Геттерирование электрически активных дефектов в кремнии нарушенным слоем Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

Поскольку их число должно быть того же порядка, что и найденное ранее, из последнего соотношения можно определить реальные границы кластера которые отстоят от асимптот на расстояние

R a2 N

(ri2 + r22 ).

Подставляя значения границ диапазона N1 и N2, получим

3,7 10-7 < х /R < 1,1 -10-6.

Оценим порядок величин на границах кластера. Для значения N1 получим: концентрация зарядов 7,8-1028 м"3 превышает среднюю концентрацию электронов твердого тела и объясняет механическую твердость его границ; потенциал порядка -3,6 В; давление поля и зарядов -2-109 Па; градиент давления поля и зарядов порядка -2,6-1020 Па/м; сила, действующая на границы кластера и стремящаяся его разорвать, равна 5 Н.

ЛИТЕРАТУРА

1. Shoulders K, EV--A Tale of Discovery, Austin, TX, 1987, 246.

2. See U.S. Patents by K.R.Shoulders. 5,018,180 (1991) - 5,054,046 (1991) - 5,054,047 (1991) -5,123,039 (1992), and 5,148,461 (1992).

3. Ken Shoulders and Steve Shoulders, Observation on the Role of Charge Cluster in Nuclear Cluster Reaction, Journal of New Energy, 1996, vol.1, No.3, p.23-35

4. Canогин ВТ. О модели шаровой молнии из одноименных зарядов. // Изв. высш. учеб. заведений. Сев.-Кав.регион. Естеств. науки. 1999. №3. С.67-70, 1999.

5. Физические величины. Справочник. / Бабичев АЛ., Бабушкин НА., Братковский А.М. и др. Под ред. Григорьева КС., Мейлихова Е.З. М.; Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

УДК 621. 382

АХ. Захаров, Н.А. Кракотец

ГЕТТЕРИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НАРУШЕННЫМ СЛОЕМ

Используемые в настоящее время в технологии микроэлектроники методы геттерирования дефектов полупроводниковых структур найдены эмпирическим путем и не имеют корректного обоснования механизмов этого процесса. В работе в качестве объекта моделирования выбран процесс геттерирования электрически активных дефектов в пластине 81 нарушенным слоем (НС), поскольку данному методу присуща определенная универсальность как по числу базовых операций, в которых эффективно его применение, так и по широте спектра геттерируемых де.

Моделирование ведется путем решения диффузионной задачи с определенными граничными и начальными условиями. При этом используется классическое решение уравнения вынужденной диффузии примеси из слоя конечной толщины в поле напряжений [1], а также элементы изотропной континуальной теории дисло-

каций [2]. Таким образом, получена модель геттерирования атомов А1 в 81 НС, представленным хаотически распределенными дислокациями высокой плотности

=108см-2. На рисунке изображено нормированное распределение концентрации геттерируемой из поверхностного слоя пластины 81 примеси по толщине пластины в зависимости от времени высокотемпературного отжига (Т=1100°С).

Найденные по разработанной методике решения позволяют задавать области параметров технологического процесса геттерирования и прогнозировать его результат для конкретных материалов и геттерируемых примесей.

ЛИТЕРАТУРА

1. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках. М.: Гос. Ьзд-во физ.-мат. лит-ры 1961. 462с.

2. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972. 600с.

УДК 378.1:15

..

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ УЧЕБНЫХ МОТИВОВ СТУДЕНТОВ

1X0 И 2X0 КУРСОВ

Высокий уровень достижений в любой деятельности, в том числе и учебной, обусловлен в значительной степени уровнем сформированное™ мотивов деятельности.

В системе учебных мотивов, как правило, выделяют две группы (1,2). Первая группа составляет мотивы внешние по отношению к учебной деятельности (мотивы достижения, социальные мотивы), связанные с внешней системой контроля. Вторая группа - познавательные мотивы, которые относятся к внутренней системе мотивов и связаны с внутренней системой контроля деятельности. В учебной деятельности должны функционировать обе системы мотивов при относительном доминировании последней.