричний БТ, описаний в робот [11], виконаний на основi п'езокерамiки i дозволяе вимiрювати температуру i тиск в дiапазонах вiд 40 до 150 °С та вiд 0 до 2,42 МПа, вщповщно. П'езокерамiчний елемент живиться вщ джерела постiйного струму i змiна напруги на ньому несе шформащю про температуру. Вимiрюван-ня тиску грунтуеться на традицiйному прямому п'езоефекп.
Схема БТ, де як чутливий елемент викорис-тано ниткоподiбний монокристал кремшю з орiентацiею росту <111>, iз сформованим на ньому ^-«-переходом i точковими контактами наведена на рис. 2 [12]. Д^нка з провщшстю ^-типу такого монокристала служить тензочут-ливим елементом. Дiлянка з ^-«-переходом ви-користовуеться для вимiру температури.
Рис. 2. Схема БТ для вим1рювання зусиль F та температури:
1 - монокристал кремшю; 2 - p-n перехщ
Конструкцiя, що наведена в робот [13], мае вигляд двох п'езокварцевих резонаторiв на од-нiй пластинi. БТ призначений для вимiру температури i механiчних зусиль.
П'езорезонанснi давачi застосовують для одночасного вимiру тиску i температури рщи-ни, газу i т.д. [14]. Пристрiй мiстить давач^ ви-конанi у виглядi п'езорезонаторiв, що з'еднанi вiдповiдно з одним i двома автогенераторами, опорний генератор, формувач сигналу рiзнице-во! частоти, блок вщображення. На п'езорезонаторi 1 водночас впливають тиск i температура, на п'езорезонатор 2 - тшьки температура. За умови, що п'езорезонатори i тер-
мостатовании п езорезонатор опорного генератора зроблеш з одше! заготовки i мають один i тоИ же зрiз i однаковi резонанснi частоти, на виходах формувача рiзницевоl частоти отрима-емо сигнали, пропорцiИнi на одному - тиску, а на шшому - температурi вимiрюваного середо-вища. Дослiджуванi вхiднi величини можуть бути незалежнi одна вiд одно! i тодi можливе 1хне сприймання за допомогою давачiв, селек-тивних до окремих величин БДС.
Зупинимось на конструкщях давачiв з нит-коподiбних кристалiв.
У [15] наведений опис БДС для одночасного вимiру зусилля i температури, що виготовлений на базi ниткоподiбних кристалiв кремшю дiа-метром 30... 70 мкм з орiентацiею осi росту <Ш> (рис. 3.) Центральна частина такого дава-ча мае провщнють «-типу, а навколишнш И зо-внiшнiИ шар - р-типу. До кристала з провщшс-тю «-типу (термоелемент) приварювались кон-такти з платинового мшродроту, легованого сурмою, а до шару з провщнютю р-типу, тензо-елемент - мшродроту з чисто! платини. Почат-ковий опiр термоелемента складае 100...1000 Ом при температурi Т = 20± 5 °С. Давач мае малий показник теплово! шерци 50...80 мс, високий коефiцiент тензочутливост доршнюе 65. Малi габарити (1...4*0,05*0,05 мм) дозволяють вимiрювати деформацiю i температуру в просторово обмежених дiлянках об'екту дослiджень.
Рис. 3. Схема БДС для вим1рювання зусиль Е та температури Т:
1 - ниткопод1бниИ кристал «-типу; 2 - шар р-типу.
У [16] розглядаеться можливiсть створення первинного перетворювача на основi ниткопо-дiбного кристала кремнiю з аксiальним ^-«-переходом для незалежного i одночасного вимiру деформаци i температури. Це стало мо-жливим, оскiльки в мiкрооб'емi ниткоподiбно-го кристала (НК) мютяться областi « i р-типу провщносп, роздiленi /»-«-переходом. Шар р-типу володiе тензочутливiстю Кр = 60...65 , а «-
типу К11 = 5...7 . ЗмiщениИ в зворотному на-прямi р-«-перехщ мае отр 108...1010 Ом, високу чутливiсть до температури (104 Ом. К-1) i малу величину Кр11 = 0,3. Тому обласп « i р-типу
провiдностi надiИно iзолюються одна вщ одно! зворотно змiщеним /-«-переходом. Взаемний вплив р- i «-областей одна на одну складае 10"2.10"3 %. Центральна область «-типу i р-шар використовуються для вимiру деформаци, а зворотньо змщений р-«-перех1д - для вимiру температури.
Робочий дiапазон температур 77.400 К, деформацш дорiвнюе 0,3. Габарити ЧЕ 3.6*0,06*0,06 мм. Схема наведена на рис. 4.
Рис. 4. Схема давача на основ1 НК кремшю з акс1альним р-переходом для незалежного вим1рю-вання деформаци 1 температури:
1-4 - ввдввдт контакти; 5, 6 - витрювальш прилади;
7 - джерело струму.
У [17] визначеш оптимальнi розмiри i форма такого перетворювача. При змш температури перетворювач мае практично нульову чутли-вiсть до деформаци. Розраховаш розмiри перетворювача i поданi рекомендаци для практичного застосування.
Розроблений тензодавач для одночасного вимiру деформаци i температури, що мiстить тензо- i термочутливi елементи, iзоляцiИне по-криття (рис. 5). Тензочутливий елемент вико-наний у виглядi ниткоподiбного кристала труб-чато! форми, всередиш якого встановлений у вiльному сташ термочутливий елемент. Як тензочутливий елемент використаний ниткоподiб-ний кристал телуру, а як термочутливий - НК твердого розчину арсено-фосфщу гатю, що легований шркою [18].
Рис. 5. Тензотермодавач:
1 - тензочутливий елемент трубчато! форми; 2 - 1золяцшне покриття; 3 - термочутливий елемент
Давачi температури i швидкостi потоку
Основну групу датчикiв для вимiру швидко-стi потоку i температури складають терморези-стивнi давачi.
Анемометром називають прилад для вимiру потоку, що базуеться як на електричному (тер-морезисторний анемометр, або анемометр з пщ^вною сшраллю), так i на мехашчному (анемометр з крильчаткою) принцип ди.
Опiр терморезистора з негативним ТКО типу М85 ^рма Siemens) змшюеться вiд 10 кОм при 20 °С до 3 кОм при 100 °С. Ошр моста складае 1 кОм [19].
Пристрiй для одночасного вимiру температури i швидкостi потоку (рис. 6), мютить термоанемометр постшно! температури i термометр опору, вихщ якого з'еднаний iз входом змiнного резистора, включеного в мют термоанемометра через блок компенсаций Вiдрiзня-еться прилад тим, що з метою розширення частотного дiапазону вимiру температурних пуль-сацiй потоку, в нього введений додатковий термоанемометр постшно! температури, в вимiрю-вальний мют якого включений терморезистор i змшний резистор, при цьому вихщ термометра опору з'еднаний зi змшним резистором додат-кового термоанемометра [20].
Рис. 6. Пристрш для одночасного вим1рювання температури та швидкосл потоку
Полiпшення метрологiчних характеристик часто досягають схемними ршеннями. Напри-клад, з метою пiдвищення точносп вимiру шляхом полiпшення частотно! корекцп термо-давача вимiрювального перетворювача температури в нього введенш сустрактор, квадратор, помножувач, штегратор, перший i другий рези-стори, коректуючий шдсилювач та iнвертор. До входу швертора пiдключенi вихiд коректуючо-го тдсилювача i другий резистор, що послщо-вно з'еднаний з першим резистором i першим входом помножувача, другий вхщ якого через послiдовно з'еднаний сустрактор i квадратор пiдключений до входу термоанемометра постшно! температури. При цьому вихщ помно-
жувача з еднаний через штегратор з першим резистором i першим входом коректуючого тдсилювача, другий вхщ якого з'еднаний з ви-ходом вимiрювального перетворювача температури [21].
З метою тдвищення точносп вимiру швид-костi потоку в схему термоанемометра введений дшьник сигналiв, один вхщ якого пiд'еднаний до давача термоанемометра, шший - до високостабшьного резистора, а вихiд - до швертуючого входу пiдсилювача зворотнього зв'язку, нешвертуючий вхiд якого з'еднаний з виходом блоку компенсацп [22].
Вщомий термоанемометр [23], у якого ЧЕ виконаний з графггу. Графiтовi волокна (ГВ) одержуються пiролiзом, що дешевше вщ одер-жання металевих волокон протяжкою i трав-ленням. Граф^ мае вищу межу мщносн на роз-тяг - до 50000 кН/см2, що дозволяе робити бшьш тонким ГВ - до 2 мкм а, отже, зменшуе постшну масу термоанемометра. Для збшь-шення термостiйкостi ГВ покривають карбщом кремнiю, товщиною 0,1...5 мкм. Можуть засто-совуватися ГВ, насиченi бором вщ 0,001 % до 1 % по ваз^ що збшьшуе температурний коеф> цiент електричного опору (ЕО) i робить ЕО по-стiйним в робочому дiапазонi температур. Ви-користовують графiт з такими додатками, як FeCl3CoCl2Br2 , що збшьшують температурний коефiцiент ЕО. ГВ одержують пiролiтичною декомпозицiею вуглеводiв: бензолу, ацетилену або метану. ГВ мае при 20 °С ЕО вщ 50 до 100 мкОм.см i температурний коефiцiент ЕО не нижче 0,001С-1. ГВ мае високу теплопровщ-нють (500 Вт/м.А) i низьку теплоемнють -2,5 кал/моль. K при 20 °С.
У [24] розглядаеться можливiсть створення малоiнерцiйного ЧЕ термоанемометра на осно-вi НК Si, що вирощували методом хiмiчних га-зотранспортних реакцiй. На рис. 7 показана блок-схема термоанемометра, терморезистор 1 виконаний з одного НК. Електроди 2 виконаш з мщного дроту d — 0,3 мм, i жорстко закрiпленi в утримувачi 3, що в свою чергу кршиться на трубi 4, d^^ —10 мм. Утримувач влаштований
так, що терморезистор перемщуеться вздовж ос х паралельно своему початковому положен-ню. Це дозволяе вимiряти градiент швидкостi потоку по перетину труби 4. Конструкщя термоанемометра дае можливють контролювати температуру газового потоку тим же терморезистором, працююе в режимi малого робочого струму i не бшьше 2-10"4 А.
Рис. 7. Термоанемометер з ЧЕ на основi НК:
1 - терморезистор; 2 - електроди; 3 - утримувач;
4 - труба
В [25] описаний термоанемометр, що мю-тить два паралельно розташоваш, жорстко скршлеш { електрично-!зольоваш ниткопод!бш кристали нашвпровщника (рис. 8), один з яких служить термоелементом, шший - шдпр!вачем, тиристорний генератор ¿мпульшв з накопичу-вальним конденсатором, включеним паралель-но з тиристором, до керуючого електроду якого приеднаний один з вивод1в термоелемента.
под1бного кристала ОаА80,бР0,4 легованого Си I 81, концентращя яких складае вщповщно 5-1017 або 1018 см-3 { 5-1017см-3.
Давачi температури i вологостi
Для вим1ру вологосп газ1в застосовують рь зномаштш типи давач1в: електричш психроме-три, гпрометри точки роси, гпрометри з тд> гр1вними давачами, електрол!тичш давач1, зок-рема сорбцшш 1 ш.
Для електричних пгрометричних давач1в з оксидним шаром розроблений [28] зас1б темпе-ратурно! компенсацп. Схема такого пгротер-модатчика показана на рис. 9. На внутршнш { зовшшнш цилшдричних поверхнях тонкостш-но! алюмшево! трубки 1 е оксидш шари 2 { 3; поверх цих шар1в нанесен! граф1тов1 шари, що проводять струм (електроди) 4.
Рис. 8. Вимiрювальна схема термоанемометра з НК:
1 - конденсатор; 2 - тиристор; 3 - регулюючий резистор; 4, 5 - вдаоди НК; 6 - термодатчик; 7 - резистор наванта-ження; 8 - джерело живлення
Анод тиристора, з метою тдвищення чут-ливост1, з'еднаний через шдпр!вач з термоелементом, а його керуючий вхщ через змшний резистор з'еднаний з м1нусом джерела живлення.
Розроблеш термоанемометри [26] для вим> рювання як малих 0... 1,5 м/с, так { великих до 15 м/с швидкостей потоку пов1тря, чутливими елементами яких е ниткопод1бш кристали твердого розчину ОаРхЛ81-х складу х = 0,4 . Основ-га параметри термоанемометра визначаються характеристиками терморезистора (ТР): отр ТР в штервал! 293...473К описуеться, як Я = Я0 ехр(Ав / кТ), де Ав = 0,35 , а температу-рний коефщент опору (ТКО) досягае значення 6,3 %/К (300К).
Конструктивно термоанемометр [27] мю-тить утримувач, чутливий { компенсацшний елементи, джерело постшного струму, блок вим1ру { реестраци. Особливютю його е те, що з метою зменшення похибки шляхом лшеариза-ци вихщно! характеристики { тдвищення чут-ливост1, чутливий елемент виконаний з нитко-
Рис. 9. Пгротермодавач:
1 - трубка алюмшева; 2, 3 - оксиднi шари; 4 - електроди
Внутршня поверхня трубки 1 заповнена во-лого1золюючим лаком 5, внаслщок чого воло-гочутливий шар 3 перебувае в гпротерм!чшй, а шар 2 тшьки в терм!чнш р1вноваз1 з навколиш-тм середовищем. Такий пгротермодавач до-зволяе водночас вишрювати волопсть { температуру.
Вщомо [29] про використання чутливого до температури фериту для вишру температури { вологосп пов1тря.
Проведен! досл!дження деяких ф!зичних па-раметр!в одного з ферит!в, який поеднуе феро-магн!тн! ! натвпровщников! властивост!. До-сл!джували зразок (рис. 10) у форм! кшьця !з зовн!шн!м д!аметром 13 мм ! внутр!шн!м 9 мм при товщиш 4,5 мм. Оп!р зразка Я змшюеться з температурою Т за законом Я = Я0ехр (В / Т),
де Я0, В - параметри матер!алу. Отр падае в штервал! температур 0...60 °С вщ 900 до 10 кОм. Магштний оп!р росте з температурою до точки Кюр! 35 °С. Пориста структура фериту призводить до адсорбцп пар!в води з навко-
лишнього середовища. В результат опiр зразка при температурi 10 °С падае iз зростанням вщносно! вологосп вiд 55 до 95 % в межах вщ 14 до 12 кОм. Вщзначимо, що магштш елементи -ферити можна використовувати, як комплексш перетворювачi температури i вологостi повiтря.
тури використовуеться складово!.
залежнiсть емшсно!
Рис. 10. Структура термоволожно! вим1рювально! системи
У [30] описуеться прилад, призначений для вимiру вологостi i температури пов^ря. Вiн складаеться з нашвпровщникового термоеле-мента - високочутливого малошерцшного во-логочутливого первинного перетворювача i перетворювача температури - нашвпровщнико-вого терморезистора. В [31] описуеться комплект апаратури, призначений для вимiру температури i вщносно! вологостi в звичайних i вибухонебезпечних газових середовищах. В нього входять первинш хлористо-лiтiевi пере-творювачi в звичайному виконаннi ДВ-1К i в вибухоюкробезпечному виконаннi ДВ-1В, та нормуючий перетворювач. Прилад забезпечуе вимiр вщносно! вологосп в дiапазонi 30.98 % при температурi середовища 5.50 °С з похиб-кою <1,5 %, i температури вiд 0 до 100 °С з по-хибкою <0,1 °С.
У [32] запропонований малогабаритний да-вач для вимiру температури i вiдносно! вологос-ть На пiдкладцi з електроiзоляцiИного матерiалу, наприклад, корунда, виконано! в формi тонко! прямокутно! пластини, в вщповщних !! областях сформованi перший гребiнчастий електрод для фiксацi! температури i давач вiдносно! вологостi, що мютить два гребiнчастих лiнiИних електроди, яю покритi органiчною високополiмерною плiв-кою, електричний опiр яко! змiнюеться при змш вологостi.
Давач фiрми Нишюега1 (Японiя) побудова-ниИ на базi керамiки з пористого нашвпровщ-никар-типу [33]. БДП для вимiру температури i вологостi складаеться з керамши (структура БаТЮ3-8гТЮ3) з оксидно-рутешевими елект-родами, до яких привареш вiдводи нагрiвача i пiдкладки (рис. 11).
У цьому випадку використовуеться явище адсорбци вологи керамiкою з вщповщною зм> ною !! активного опору. При вимiрi ж темпера-
Рис. 11. Схема БДП ф1рми «Нишкега»:
1 - в1дводп нагр1вача; 2 - вщводи керамши; 3 - клеми;
4 - оксидно-рутешев1 електроди; 5 - керам1ка;
6 - нагр1вач; 7 - тдкладка
Одна з японських фiрм пропонуе БДС для вимiру температури i вiдносно! вологостi повi-тря (рис. 12) з пористо! керамiчно! тдкладки з електродами, чутливим елементом до вологос-тi, на одну з поверхонь яко! додатково нанесений термочутливий елемент [34].
Рис. 12. Схема БДС для вим1рювання температури та вщносно! вологосп повггря:
1 - тдкладка; 2 - контактт площадки;
3 - термочутливиИ елемент
Давач фiрми Нишюаг (Япошя) [35] призначений для вимiру температури вщ - 4 до +80 °С i вiдносно! вологостi вщ 0 до 100 %. Вш вико-наний у виглядi тонкоплiвкового конденсатора. Вимiр вологостi грунтуеться на використанш залежностi дiелектрично! проникливостi пол> мерно! плiвки вiд вологостi. В якосп чутливого елемента температури застосований мшатюр-ний напiвпровiдниковиИ терморезистор.
У [36] розглядаеться термоелектричний давач вологосп (рис. 13), що мютить ЧЕ у вигщщ гшок нашвпровщникового матерiалу, що утво-рять мшромодуль; на поверхнi одних спа!в ро-змiщениИ пiддон з теплопровiдного матерiалу з розташованою в ньому пластинкою з пористого матерiалу, що змочуеться; реестрований сигнал складае 0...10 мВ; дiапазон вiдносно! вологостi 20...90 %, температура +5...+50 °С. Число гшок
64, poзмipи 12.35 c.
4,9*4,9*2,6 мм. Iнepцiйнicть
Риа 13. Тepмoeлeктpичний дaвaч вoлoгocтi:
l - чутливий слсмснт; 2, 3 - кoнтaктнi плки;
4 - пepeмикaч; 5 - вимipювaльний ^и^д; б - cтpyмoвiдвoди; 7 - лaмeльки; S -тpимaч; Я - пaпepoвa CTpÍHKa; lO - звoлoжyвaч; ll - oтвip
З мeтoю пiдвищeння швидкoдiï i мiнiaтюpи-зaцiï ЧЕ дaвaчa викoнaний з мoнoкpиcтaлa те-лypa гoлчacтoï фopми, дo вicтpя якoгo npmrnc-нутий пopиcтий мaтepiaл, щo змoчyeтьcя, y ви-глядi пaпepoвoï е^чки, a кoнтaктнi гiлки yтвo-pem пpивapкoю дo ЧЕ зoлoтoгo мiкpoдpo-тy.Дaвaч мicтить ЧЕ 1, rama^m гiлки 2 i 3, пepeмикaч 4, вимipювaльний пpилaд 5, cтpyмo-вiдвoди 6, лaмeльки 7, тpимaч S, пaпepoвy dpi-чку 9, звoлoжyвaч 10, oтвip 11. Poзмipи ЧЕ 5,0*0,20*0,35 мм [37]. В цьoмy випадку чacти-нa кpиcтaлa викopиcтoвyeтьcя, як дaвaч вoлoгo-cri (вимipюeтьcя тepмo-e.p.c.), a чacтинa, як тepмo-peзиcтop. В [3S] oпиcaний вимipювaль-ний пepeтвopювaч тeмпepaтypи i вoлoгocтi. Вкaзaнo йoгo ocoбливocтi i пepeвaги над юную-чими. Дaнo ocнoвнi xapaктepиcтики, пoxибкa cклaдae 2 %. Нaвeдeний зoвнiшнiй вигляд i po3-мipи кoнcтpyкцiï.
Давачi температури i магштного поля
В нинiшнiй чac oкpiм тpaдицiйниx гaльвa-нoмaгнiтниx ^raa^: мaгнiтopeзиcтopiв, мaг-нiтo-дioдiв, мaгнiтoтpaнзиcтopiв тa iншиx [39] шиpoкo викopиcтoвyютьcя дaвaчi нa мaгнiтoчy-тливиx iнтeгpaльниx cxeмax, гeтepocтpyктypax, нaдpeшiткax. Виявлeний гiгaнтcький мaгнiтope-зиcтивний eфeкт в пepмaлoeвиx плiвкax NiFe, бaгaтoкoмпoнeнтниx cпoлyкax La1-xGaxMnO3
[40].
Виxoдячи з вимoги мiнiaтюpизaцiï i тдви-щeння тoчнocтi вимipiв, винитае нeoбxiднicть oб'eднaти фyнкцiï вимipy мaгнiтнoгo пoля i тe-мпepaтypи в oднoмy пpилaдi, щo мaе штатго знaчeння в вyзькиx щiлинax i oбмeжeнoмy npo-cтopi мaгнiтниx стогем. У [41] oпиcaний тaкий дaвaч тeмпepaтypи i мaгнiтнoгo пoля. ^CT^a cклaдaетьcя з двox шapiв и-р-нaпiвпpoвiдникiв
eпiтaкciйнoгo GaAs, нaнeceниx з двox cтopiн нaпiвiзoлюючoï пiдклaдки. Оcкiльки roCTrnHa Xoллa для GaAs «-типу raa6o зaлeжить вiд тeм-пepaтypи, то вш мoжe cлyжити дaвaчeм мaгнiт-нoгo пoля. Чyтливicть дaтчикa 5,2 мВ/кГ^ Koe-фiцiент нeлiнiйнocтi в мeжax 40 кГc - 0,26 %. Шap GaAs р-типу стужить дaвaчeм тepмoмeтpa oпopy. Тeмпepaтypний кoeфiцiент йoгo piвний 0,05 гpaд,"1 в дiaпaзoнi 4,2.25 °С. Сиcтeмa мo-жe cлyжити для oднoчacнoгo визнaчeння т€м-пepaтypи i мaгнiтнoгo голя.
Пpoпoнyетьcя дaвaч з НК [42] (pro. 14, А), щo cклaдaетьcя тaкoж з двox aктивниx eлeмeн-тiв, poзтaшoвaниx нa oднiй шдкладщ. В якocтi дaвaчa мaгнiтнoгo голя викopиcтaний дaвaч Xoллa з ниткoпoдiбнoгo мoнoкpиcтaлa InSb з питoмим oпopoм 2^10"3 Ом.cм i кoнцeнтpaцiею rocii^ 4,Ы016 cм"3, тeмпepaтypний дpeйф cm--нглу нe пepeвищyе 0,01 %K в дiaпaзoнi 77 + 200K, a в дiaпaзoнi (200.350)К мaкcи-мaльнa вeличинa тeмпepaтypнoгo дpeйфy чут-ливocтi <2,0 %К.
Pиc. 14. Дaвaчi мaгнiтнoгo шля i тeмпepaтypи:
l - mAMaA^; 2 - дaтчик Xoллa; 3 - дaтчик тeмпepaтypи; 4 - xoллiвcькi eлeктpoди; 5 - тeмпepaтypнo-чyтливий koh-тжт; б - мдт вiдвoди; 7 - cтpyмoвi CTeKipoArn
Як дaвaч тeмпepaтypи викopиcтoвyють !ep-мopeзиcтop з ниткoпoдiбнoгo мoнoкpиcтaлa GaAs з кoнцeнтpaцiею дipoк 24017 cм"3 i пито-мим oпopoм 0,1 Омхм пpи T = 300K . noxrn6Ka, oбyмoвлeнa мaгнiтним пoлeм B = 30 Krc, craa-дaе 2 % в iнтepвaлi тeмпepaтyp (77.200)К i 0,2 % в дiaпaзoнi (200.350)К. TaKe cmmHe зacтocyвaння двox дaтчикiв дoзвoлилo тдви-щити тoчнicть вимipy мaгнiтнoгo голя i тeмпe-paтypи, зaвдяки тому, щo в дiaпaзoнi 77 + 200K тeмпepaтypнoю пoxибкoю вимipy мaгнiтнoгo пoля мoжнa знexтyвaти, a в roKa-зaння дaвaчa тeмпepaтypи внecти вiдпoвiднy пoпpaвкy пo вiдoмoмy мaгнiтнoмy пoлю. В дia-пaзoнi тeмпepaтyp (200.3 5 0)К, нexтyючи впливoм мaгнiтнoгo голя Ha omp дaвaчa тeмпe-pa!yprn, пoчaткoвo вимipюемo тeмпepaтypy, a шдукцго мaгнiтнoгo пoля визнaчaемo пo виxiд-нiй нaпpyзi дaвaчa Xoллa i знaчeнню йoгo чут-ливocтi ^и дaнiй тeмпepaтypi.
Нacтyпний тип ^иладу, щo пoеднyе фyнкцiï дaвaчa Xoллa i дaвaчa тeмпepaтypи, цe дaвaч з GaAs, дo якoгo ^mapero п'ять зoлoтиx eлeкт-
род1в, причому чотири електроди разом з крис-талом утворюють елемент Холла, а п'ятим еле-ктродом (контакт GaAs-Au) вим1рюеться температура. Температурний коефщент опору ко-
нтакту у =
АД • 100 п/ _ п/ т„
— % може складати 2,5 % К.
Я
K300AT
стрш На п'езоелемент нанесений шар пгро-скошчного матер1алу i шар струмопровщного електроду, проникливого для молекул води.
Для зменшення впливу магштного поля на опiр контактов, останнiй легують акцепторною до-мшкою, що дозволяе знизити до 1 % похибку у вимiрi температури (див. рис. 14, В).
Була розглянута технолопя виготовлення давачiв Холла з монокристатв GaAs «-типу, одержуваного техшкою епiтаксiï, i ïхнi власти-востi в магнiтних полях до 8T при температурi рiдкого гелда i кiмнатнiй температурi. Порiв-нювалися властивостi датчикiв, виготовлених з GaAs з концентращею електронiв 1,3-1016 см-3 до 4,3 1018 см-3, з точки зору ïхнього застосу-вання, для вимiру сильних магштних полiв при низьких температурах [43].
Описаш властивостi мiкромiнiатюрних дат-чиюв Холла, виготовлених з плiвок InAs методом груповоï технологiï, що базуеться на бага-тошаровому напилеш i фотолiтографiï [44].
Елементи Холла описаш i в шших джерелах [45-47]. Розглядаються засоби тдвищення чут-ливостi, а також рiзноманiтнi конструктивнi рiшення. Датчики застосовуються, для вимiру температури, а також напружень, зусиль пере-мiщення тощо.
1иш1 типи давач1в
Зупинимось на багатофункцiональних датчиках, призначених для вимiру 3-х фiзичних параметрiв.
Схема БДС для вимiру трьох фiзичних величин (рис. 15) включае в себе мембрану, ви-конану у виглядi кремнiевоï пластини, отрима-но1' ашзотропним травленням, ситалову пiдкла-дку, на яку засобом вакуумного напилення нанесена шарова структура, що складаеться з ме-талевого електрода, гiгроскопiчного матерiалу на основi окису алюмiнiю i платинового птв-кового термометра опору, виконаного в формi меандра [48].
Давач, описаний в робот [49] мютить (рис. 16) п'езокерамiчний елемент у виглядi пустотiлого цилiндра, на внутршнш поверхнi якого засобом впалювання створений сущль-ний шар срiбного струмопровщного електроду, а на зовнiшнiй - два шших шари, для забезпе-чення диференцшного включення п'езоеле-мента в шдсилювально-перетворювальний при-
Рис. 15. Схема БДС для вим1рювання тиску, температури i ввдносно1 вологосп повггря:
1 - кремшева мембрана; 2 - плшковий терморезистор; 3 -окис алюмшю; 4 - контактна площадка; 5 - алюмшевий електрод; 6 - ситалова площадка
Рис. 16. Конструкц1я БДС для вим1рювання тиску, температури i вщносно1 вологосп:
1, 2 - електроди перетворювача тиску; 3 - пгроскотчний
матер1ал; 4 - електроди перетворювача вологосп; 5, 11, 13 - електричш в1дводи; 6 - корпус; 7 - опорна втулка; 8 - р1зьбова втулка; 9 - виидний кабель; 10 - хвостовик; 12 - перехвдна гайка; 14 - п'езоелемент; 15 - електрод перетворювача тиску; 16 - термоелектрон;
17 - струмозшмач; 18 - мембрана
Мщний струмозшмач, що контактуе з внут-ршньою поверхнею п'езоелемента, виконуе додаткову функщю одного з термоелектродiв термоелектричного термометра i мае електрич-ний контакт з струмопровщною металевою мембраною. До нього припаяний константано-вий термоелектрод. Вузол шдтискування п'езоелемента складаеться з рiзьбовоï i опорно1' втулок та перехщно1' гайки. Для вимiру тиску використовують цилiндричний п'езоелемент, що працюе з деформацiею зсуву. Iнформацiю про температуру зшмають з термоелектрода i електричного вщводу, з'еднаного з корпусом. При вимiрi вологостi молекули води, проника-ючи в корпус, абсорбуються пгроскошчним матерiалом i змiнюють його електричш характеристики.
У [50] описуеться багатофункцюнальний давач, що дозволяе вимiрювати швидюсть в потоках рiдини або газу, температуру i розр> дження. Використовуеться принцип теплопере-дачi при постiйнiй температурi кристала. При
вимфах швидкост1 потоку в1дзначаються висо-ка чутливють i значний р1вень вихщного сигналу до 500 мВ. Чутливють датчика при вимiрах температури 64 мВ/°С. При вимiрах розрщжен-ня вiд атмосферного тиску до 102 мм рт. ст. вихщний сигнал змшювався на 300 мВ.
Мшроструктура перетворювача для вимiру витрати i диференцшного тиску описана в [51]. Розроблений фiрмою Honeyweel Inc., однокрис-тальний тонкоплiвковий iнтегральний перетво-рювач (П), призначений для вимiру масово! i об'емно! витрат, диференцшного тиску i потоку енергн газоподiбних середовищ i наведенi характеристики П, який мае двi мостовi резистив-нi вимiрювальнi схеми (МС), двi перетворюва-льнi схеми (ПС), термокомпенсацшний на^в-ний резистивний елемент i одну кремшеву пщ-кладку. Одна МС використовуеться для вимiру витрати або тиску, iнша МС - для вимiру температури. Чутливi резистивнi елементи МС ви-робляються з металевих сплавiв з високим пи-томим опором. Товщина елементiв 1 мкм; ширина 5 мкм. Вихщш сигнали з МС подаються на ПС. Робочий дiапазон вимiру диференцшно-го тиску вщ 0 до 250 Па. Постшна часу П рiвна 0,005 с. Вщзначено, що П в^^зняеться висо-кою чутливiстю i низькою вартiстю i може ви-готовлятися засобом групово! технологiï.
Фiрмою Ficher und Potter, випускаються пе-ретворювачi П, придатнi для вимiру статичного тиску Р до 500 бар, абсолютного Р до 2 бар, рiзницi Р до 80 бар. Пори чутливосп по Р 0,6 Мбар. Врахована нов^ня технолопя в област електрошки. Забезпечуеться коригування «нуля» П. Похибка П ± 0,25 %. Перетворювачi придатнi для роботи практично з будь-якими рщинами i газами. Вихщний сигнал П: 4.20 або 10.50 мА. Завдяки модульному блоку з диференцшним конденсатором, що включений в П, вони мшатюрш i дешевi [52].
Як чутливий елемент БТ часто використо-вують прилади рiзноманiтного принципу дп, наприклад, тензорезистори iз р-п переходи [53]. Цшавий тип давача, оснований на ефектах тен-зорезистивному i фоторезистивному, фототен-зорезистор описаний в [58].
Мшросенсори виготовляються на основi ге-теросистеми Ge/GaAs.
Кожний з таких мiкросенсорiв повинен мати високу чутливють, тшьки до впливу одного з параметрiв, будучи практично не чутливим до впливу шших. У плiвках германiю на арсенид галiю це досягаеться шляхом вардавання рiвнiв легування вiд 1017 до 1021 см-3 i ступеня компе-
нсацii К = Уд / УА вщ нуля до одинищ, де Уд i УА - концентращя донорiв i акцепторiв. При цьому можливе одержання плiвок як п -, так i р-типу провiдностi [54].
У [55] розглянута концепцiя приладних структур чутливих до вологостi матерiалiв для штеграцп в мiкросхеми в рамках пленарноi кремнieвоi технологii. Мембрани з пгроскошч-ного полiмерабутират ацетату целюлози з вну-трiшнiми зв'язками, що е одним з чутливих до вологосп матерiалiв, придатних для iнтеграцii, значно бшьш прийнятнi порiвняно з реактивами, що використаються при фотол^ографп за термостабiльнiстю, поглинанням води i iнших параметрах. Розроблена мiкросхема з вбудова-ною, чутливою до вологосп, мембраною з цьо-го матерiалу та з транзисторами з iзольованим затвором.
Дослiдженi магнiтнi i основнi електричш властивостi температурно-чутливих магнiтних напiвпровiдникiв (ТМП) [56]. Встановлено, що в обласп низьких температур ТМП виявляють температурну залежнють i напiвпровiдниковi властивостi, аналопчш термiсторам. З пщви-щенням температури провщнють iх збшьшу-еться. Ця властивiсть використовуеться при виготовленнi нашвпровщникових приладiв. При високих температурах спостернаеться явище нелiнiйноi провiдностi, вiдбуваеться рiз-ка змiна опору. Встановлено також, що з одного ТМП можна виготовити магштш давачi i електричнi давачi. При цьому можна отримати стабшьний сигнал, коли обидва датчики ддать водночас або роздшьно. Означенi властивостi ТМП дозволяють використати 1'х в рiзноманiт-них багатофункцюнальних напiвпровiдникових приладах.
Б1БЛ1ОГРАФ1ЧНИЙ СПИСОК
1. Алейтков, А. Ф. Многофункциональные датчики [Текст] / А. Ф. Алейтков, М. В. Цапенко // Измерения, контроль, автоматизация. - 1990. -№ 2. - С. 50-57.
2. Болванович, Э. Й. Полупроводииковые пленки й миниатюрные измерительные преобразователи [Текст] / Э. Й. Болванович. - Минск: Наука й техника, 1987. - 214 с.
3. Аналитическая справка по микроэлектронным датчикам [Текст]. - М.: Информприбор,1990. -50 с.
4. Байцар, Р. И. Электромеханические, терморези-стивные й фотоэлектрические преобразователи на основе монокристаллов системи 8Юе [Текст] / Р. И. Байцар, С. С. Варшава, Е. П. Красножен-
нов // Неорган. материалы. - 1996 . - т. 3 - № 7. - С. 789-793.
5. Использование термочувствительного феррита для измерения температури й влажности [Текст] // Экпресс-информация: Аналитические прибо-ри й прибори для научных исследований. -
1989. - № 7. - С. 5-7.
6. Клокова, Н. П. Тензодатчики для экспериментальных исследований [Текст] / Н. П. Клокова, и др. - М.:Машиностроит, 1972. - 152 с.
7. Сенин, В. С. А.с. 1456770 СССР. Способ монтажа тензо- и термодатчиков [Текст] / С. В. Сенин, В. В. Поднебесьев. - № 4267720/25-28; Заявлено 24.06.87; Опубл. 07.02.89; Бюл. № 5.
8. Прибор для контроля давления й температуры [Текст]. // Druck und Tomperaturmebgerat mit Uberwochtmgsfunktion. - Handlichund flexibel,
1990. - 1 12 - С. 21. - Нем.
9. Свиридов, E. B. Сегнетоолектрические свойства тонких пленок Pb(Zr,Ti)O3 полученых ВЧ катодным распылением [Текст] / Е. В. Свиридов,
B. П. Дудкевич, В. В. Myxapмoe. - ЖТФ, 1985. -Т. 55.- М 5. - С. 959-961.
10. Молов, В. В. Пьезорезонансные датчики [Текст] / В. В. Молов. - М.: Энергоатомиздат, 1989. -272 с.
11. Стипсон, В. Г. Комбинированный датчик дав-лення й температури [Текст] / В. Г. Стипсон, М. Хас // Приборы и елементы автоматики и вычислительной техники: ЭИ. - 1988. - № 9. -
C. 11-18.
12. Дрожжин, A. M. А.с. 1024697 СССР. Малобаз-ный термодатчик [Текст] / А. М. Дрожжин,
A. П. Ермаков // М 3402374/25-28; Заявлено 22.03.83; Опубл. 23.06.83; Бюл. № 23. - С. 3.
13. Колнаков, Ф. Ф. А.с. 979903 СССР. Дифференциальный пьезоэлектрический преобразователь [Текст] / Ф. Ф. Колнаков, В. А. Шевелев,
B. М. Читова и др. // № 3319640/18-10; Заявлено 17.07.82; 0публ.07.12.82; Бюл. № 45. - 55 с.
14. Бiрюков, В. Я. А.с. №1509650 СССР. Устройство для измерения давления й температуры [Текст] / В. Я. Бирюков, А. Э. Вязнов // № 3972831/24-10; Заявлено 4.11.85; Опубл. 23.09.89; Бюл. № 35.
15. Дрожжин, А. И. Малогабаритные датчики температуры и деформации [Текст] / А. И. Дрожжин, А. А. Щетинин, Н. К. Седых // Приборы и техника эксперимента. - 1977. - № 5. - С. 216218.
16. Дрожжин, А. И. Нитевидные кристаллы кремния с аксиальным /»-^-переходом / А. И. Дрож-жин // Дэн ВИНИТИ № 2932-84. - Воронеж. -1984. -128 с.
17. Дрожжин, А. И. Расчет оптимальных размеров первичного преобразователя на основе нитевидного кристалла кремния с аксиальным р-n-переходом [Текст] / А. И. Дрожжин, В. А Родин, Я. К. Седых // Известия высших учебных заве-
дений: Приборостроение. -1989. - Т. 32. - № 1.
- С. 93-95.
18. Варшава, С. С. Первичные измерительные преобразователи механических и тепловых величин на основе полупроводниковых нитевидных кристаллов [Текст] /С. С. Варшава и др. // тез. докл. Всес. конф. по инф. изм. системам ИИС-81. -Львов. - 198I. - T. 2-C. 63-65.
19. Виглеб, Г. Датчики [Текст] / Виглеб Г. -М.:Мир, 1989. -196 с.
20. Повз, И. Л. А.с. 905865 СССР. Устройство для одновременного измерения температуры и скорости потока [Текст] / И. Л. Повх, Г. П. Еремин, Ю. Д. Бебко.
21. Савостенко, П. И. А. с. I3I5834 СССР. Устройство для измерения температуры и скорости потоков [Текст] / П. И. Савостенко, С. П. Сербии // № 4015011/24 - 10; Заявлено 30.01.86; Опубл. в Б.И.,1987; № 21.
22. Кузнецов, В. И. А.с. 1307345 СССР. Устройство для одновременного измерения температуры и скорости потока [Текст] / В. П. Кузнецов и др. // № 3944948/24-10; Заявлено 23.08.85; Опубл. в
B.И.,1987; № 16.
23. Пат. 4648271 США. Термоанемометр с чувствительным элементом из графита. Anemometer having a graphite fiber hot wire [Текст] / Woolf Laurence. - № 806761; Заявлено 09.12.83; Опубл. 10.03.87.
24. Дрожжин, А. И. Термоанемометр для малых скоростей потока [Текст] / А. И. Дрожжин и др. // Измерительная техника. - 1980. - № 10. -
C. 33-35.
25. Дрожжин, А. И. А.с. 1571512 СССР. Термоанемометр [Текст] / А. И. Дрохжин, А. П. Ермаков.
- Воронежский политехнический и-т.
26. Варшава, С. С. Разработка термоанемометров на основе нитевидных кристаллов арсено-фосфида галлия [Текст] / С. С. Варшава и др. // Материалы III научно-техн, семинара по электронным датчикам, сентябрь 1989. - М.:ЦНИИ «Электроника». - 1989. - 165 с.
27. Варшава, С. С. А.с. 1569858 СССР. Термоанемометр [Текст] / С. С. Варшава и др. - 1990. -№ 21.
28. Берлин ер, М. А. Измерение влажности [Текст] / М. А. Берлинер. - М.: Энергия . - 1973 . - 400 с.
29. Seni, Kyoshiro Использование чувствительного к температуре феррита для измерений температуры и влажности воздуха [Текст] / Seni Kyoshiro, Snida Jun-Achi, Murakami Koichi // IEEE Irans. Anstrum. and meas. -1988. - 37, № 3.-С. 466470. - Англ.
30. Исмаилов, Т. А. Полупроводниковый термоэлектрический измеритель влажности и температуры воздуха [Текст] / Т. А. Исмаилов // Приборы и техн. эксперим. - 1989. - № 4. - С. 249.
31. Циделко, В. Д. Комплект аппаратуры для измерения температуры и относительной влажности
газовых сред [Текст] I В. Д. Циделко и др. II Приборы и техн. эксперим. -19B1. -№ 5.-22B с.
32. Симидзу, Акира Датчик температуры и влажности [Текст] !Акира Симидзу, К. К. Сяпу II Заявка 62-156551, Япония. Заявл. 2B.12,B5. № 60297455; Опубл. 11.07.B7. МКИ G 01 №27 I 12, G 01 К7!16.
33. Цунэдзи, Нитта. Керамические многофункциональные датчики [Текст] I Нитта Цунэдзи II Автоматика, телемеханика и вычислительная техника: РЖ. -19B1. - № 7. - С. 12.
34. Пат. 57-56719, Япония. Датчик температуры и влажности [Текст] I Мацусита Дэнки Санге К. К. - № 53-9103; Заявлено 30,01.7B; Опубл. 01.02.B2 II Изобретения в СССР и за рубежом. -19B3. - № 14. - С. B9.
35. Messamformer fur Tenchte und Temperature [Текст] II Regelungstechnishe Praxis. -1977. -Vol. 19. - № 5. - P. 151.
36. Исмаилов, И. А. Полупроводниковый термоэлектрический измеритель влажности и температуры воздуха [Текст] I И. А. Исмаилов II Приборы и техн. эксперим. -19B9. - № 4. - С. 249.
37. Варшава, С. С. А.с. 17B4901, СССР. Термоэлектрический датчик влажности [Текст] I С. С. Варшава, З. И. Возный, В. Р. Григорова II Заявл. 15.06.90; Опубл.
3B. Измерительные преобразователи температуры и влажности [Текст] I Jamada Masaru I !Кэйссоку гидззюйд. Instrum and Autom. - 19B9. - L7, № 1,B6-B7. - Яп.
39. Викулин, И. М. Гальваномагнитные приборы [Текст] I И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев. - М.: Радио и связь. - 19B3. -104 с.
40. Розенблат, М. Новые достижения и направления в развитии магнитных датчиков [Текст] I М. Розенблат II Приборы и системы управления.
- 1996. - № 9. - С. 42-50.
41. Kordos, P. Датчик температуры и магнитного поля из эпитаксиального GaAs [Текст] I P. Kordos, L. Jansok, V. Вепс II Cryogenics. -1973. - Т. 13. - № 9. - 312 с.
42. Большакова, И. А. Датчики для одновременного измерения магнитного поля и температуры [Текст] I И. А. Большакова, С. С. Варшава, Т. А. Московец II Приборы и техн. эксперим. -19B0. - № 2. - С. 212-214.
43. Kordos, P. Некоторые свойства датчиков Холла из GaAs при низких температурах [Текст] I P. Kordos, P.,M. Polak II Elektrotechn. Cas. - 19B9
- 32 - № 1. - С. 3-14. - Словац.
44. Балванович, Э. И. Исследование свойств микроминиатюрных датчиков Холла из пленок [Текст] I Э. И. Балванович, К. С. Константинов, Э. М. Колесник II Весце АН БССР. Сер. физ.-мат. и. Изв. АН БССР. Сер. физ-мат. н. - 19B1. № 11. - С. 100-105.
45. Пат, № 4315273, США. Элемент Холла на соединении А3В5 [Текст].
46. Исмаилов, Т. К. Высокотемпературные арсени-дгалиевые преобразователи Холла [Текст] / Т. К. Исмаилов и др. // Известия АН СССР, Сер. физ.-техн. и мат. - 1982. - № 2. - 143 с.
47. Хара, Тору Высокочувствительные элементы Холла на GaAs и их применение [Текст] / Хара Тору // Electron Pants and Mater. - 1981. - № 3. -С. 73-84.
48. Алейников, А. Ф. A. c. 1224626 СССР. Устройство для измерения давления [Текст] / А. Ф. Алейников // СССР - № 13796100/24-10, Заявл. 02.10.84; Опубл. 15.04.86, Бюл, № 14. - 4 с.
49. Алейников, А. Ф. А.С. 1348674 СССР. Датчик давления [Текст] / А. Ф. Алейников // СССР -№ 3993398/24-10; Заявл. 24.12.85, Опубл. 30.10.87; Бюл. ШО. - 2 с.
50. Huang, Jin-Biao Многофункциональный датчик для измерения скорости потока, температуры и разряжения. Integrated multi - sensor for flow velocity, temperature and vacuum measurements [Текст] / Huang Jin-Biao, Jong Qin // Sens. And Actuators. 1989. - 19. M 91. - С. 3-Н. - Англ.
51. Higashi, R. Микроструктура преобразователя для измерения расхода и дифференциального давления. Microstracture sensor for flow, differential pressure and energy measurement [Текст] / R. Higashi and other // Natur. Gas Energy Meas: 1 st and 2 rd IGT. Symp, Chicago, 19851986. - London; Chicago, 1987. - С. 263-278. -Aiuvi. Место хранения ГННТБ СССР.
52. Измерительные преобразователи давления и расхода. Druck und Durchflub - mtbumformer. [Текст] / Verfahrenstecnik. - 1989. - 23. jNfe 5. -С. 60-62. - Нем.
53. Пен, X. Б. Одновременное измерение деформации и температуры полупроводниковыми тен-зорезисторами и р^-переходами [Текст] / Х. Б. Пен // В сб. «Физика и техника полупроводников». - Новосибирск. - 1976.
54. Мишин, В. Ф. Микросенсоры физических величин на основе пленок германия на арсениде галлия [Текст] / В. Ф. Мишин, Ю. А. Тхорик // Петербургский журнал электроники. - 1993. -№ 3. - С. 48-51.
55. Датчики влажности: чувствительные материалы и кремниевая планарная технология. Humidity sensors: sensing materials and silicon planar technology [Текст] / Nijikgawa M. // 2 Jnt. Meet. Chem. Sen. - Bordeaux. 1986. - C. 101-108. -Англ.
56. Свойства многофункциональных температуро-чувствительных проводников с нелинейной проводимостью [Текст] / Seki Kyoghiro, Shida. // Jun-Ichi. «Murakami Koichs». - «Дэнки гаккай ромбука, Irans. Jnst. Elec. End. Jap.», 1987. - 107 № 3 - Яп.
Надшшла до редколегп 14.04.2011. Прийнята до друку 28.04.2011.
