Научная статья на тему 'Электроосаждение иридия на арсенид галлия'

Электроосаждение иридия на арсенид галлия Текст научной статьи по специальности «Химические науки»

CC BY
199
33
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Аннотация научной статьи по химическим наукам, автор научной работы — Батенков Владислав Александрович, Фомина Л. В., Панов Я. Г.

Используя метод поляризационных кривых и электролиз при различных плотностях тока, изучено электроосаждение иридия на GaAs из электролитов, содержащих этилендиаминтетраацетат и сульфаминовую кислоту. Лучшие по качеству иридиевые покрытия получены электроосаждением при плотности тока 2...4 мА/см 2, температуре 60 o С из электролита, содержащего 7,2 г/л иридия и 50 г/л сульфаминовой кислоты.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по химическим наукам , автор научной работы — Батенков Владислав Александрович, Фомина Л. В., Панов Я. Г.

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Электроосаждение иридия на арсенид галлия»

УДК 621.359

В.А. Батенков, Л. В. Фомина, Я. Г. Панов Электроосаждение иридия на арсенид галлия

В работе научен |,| электролиты для электроосаждения иридии на арсенид галлия, содержащие этилендиаминтетраацетат ширин, суль-фаминовую кислоту. Определены составы электролитов, оптимальная плотность тока электроосаждения качественных осадков иридия на СаАя.

Быстрое развитие микроэлектроники приводит к необходимости разработки новых и совершенствованию существующих технологических процессов производства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Одним из важных элементов в такого рода приборах является контакт металл-полупроводник. Особое внимание привлекает арсенид галлия. Большая ширина запрещенной зоны — 1.43 эВ при температуре 300 К — и высокая подвижность электронов допускают возможность работы приборов на основе арсе-нида галлия в области высоких температур и сверхвысоких частот.

Для создания контактов к кремнию обычно используют метод вакуумного напыления металлов. Полупроводниковые соединения типа АШВ¥, в том числе арсенид галлия, разлагаются при высокотемпературных процессах. Для их металлизации широко применяется электроосаждение металлов. Оно обладает рядом преимуществ: низкая температура процесса (не выше 100°С), простота технического исполнения, управляемость, хорошая адгезия металла к полупроводнику.

Выбор металла для создания контакта определяется химической стойкостью металла, условиями его электроосаждения, устойчивостью работы приборов и микросхем в условиях резко меняющихся тепловых и электрических перегрузок. С этих позиций большой интерес представляет иридий, который является тугоплавким, индифферентным, электроположительным металлом. Его коэффициент линейного расширения, около 6.5-10 6 К, близок к параметрам арсенида галлия. Предполагалось, что эти свойства иридия должны обеспечить высокую стабильность работы устройств, созданных на основе контактов иридий/арсенид галлия при резких изменениях температуры. Исследования по созданию таких контактов подтвердили такое предположение [1, 2]. Однако эффективность и стабильность процесса электроосаждения иридия, а также качество его осадков оставались низкими. В данном сообщении изложены результаты нового изучения условий получения качественных осадков иридия на арсени-де галлия электроосаждением.

Электролит с ЭДТА

Сначала нами для исследования процесса катодного осаждения иридия в качестве комплексующего агента в виде дипатриевой соли был выбран этилендиаминтетраацетат (ЭДТА). Этот лигапд образует с иридием комплекс, очень устойчивый в широком диапазоне рН и хорошо растворимый в воде. Исходный раствор с концентрацией иридия 11 г/л готовился посредством растворения переменным током 250 мА/см2 в течение 15-20 часов иридиевых электродов в растворе 40 г/л НС1. Количество иридия (11,1 г), перешедшего в раствор, было определено гравиметрически по убыли массы электродов из иридия до и после их частичного растворения. Из исходного раствора первым был приготовлен электролит с концентрацией иридия 5.5 г/л и ЭДТА (в виде дигидрата дипатриевой соли) 10.8 г/л, что соответствует мольному отношению иридий: ЭДТА=1:1. Для изучения электроосаждения иридия в качестве

катода был выбран арсенид галлия п-типа с

-

Используя метод поляризационных кривых и электролиз при выбранных по этим кривым нескольких плотностях тока, было изучено влияние на выход иридия по току и качество покрытия, рН среды, плотности тока, температуры. Гальваностатические катодные кривые получали на специальной установке, которая позволяла задавать ток с интервалом в 0.1 1$ и вести поляризацию в диапазоне 10 7...10 3 А. Для определения оптимальной плотности тока, условий получения качественных осадков иридия и выхода по току электролиз проводился в гальваностатическом режиме в интервале плотностей тока 0.3...80 тА/см2 при пропускании

постоянного количества электричества, равного -

диевого покрытия толщиной 1 мкм при 100% выходе по току.

При изучении влияния рН в электролит добавлялся 1.5 М раствор \аО! I; плотность тока была равна 2 тА/см2, температура 55°С. Последняя была выбрана из анализа поляризационных кривых, полученных при различных температурах. Выход по току, определенный гравиметрически, составил 0.9, 7, 1.3, 3% для рН 1.05, 3.30, 5.15, 7.05, соответственно. Электроосаждение иридия с целью определения оптимальной плотности тока проводилось при плотностях тока от 0.3 до 30 тА/см2, выбранных из анализа катодных кривых. Использовался электролит с рН около 3, при котором наблюдался максимальный выход по току, равный 7%. Время электролиза зависело от заданной плотности тока, чтобы пропускаемое количество электричества было одинаково и равно

4.5Ас/см2. Выход по току составил 0.8, 4.0, 11, 8.8 и 1.6% для плотности тока 0.3, 1, 3, 10, 30 тА/см2, соответственно.

Однако получить качественные осадки иридия из электролитов, содержащих в качестве лиганда ЭДТА, не удалось. По-видимому, это обусловлено образованием очень прочного инертного комплекса иридия с ЭДТА, что подтверждается литературными данными. Вследствие этого сильно ограничивается диссоциация комплекса до простых ионов иридия и затрудняется их разряд до металла.

Электролиты с сульфаминовой кислотой

Анализ литературных данных [3] и предварительное опробирование показало перспективность сульфаматных электролитов иридирова-ния. Растворение иридия переменным током 250 мА/см2 проводилось в трех растворах — 40 г/л НС1 и двух сульфаматных — 50 и 30 г/л сульфаминовой кислоты. Концентрацию иридия в растворе определяли по убыли массы иридиевых электродов. Было приготовлено три рабочих электролита: хлоридный с содержанием иридия 5 г/л и сульфаминовой кислоты 30 г/л и два сульфаматных (без хлоридов), содержащие 7.2 г/л иридия: ц 1 — 50 г/л кислоты, ц 2 — 30 г/л кислоты с увеличением ее концентрации до 50 г/л после растворения иридия. Для выбора оптимальных условий электроосаждения иридия использовался метод поляризационных кривых и электролиз при заданных плотностях тока.

На рисунке приведены катодные кривые поляризации арсенида галлия в электролите ц 1 при разных температурах. Аналогичный вид имеют катодные кривые полученные при поляризации арсенида галлия в электролите, содержащем хлориды, и в электролите ц 2. Из анализа катодных кривых следует, что электровосстановление иридия на арсениде галлия возможно при потенциале -0.6...-0.8 В относительно насыщенного хлорсеребряного электрода (ХСЭ), при плотностях тока 0.30...40 тА/см2. Повышение температуры электролита снижает перенапряжение выделения металла на 0.1...0.2 В и смещает интервал плотностей тока электроосаждения иридия в область больших токов. Освещение электролита дневным и ультрафиолетовым светом существенным образом не изменяет ход катодных поляризационных кривых.

Предварительные исследования показали, что электроосаждение иридия из сульфаматного электролита на арсенид галлия идет с убылью массы электрода. Это было объяснено подтрав-ливанием полупроводника в кислой среде, что исключало использование гравиметрии для определения выхода по току. Поэтому в качестве дополнительного материала катода была выбрана нержавеющая сталь, которая, как было специально проверено, не подвергается подтравли-ванию в сульфаматном электролите. На ней

иридий в металлическом виде был выделен при плотностях тока 20 и 60 тА/см2. Температура рабочего электролита поддерживалась около 60°С. Осадок имел вид растрескавшейся тонкой пленки с плохой адгезией к стали. При встряхивании осадок слетал. Это не позволило использовать гравиметрический анализ для точного определения выхода по току, приблизительно он составил 3%. В дальнейшем для определения выхода по току при электроосаждении иридия на арсенид галлия проводилось измерение толщины электроосажденного металла относительно подложки с помощью интерференционного микроскопа МИИ-4.

Рис. Зависимость кривых катодной поляризации арсенида галлия в иридиевом электролите от температуры (°С): 1 — 35, 2 — 60, 3 — 80

Стабильных результатов при электроосаждении иридия из сульфаматного электролита, содержащего хлориды, получить не удалось. Наблюдалось явление старения электролита — после ряда электролизов иридий переставал выделяться.

Эксперименты показали, что из сульфаматного электролита ц 1 (без хлоридов) наиболее равномерные и мелкокристаллические осадки иридия (увеличение в 500 раз) получались при плотностях тока 0.7...0.8 тА/см2 (температура около 22°С) и при 3 тА/см2 (60°С). Осадки, полученные при повышенных плотностях тока, не имели блеска (матовая поверхность) или представляли собой скопление бугорков, обладающих металлическим блеском. Иридиевые покрытия, полученные из электролита ц 2 в интервале плотностей тока 20...80 тА/см2, имели блестящий вид на полированной поверхности. Выход по току составил 0.5...0.6%.

По результатам исследований можно сделать следующие заключения. Низкий выход по току обусловлен прежде всего химической стадией, то есть затруднениями в диссоциации весьма инертных комплексов иридия, а также низким перенапряжением выделения водорода, что характерно для платиновых металлов. Возмож-

ность получения компактных металлических процессе электровосстановления иридия cpni¡-пленок иридия свидетельствует о том, что в пимы с энергетическими затратами стадии кри-сульфаматных электролитах затруднения в сталлизации.

Литература

лия: Тез. докл. Томск: Том. гос. ун-т, 1978. С. 50.

3. Л.с. 962339 СССР, II 01 L 21/28. Способ электролитического осаждения покрытий осмием и иридием/В.II. Медяиик (СССР). Опубл. 30.09.82. 4 с.

1. Л.с. 622363 СССР, II 01 Ь 21/283. Способ изготовления диодов Шоттки/Г.Л. Катаев, Л.II. Сысоева, В.Л. Батенков (СССР). X 1440446/18-25; Заяв. 04.01.77. 4 с.

2. Батенков В.Л., Сысоева Л.II. Четвертое Всесоюзное совещание но исследованию арсенида гал-

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.