CC BY
18Литература
Крюков Я. В., Ушарова Д. Н., Вершинин А. С. Эквалайзирование канала данных системы LTE с частотно-селективными замираниями и аддитивным гауссовым шумом // Молодой ученый, 2015. № 10. С. 244-247.
Бутусов П. Н. Интерполяция. Методы и компьютерные технологии их реализации. СПБ.: БХВ-Петербург, 2004. 320 с.
3GPP TS 36.104, version 9.4.0, Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA), Base station (BS) radio transmission and reception, 2010.
3GPP TS 36.211, version 9.1.0, 3rd Generation Partnership Project, Technical Specification Group Radio Access Network, Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA), Physical Channels and Modulation, 2010.
Быков В. В. Цифровое моделирование в статистической радиотехнике. Советское радио, 1971.
Экспериментальное исследование характеристик биполярного транзистора
импульсным методом Дараев К.1, Толен Г.2
'Дараев Калбидин /Патауву КаХЫ&п — магистр; 2Толен Гульжайна / То1еп Ои^ата — магистр, кафедра радиоэлектроники и защиты информации, радиотехнический факультет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, г. Томск
Аннотация: в статье рассматривается обзор экспериментального исследования характеристик биполярного транзистора импульсным методом.
Ключевые слова: импульсный метод, биполярный транзистор, диффузионный заряд, барьерный заряд.
Ранее была опубликована статья [1], где рассматривалось влияние погрешности квазистатической модели диода на точность моделирования при видеоимпульсном воздействии. В качестве объекта исследования использовался кремниевый выпрямительный диод MUR460 и его SPICE-модель. В результате исследования было доказано, что квазистатическая модель диода в видеоимпульсном режиме работает недостаточно хорошо, так как не учитывает задержку, с которой диффузионный заряд накапливается и рекомбинирует. Но в данной статье будет рассмотрено биполярный транзистор.
Используя импульсный метод измерения, определим характеристики биполярного транзистора. Можно найти полный заряд биполярного транзистора MJE18006, разбив протекающий в его цепи ток на следующие составляющие: ток электропроводности, барьерный заряд, диффузионный заряд.
Для измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик транзистора MJE18006 будет использована платформа PXI (Pcie Xtention for Instrumentation), разработанная фирмой National Instruments. Измерение биполярного транзистора MJE18006 будет осуществляться исходя из того, что коллектор заземлен(!к=0).
:,шсс
а)
МКС
6)
Рис. 1. График зависимостей напряжения (а) и тока (б) биполярного транзистора MJE18006 от времени, при
измерении сверхкоротким импульсом
Находим барьерную емкость биполярного транзистора МШ18006, используя полученные данные. Формула барьерной емкости:
C(u) = CJ 0| 1 -
VJ
(1)
Здесь CJ0 - емкость перехода при нулевом смещении, VJ - контактная разность потенциалов, M -коэффициент нелинейности ВФХ (зависит от распределения примесей в переходе). Количество дополнительного заряда q определяется величиной прямого тока через переход i и подвижностью носителей заряда:
qд(u) = ТТ i(u) , (2) где ТТ (transition time) - время переноса заряда. Подставим в эту формулу ВАХ и получим:
qa (u) = TT IS
exp
q
u 1-1
(3)
чЖТ
Диффузионная емкость определяется как производная по напряжению от этого дополнительного заряда:
ч
C (u) = TT IS exp I д NkT \ NkT
(4)
Для нахождения заряда биполярного транзистора MJE18006, следует использовать SPICE параметры и использовать формулу для нахождения тока электропроводности:
IE=IS- (е- 1) , (6) Для нахождения заряда электропроводности используем формулу:
Qe=Z П=0t t-h, (7)
где tt приращение по времени , IE ток электропроводности. Для нахождения полного заряда используется формула:
QP=Z n=0t t-1, (8)
где tt приращение по времени , I ток.
Рис. 2. Заряд электропроводности (а) и полный заряд (б)
Так как нам известен полный заряд и заряд электропроводности, можно найти емкостной заряд. По формуле:
(}Ет = (1р~ ЯЕ, (9)
Для нахождения барьерного заряда используется формула:
Я в=1П=0 А Чп, (10)
где Ац общий заряд.
Так как нам известен емкостной заряд и барьерный заряд, можно найти диффузионный заряд. По формуле:
, (11)
u
1-Qp полный заряд, 2- Qe заряд электропроводности, 3- QEm емкостной заряд.
МКС
б)
1-Оеш емкостный заряд,
2- Ов барьерный заряд, 3- Оо диффузионный заряд.
Рис. 3. График зависимости емкостного заряда <2Ет (а) и диффузионного заряда QD (б) от времени
Заключение. В статье было проведено экспериментальное исследование характеристик биполярного транзистора МШ18006 импульсным методом. Это делает рассмотренный метод более предпочтительным для осуществления контроля характеристик элемента. Был определен его полный заряд (барьерный заряд и диффузионный заряд).
Литература
Толен Г. Погрешности квазистатической модели диода при видеоимпульсном воздействии // Докл. Том. гос. ун-та систем управления и радиоэлектроники, 2016. № 2, ч. 2. 360 с.
Семенов Э. В. Метод измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик сверхкоротким импульсом // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо '2011): материалы 21 Международ. конф. Севастополь, Украина, 12-16 сентября 2011 г. Севастополь: Вебер, 2011. Т. 2. С. 873-874.
Исследование возможности разработки рупорно-линзовой антенной системы для аппаратуры радиоволнового сканирования Садыкова Б.1, Хайруллина А. К.2
'Садыкова Бибигуль / Sadykova Bibigul — магистрант; 2Хайруллина Аида Конысовна /Khairullina Aida Konysovna - магистрант, кафедра радиоэлектроники и защиты информации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, г. Томск
Аннотация: в статье рассматривается исследование рупорно-линзовой антенной системы, пригодной для использования в радиоволновом сканере. В основу разработки взят принцип формирования интерференционной картины на объекте и считывания интерференционных всплесков, вызванных неоднородностями на объекте.
Ключевые слова: рупорная антенна, диэлектрическая линза, интерференционная картина, диаграмма направленности.
В настоящее время радиоволновые сканеры считаются высокоэффективной и безопасной системой обнаружения любых веществ, материалов и изделий на теле и в одежде человека. Однако на рынке совсем нет радиоволновых сканеров отечественного производства. В рамках тенденции по импортозамещению разработка такого сканера представляет собой перспективную задачу.
Антенная система, используемая для сканирования, должна выполнять следующие функции: обеспечивать работу радиоволнового сканера в диапазоне 60 ГГц; обеспечивать необходимую ширину интерференционной полосы на объекте; производить считывание интерференционной картины с объекта; иметь достаточно небольшие массогабаритные показатели [1].
