Электрические свойства тонких пленок сульфида самария Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

УДК 539.216.2:537.2

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА САМАРИЯ

Ю.Е. Калинин, В.А. Макагонов, С.Ю. Панков, А.В.Ситников, М.В. Хахленков

Методом ионно-лучевого напыленияполучены тонкие пленкимоносульфида самария.В диапазоне77 -300 Кисследованы температурные зависимости электрического сопротивления синтезированных пленок, по которы-мустановлены механизмы проводимости иопределены энергии активации электросопротивления.Исследовано влияние термообработки на структуруиэлектрические свойства синтезированных пленок

Ключевые слова:редкоземельные полупроводники, сульфид самария, удельное электрическое сопротивление

Введение

Активное развитие электронной техники требует создания и исследования новых полупроводниковых материалов с улучшенными, в сравнении с традиционными полупроводниками, свойствами. К таким материалам можно отнести редкоземельные полупроводники, свойствакоторых связаныс уникальностью электронного строения. Особенность электронного строения редкоземельных элементов -заполнение 4:Г-оболочки при незаполненнойё-оболочке. Эта ситуация сохраняется для всего ряда от Ьа до Ьи. При образовании кристаллической решетки из этих элементов ^оболочки не перекрываются друг с другом, а образуют локализованные уровни с концентрацией ~ 1022 см-3. По энергии эти уровни могут попасть в запрещенную зону полупроводника и выступать в качестве примесных уровней. Этот факт является уникальным, так как в стандартных полупроводниках никогда не удается создать такую огромную концентрацию локальных примесных уровней [1].

Среди редкоземельных соединений большой интерес представляют халькогениды редкоземельных элементов, которые обычно кристаллизуются в структуре№С1, и в зависимости от валентного состояния редкоземельного иона могут быть либо металлами, либо полупроводниками. Одним из наиболее изученных редкоземельных соединений является моносульфид самария БшБ. Данное соединение обладает рядом особенностей, существенно отличающих его от других полупроводников. К ним можно отнести широкую область гомогенности (от 50 до 54% Бш), низкое давление (6,5 кбар) фазового перехода металл - полупроводник[1], высокую термическую и радиационную стойкость [2,3], рекордную тензочувствительность (коэффициент тензо-чувствительности К = 850 при Т = 77 К) [4]и большие перспективы его практического применения в

Калинин Юрий Егорович - ВГТУ, д-р физ.-мат. наук, профессор, e-mail: kalinin48@mail.ru Макагонов Владимир Анатольевич - ВГТУ, инженер, e-mail: vlad_makagonov@mail.ru

Панков Сергей Юрьевич - ВГТУ, аспирант, e-mail: srgpank@mail.ru

Ситников Александр Викторович - ВГТУ, д-р физ.-мат. наук,профессор, e-mail: sitnikov04@mail.ru Хахленков Михаил Вадимович - ВГТУ, студент,e-mail: fominov2013@mail.ru

различных устройствах [5]. Получение тонкопленочных образцов сульфида самария связано с большими трудностями, поскольку один из компонентов (S) является легколетучим компонентом, и получить стехиометрическое соотношение в соединении удается не всегда. В данной работе были исследованы электрические свойства тонких пленок на основе сульфида самария, полученных ионно-лучевым распылением мишени SmS с последующей конденсацией на керамические подложки.

Образцы и методика эксперимента

В качестве мишени использовалистехиометри-ческий поликристаллический SmS, полученный в Тюменском государственном университете по технологии, описанной в [6]. Для получения навесок порошок SmS со средним размером фракции ~ 1мкм подвергался холодному прессованию сдавлением 800 МПа.

Образцы для исследований были получены методом ионно-лучевого напыленияв вакууме~9-10-2Па в течение 60 минут по методике [7]. Было получено несколько серий образцов приразличной температуре подложки: 300, 353, 373, 473 K. Толщина полученных пленок SmS определялась с помощью микроинтерферометра МИИ-4 и составляла 1 - 1,2 мкм.

Структура тонких пленок SmXS1_X была исследована методом рентгеновской дифракции на дифрактометреБгцкег D2 Phaser. Расшифровкудиф-рактограмм осуществляли с помощью программы Bruker DIFFRAC EVA 3.0 с кристаллографическими базами данных ICDD PDF-2 2012.Химический состав полученных тонких пленок SmSи мишени был исследован с помощью электронно-зондового микроанализа на растровом электронном микроскопе JEOL JXA - 840. Исследования электрического сопротивления проводили методом амперметра-вольтметра с помощью автоматизированного универсального измерительного комплекса с выводом экспериментальных результатов на ЭВМ.

Результаты эксперимента и их обсуждение Влияние температуры подложки на структуру и температурные зависимости электросопротивления

Полупроводниковая фаза на основе сульфида самария содержит легколетучий компонент (S), по-

этому на структуру и электрические свойства тонких пленок существенное влияние должна оказывать температура подложки при конденсации из газовой фазы. Кроме того, микронапряжения, возникающие в процессе роста тонкой пленки БшБмогут приводить к переходу полупроводник -метал. Для изучения влияния условий получения конденсированных пленок были получены тонкие пленки БшхБ1-х при различных температурах подложки и исследованы их структура, химический состав и электрические свойства.

Исследования дифракции рентгеновских лучей показали, что в процессе синтеза тонких пленок формируется мелкокристаллическая структура БшБ типа №С1 (рис. 1). Сильное уширение пиков и асимметрия со стороны больших углов (меньшие параметры решетки) также могут свидетельствовать о том, что данные пленки представляют смесь металлической (с меньшим параметром решетки) и полупроводниковой (с большим параметром решетки) фаз БшБ. Параметр решетки незначительно увеличивается с ростом температуры подложки от 0,591 нм для образцов без нагрева подложки до 0,593 нм при температуре подложки 473 К. Последнее дает основание предполагать, что электрические свойства будут определяться полупроводниковым БтБ [8]

50 60 2ТИе*а, град

Рис. 1. Дифрактограммы тонких пленок вп^^х- полученных при температуре подложки 473 К

Анализ химического состава полученных тонких пленок (табл. 1) показал, что с увеличением температуры подложки стехиометрия химического состава соединения нарушается в сторону уменьшения содержания серы, т.е. в процессе напылениявоз-никаетдефектная структура БшБ типа №С1 с вакансиями в подрешетке серы.

Таблица 1

Химический состав полученных тонких пленок БшхБьх

Т К Т подл К Бш, ат% Б, ат%

300 56,70 43,30

353 57,06 42,94

453 60,55 39,45

473 68,18 31,82

На рис.2 представлены низкотемпературные зависимости электрического сопротивления для образцов, полученных при температурах подложки Тподл = 300, 353, 373, 473 К.Анализ представленных кривых показывает, что с увеличением температуры

подложки удельное электрическое сопротивление существенно уменьшается. Так, величина удельного электрического сопротивления во всем интервале температур 77 - 300 К для образцов, полученных при комнатной температуре, более чем на порядок превышает удельное электрическое сопротивление образцов, полученных при Тподл = 473 К. Такое различие в величине удельного электрического сопротивления связано с разной концентрацией серы в составе конденсированных пленок, полученных при различных температурах подложки: чем выше температура подложки, тем меньше содержание серы в конденсированных образцах. Это подтверждено данными электронно-зондового микроанализа, приведенными выше.

Рис.2. Температурные зависимости удельного электрического сопротивления тонких пленок БшхБ1-хпри различных температурах подложки: 1 - 300; 2 -353; 3 -373; 4 -473 К

Таким образом, установлено, что увеличение температуры подложки во время получения тонких пленок БшхБ1-х не приводит к изменению типа решетки, практически не влияет на ее параметр, но значительно сказывается на количестве вакансий по легколетучему компоненту (Б), что является определяющим фактором для электрических свойств исследованных тонких пленок.

Влияние термообработки на структуру

и температурные зависимости электросопротивления тонких пленок

8шх8х_х

Из [9] известно, что термообработка может приводить к переходу металлической фазы БшБ в полупроводниковую и устранению микронапряжений. Поскольку выше было установлено, что величина удельного электрического сопротивления зависит от условий получения образцов, определяется мелкокристаллической структурой и дефицитом серы, было исследовано влияние термической обработки в вакууме и атмосфере сероводорода на электрическое сопротивление синтезированных образцов. В качестве объекта исследованиябыли выбраны тонкие пленки

Бш6818Б3182,напыленныеприТподл = 473 К. Термическую обработку осуществляли в вакууме при остаточном давлении не хуже чем 10-3 Па, при температурах 673, 773, 873 К в течение 1 часа.

На рис.3 представлены низкотемпературные зависимости электрического сопротивления образ-

цов, полученных при температуре подложки 473 К, после отжига в вакууме. Анализ полученных зависимостей показал, что при термическом отжиге удельное электросопротивление увеличивается на порядки, при этом ТКС остается отрицательным, что характерно для полупроводникового типа проводимости.

150 200 т. к

Рис.3. Зависимости электросопротивления для образцов после отжига в вакууме в течение 1 часа: 1 - исходный образец; 2 - 673 К; 3 - 773 К; 4 -873 К

Фазовый состав пленок для исходного образца и после отжига в вакууме при температурах 673 и 773 К не изменяется, но происходит сдвиг пиков в сторону меньших углов. На рис. 4 показано изменение положения главного пика БшБ [200] в зависимости от температуры термообработки в вакууме.Как видно из рис. 4, а в результате отжига происходит смещение пика [200] в сторону увеличения параметра решетки, т. е. происходит переход из металлической в полупроводниковую фазуБшБ. После отжига при температуре 873 К синтезируется новая фаза Бш3Б4 (рис 4,б) с большим, чем у БшБ, электросопротивлением.

Таким образом, при проведении термического отжига тонких пленок БшБ в вакууме при температурах до 773 К в течение часа увеличивается доля полупроводниковой фазы. При повышении температуры отжига до 873 К происходит синтез более вы-сокоомной фазы Бш3Б4.

Поскольку главным типом дефектов в полученных пленках являются вакансии по легколетучему компоненту (Б), то термообработка в атмосфере, содержащей этот компонент должна приводить, с одной стороны, к улучшению структуры за счет термического воздействия, а с другой - к устранению вакансий по сере.

Для изучения влияния содержания серы на электрические свойства и структуру полученных пленок был проведен термический отжиг образцов, полученных при Тподл = 300 К, в атмосфере сероводорода (Н2Б) при температурах 773 и 873 К в течение 30 минут. Температурные зависимости удельного электрического сопротивления термообработан-ных в атмосфере сероводорода образцов приведены на рис. 5.Как видно из рис. 5, удельное электрическое сопротивление выросло во всем интервале температур в несколько раз. При этом более высокая температура отжига оказывает большее влияние на величину удельного электрического сопротивления.

Рис. 1

50 60 2ТЪе1а. град.

б)

4. Сравнение положения пика БшБ [200] в исходной

пленке и после отжигов: - исходный образец; 2 -673 К; 3 - 773 К; 4 -873 К

Рис.5. Температурные зависимости электросопротивления тонких пленок БшБ после отжига в атмосфере сероводорода Н2Бв течение 30 мин: 1 - исходный образец; 2 -773 К; 3 -873 К

50 60 2ТИе1а, град.

б)

Рис.6. Дифрактограммы тонких пленок БшхБ1-х послетер-мической обработки в атмосфере Н2Б(а-773 К; б-873 К)

Результаты рентгеновской дифрактометрии образцов, отожженных в сероводороде Н2Б, приведенные на рис. 6, показали, что фаза Бш3Б4 синтезируется уже при 773 К.Кроме того, наблюдается размытие в области главного пика [200] БшБ, пленка взаимодействует с сероводородом и в результате протекает химическая реакция 4БшБ ^ Бш3Б4+Бш, в результате которой начинает формироваться Бш3Б4.

Обсуждение полученных результатов

Тонкие пленки сульфида самария, полученные из газовой фазы, как правило, содержат меньшее,в сравнении со стехиометрическим,количество серы, что приводит к образованию дефектной структуры типа №С1 с вакансиями в подрешетке серы. При этом в пленках, полученных при более высоких температурах подложки, концентрация таких дефектов выше, что существенно снижает величину и температурный коэффициент удельного электрического сопротивления образцов. При более низких температурах подложки концентрация вакансий в подрешетке серы уменьшается, и температурная зависимость электросопротивления приобретает характер полупроводниковой.

Согласно данным, приведенным в [8], в БшБ при температурах от 80 до 410 К можно выделить следующие механизмы проводимости:

а) зонная проводимость носителями, активированными с примесных уровней, с энергией Е1 ~ 0,06 эВ;

б) прыжковая проводимость носителями, возбужденными в локализованные состояния вблизи дна зоны проводимости, с энергией активации Е1~ 0,03 эВ;

в) туннелированиелокализованных 4: электронов между соседними атомами Бш2+ и Бш3+.

Первый механизм преобладает при Т ~ 300 К и выше, с понижением температуры постепенно возрастает роль сначала второго, а затем и третьего механизмов электропереноса. Однако температурные границы преобладания того или иного механизма электропереноса зависят от параметров пленок, связанных с технологией их изготовления.

Для определения механизма проводимости экспериментальные зависимости были перестроены в координатах 1пр = :(1/Т), 1пр = :(1/Т1/4) (рис. 7).Для образцов, полученных при температурах подложки 353, 373, 573 К наилучшее спрямление в диапазоне температур 200 - 300 К достигается в координатах 1пр=:(1/Т) (рис. 7, а), тогда как для температур 77 -200 К зависимости спрямляются лучше в координатах1пр=:(1/Т1/4)(рис. 7, б).

Исходя из экспериментальных результатов температурную зависимость электрического сопротивления тонких пленок БшБ в диапазоне температур 200 - 300 К можно описать уравнением Арре-ниуса:

р = Р0-ехр(Е1 /кТ), (1)

где Е1- энергия активации заряда в локализованные состояния; к - постоянная Больцмана;Т - абсолютная температура.

642

3 ^ -2-4-60,005 0,010 0,015 1/Т, К1

-7] т

0,25 0,30 0,35

т-1/4 К-1/4

б)

Рис.7. Температурные зависимости электросопротивления, перестроенные в координатах: 1пр = 1/Т (а) и1пр = 1/Т1/4 (б) для тонких пленок на основе БшБ в исходном состоянии и при различных температурах подложки:

1 - 300; 2 -353; 3 -373; 4 -473 К

По экспериментальным зависимостям электрического сопротивления от обратной температуры были определены значения энергии активации носителей заряда в локализованные состояния проводимости Е1, которые приведены в табл. 2.

Таблица 2

Значения энергии активацииЕ1 в зависимости от температуры подложки

Тподл, К Еь эВ

353 0,042

373 0,028

473 0,028

Из таблицы видно, что все образцы имеют низкие значения Е1. Согласно [9-12] наблюдаемый тер-моактивационный процесс соответствует прыжковой проводимости носителей заряда, возбужденных в локализованных состояниях, с энергией активации Е1 = 0,015 - 0,045эВ, за наличие которых ответственны ионы самария Бш2+, занимающие положения в узлах подрешетки серы.

Выполнение закона 1/4 для диапазона температур 77 - 200 Кможно интерпретировать какреализа-цию прыжкового механизма проводимости с переменной длиной прыжкапо локализованным состояниям, лежащим в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми, а зависимости электрического сопротивления в данном диапазоне температур могут быть описаны закономМоттар~ехр(Т-1/4). Согласно работам Мотта[13] выражение для проводимости в этом случае имеет вид, описываемый уравнением

2 „2 с = е -Я • V

рИ

где

В =

^ехр

16

1/4

2 2 а • к • )

(2)

(3)

где е - заряд электрона;Я - средняя длина прыжка;урь - фактор спектра взаимодействияфоно-нов;Т - абсолютная температура;и(ЕР) - плотность состояний на уровне Ферми;а - радиус локализации волновой функции электрона; к - постоянная Больцмана.

Согласно [10] радиус локализации электрона есть эффективный боровский радиус, равный: _ £0Н

аВ

* 2 т е

(4)

где £0 - статическая диэлектрическая проницаемость БтБ, равная 18; т* ~ т0 - эффективная масса электрона, е- его заряд.Для БтБрасчет дает значение аВ ~ 0,954 нм.

Зная значения величин В ипринимая радиус локализации электронаа = аВ,по формуле (3) можно оценить значения эффективной плотности состояний на уровне Фермид(Е{-).Длину прыжка носителей заряда для разных составов пленокпри температуре ~ 100 К определим по формуле [14].

Я(Т) = 3аВВ1/4Т-1/4 Результаты расчетов приведены в табл. 3.

(5)

ны прыжка, а также энергии активации носителей заряда в локализованные состояния. Результаты оценок приведены в табл. 4, 5.

Рис. 8. Температурные зависимости электросопротивления, перестроенные в координатах: 1пр = 1/Т (а) и1пр = 1/Т1/4 (б) для тонких пленок на основе БтБпосле отжига в вакууме: 1 - исходный образец; 2 - 673 К; 3 - 773 К; 4 -873 К

Таблица 3

Значения плотности состояний и(Ес) и длины прыжка Я(Т = 100 К)в зависимости от температуры подложки

Таблица 4

Значения энергии активации Е1, тонкопленочных образцов после термообработанных в вакууме

Тподл, К В, К эВ-1см-3 Длина прыжка при Т = 100 К, Я(Т), нм

300 14,21 4,56-1021 14,21

353 9,87 1,96 1022 9,87

373 8,89 2,974022 8,89

Температура отжига, К Ей эВ

773 0,077

873 0,138

Увеличение плотности локализованных состояний на уровне Ферми и(Е{-)и уменьшение длины прыжка с увеличением температуры подложки связаны с увеличением числа вакансий в подрешетке серы и уменьшением расстояния между ними при увеличении температуры подложки.

Для анализа температурных зависимостей электрического сопротивления образцов, термооб-работанных в вакууме и в атмосфере Ы2Б, они также были перестроены в координатах 1п(р) = 1(1/Т)и 1п(р) = Г(1/Т1/4) (рис. 8).

Для образцов, термообработанных в вакууме, также, как и в исходных образцах, выделяются два участка: низкотемпературный(77 - 200 К) (рис. 8,а), спрямляющийся в координатах 1п(р) = Г(1/Т1/4) и высокотемпературный (200 - 300 К)(рис. 8,б), где справедлив закон 1п(р) = 1(1/Т).Как и для исходных образцов, были сделаны оценки плотности локализованных состояний на уровне Ферми, средней дли-

Из табл. 4видно, что для пленок, термообрабо-танных в вакууме при 773 К значение энергии активации носителей заряда в локализованные состояния соответствует полученным значениям, характерным для БтБ. Для пленок после отжига при 873 КЕ1увеличилась на порядок, что может быть связано с тем, чтопри температурах отжига Т > 873 К синтезируется более высокоомная фаза Бт384 с энергией активацииносителей заряда в локализованные состоянияЕ1 = 0,13 эВ [9, 12].

Таблица 5

Значения плотности состояний и(Ес) и длины прыжка для образцов после отжига в вакууме

Температура отжига, К В, К эВ-1см-3 Длина прыжка при Т = 100 К, Я(Т),нм

Исходный образец 13,71 2,75-1022 2,1769

773 25,7 4,26-1020 2,5472

873 54,29 2,134019 3,0709

Анализ результатов табл. 5 показывает, что увеличение температуры термической обработки сопро-

вождается снижением плотности локализованных состояний на уровне Ферми, что можно связать с образованием новой фазы Бш3Б4, понижающей электронные состояния на уровне Ферми.

1 - исходный образец; 2 - 773 К; 3 - 873 К Рис. 9. Температурные зависимости электросопротивления, перестроенные в координатах: 1пр = 1/Т (а) и1пр = 1/Т1/4 (б) для тонких пленок на основе БшБпосле отжига в атмосфере Н2Б

Для пленок БшБ, термообработанных в атмосфере Н2Б,в отличие от пленок, отожженных в вакууме в диапазоне температур 200 - 300 К, температурные зависимости электросопротивления плохо спрямляются в координатах 1п(р) = :(1/Т) вследствие высокой дефектности структуры, а в области температур 77 - 200 К преобладает прыжковый механизм проводимости с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми.По аналогии с приведенными выше образцамидля диапазона температур 77 - 200 Кбыли рассчитаныплот-ностилокализованных состоянийна уровне Ферми д(Е:) для термообработанных в сероводородеобраз-цов (табл. 6).

Таблица 6

Значения плотности состояний g(Ef) и длины прыжка для образцов после отжига в сероводороде

Температура отжига, К В, К эВ-1см-3 Длина прыжка при Т = 100 К, Я(Т), нм

773 7,49 5,9-1022 1,8715

873 9,06 5,25-1021 1,9627

После отжига при 873 К происходит формирование более упорядоченной структурыБш3Б4, поэтому плотность локализованных состояний для данного образца больше, чем в исходном, но мень-

ше чем g(Ef) у пленки после отжига в сероводороде при 773 К.

Заключение

Ионно-лучевым распылением при различных температурах подложки синтезированы тонкопленочные образцы БшБ с мелкокристаллической дефектной структурой типа №С1. Исследовано влияние температуры подложки на электрические свойства синтезированных пленок. Установлено, что в интервале температур 77 - 200 К для синтезированных пленок преобладает прыжковый механизм проводимости с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми.

По экспериментальным зависимостям, где справедлив закон Мотта, сделана оценка плотности электронных состояний на уровне Ферми. Показано, что плотность состояний на уровне Ферми растет от 4,56-1021 эВ_1см"3 до 2,97-1022 эВ_1см"3 при изменении температуры подложки от 300 К до 873 К. В интервале температур 200 - 300 К в синтезированных пленках реализуется прыжковая проводимость носителями заряда, возбужденными в локализованные состояния вблизи дна зоны проводимости, с энергией активацииносителей заряда Е1 = 0,015 - 0,045эВ.

Исследовано влияние термообработки в вакууме и сероводороде на электрическое сопротивление синтезированных при температуре подложки 300 К пленок БшБ. Установлено, что фазовый состав пленок после отжига в вакууме при 673 и 773 К не меняется, но происходит увеличение параметра решетки и переход в полупроводниковое состояние. После отжига при температуре 873 К синтезируется новая фаза Бш3Б4 с большим, чем у БшБ, электрическим сопротивлением. Для образцов, отожженных в атмосфере сероводорода,стабильная фаза на основе химического соединения Бш3Б4формируетсяуже при 773 К.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект 13-08-97533).

Литература

1. Смирнов, И. А. Фазовый переход полупроводник-металл в редкоземельных полупроводниках [Текст] / И.А. Смирнов //УФН. - 1978. - Т. 2,вып. 124. - С. 241 - 279.

2. Влияние у-облучения на электрические параметры тонких пленок БшБ[Текст] /В.В Каминский, Л.Н. Васильев, Е.Д. Горнушкина, С.М. Соловьев, Г.А. Сосова, Н.М.Володин // Физика и техника полупроводников -1995. - Т. 29, вып. 2. - С. 306 - 308.

3. Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок БшБ[Текст] /Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова // Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34, вып. 9. - С. 1066 - 1068.

4.Васильев, Л. Н. Концентрационный механизм пьезосопротивленияБшБ[Текст] / Л.Н. Васильев, В.В. Каминский // ФТТ. - 1994. - Т.36, №4. - С. 1172 - 1175.

5.Грошев, И. Сульфид самария и новейшие разработки на его основе [Текст] / И. Грошев, И. Полухин. // Компоненты и технологии. - 2014. - № 8. - С. 150-157.

6.Высоких, А.С. Получение изделий из БшБ для электроники[Текст] /А.С. Высоких, П.В. Миодушевский, П.О. Андреев // Вестник ТГУ. - 2011. - №5. - С.179 - 185.

7.Ситников, А.В. Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем металл - диэлек-трик[Текст]: дис. ... д-ра физ.-мат. наук / А.В. Ситников. -Воронеж, 2010. - 318 с.

8.Электропроводность тонких пленок БшБ[Текст] / Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ю.М. Курапов, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова // ФТТ. - 1996. - Т. 38, №3. - С. 779 - 785.

9.Исследование структурных и электрофизических свойств тонкопленочных слоев SmS и Еи8[Текст] / П.Е. Тетерин, А.В. Зенкевич, Ю.Ю. Лебединский, О.Е. Парфенов // Научная сессия НИЯУ МИФИ. - 2010. - Т.3. - С. 1 - 4.

10.Каминский, В.В. Механизм возникновения электродвижущей силы при нагревании кристаллов 8т$[Текст]/ В.В. Каминский, Л.Н. Васильев, М.В. Романова, С.М. Соловьев // ФТТ. - 2001. - Т. 43, вып. 6. - С. 997 - 999.

11.Каминский, В.В. Дефектные ионы самария и эффект генерации электродвижущей силы в 8т$[Текст]/

B.В. Каминский, А.В. Голубков Л.Н. Васильев // ФТТ. -2002. - Т. 44,вып. 8. - С. 1501 - 1505.

12.Каминский, В.В. Исследование температурных зависимостей электросопротивления монокристаллов SmS при различных давлениях [Текст]/ В.В. Каминский, Н.Н. Степанов, А.А. Молодых // ФТТ. - 2010. - Т. 52,вып. 7. -

C. 1269 - 1270.

13.Мотт, Э. Термоэлектродвижущая сила металлов [Текст]/ Э. Мотт, Н. Девис. - М.: Мир, 1974. - 472 с.

14. Электрические свойства аморфных гранулированных композитов (Co45Fe45Zr10)X [РЬ0,8^Г0,04(№0,5Б10,5)0,15(7Г0,575'П0,425)03]100-х[Текст]/ Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, А.К. Звездин, А.М. Кудрин, М.Н. Пискарева // Перспективные материалы. - 2007. -№ 3. - С. 31 - 38.

Воронежский государственный технический университет

ELECTRICALPROPERTIESSAMARIUMMONOSULFIDETHINFILMS Yu^. Kalinin, V.A. Makagonov, S.Yu. Pankov,A.V. Sitnikov,M.V.Khakhlenkov

Thin films of samarium monosulfide were prepared by ion-beam deposition. The temperature dependences of the electrical resistance of the synthesized films in the range of 77 - 300 K were investigated, obtainedmechanisms of conductivity and the activation energies of the electrical resistivity.Also has been researched effect of annealing on the structure and electrical properties of the synthesized films

Keywords:rare-earth semiconductors, samarium monosulfide, electrical resistivity